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公开(公告)号：CN118732395A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410367375.5
申请日：2024-03-28
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供能够改善图案形成时的分辨性，且得到LER及图案忠实性良好的抗蚀剂图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物、及抗蚀剂图案形成方法。本发明为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物，含有：(A)光酸产生剂，由下式(A)表示的鎓盐构成；及(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118642319A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410904735.0
申请日：2024-07-08
申请人： 浙江众凌科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高残厚产品的掩膜板制备方法，涉及掩膜板制备技术领域，包括以下步骤：将基板先后浸渍于有机溶剂中5至10min，取出后用去离子水冲洗干净，清洗基板表面的尘埃或杂质，再喷洒封装材料，制备改性光刻胶，按照配重比例将高纯度氟化氢、氧化钇和光刻胶混合，涂覆，按照配重比例将抗反射涂层加入改性光刻胶内，混合30至40分钟，得混合物，再将混合物通过电子束光刻技术涂覆在基板表面，得到高残厚产品的掩膜板。该高残厚产品的掩膜板制备方法，能够长时间保持掩膜板制作过程中的热稳定性，确保掩膜板图案的精确度和完整性，避免出现的衍射现象导致掩膜板曝光图形边缘出现分辨率低和图形失真的问题。
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公开(公告)号：CN112921380B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110075650.2
申请日：2021-01-20
申请人： 桂林理工大学
摘要： 本发明公开了一种基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源器件及其制造方法，其中，电子光源器件包括电子发射器和光投影照射系统。本发明以阳极氧化铝模板为基础，在其纳米孔洞中填充内光电效应材料作为光电子发射纳米电极阵列，通过光投影照射纳米电极阵列来控制局部的纳米电极发射电子；被光照射的纳米光电极将产生光生电子和空穴，在负电场的作用下发射电子，而没被照射的纳米电极在同样的负电场作用下则不会发射电子；如此即可实现按预设图案改变电子光源器件发射的电子束的形状，大面积发射。本发明可通过改变光投影的图案，方便快捷的编辑最后电子投影的图案，也就是电子光刻图案。
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公开(公告)号：CN114127731A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080051730.8
申请日：2020-07-16
申请人： 美商新思科技有限公司
IPC分类号： G06F30/39 , G06F30/392 , G03F1/36 , G03F1/44 , G03F1/70 , G03F1/78 , G06F16/51 , G06F111/20
摘要： 系统生成针对电路设计的掩模，同时跨掩模的随机区域实施对称性和一致性。系统构建将电路图案映射到掩模图案的掩模解决方案数据库。系统使用掩模解决方案数据库来利用掩模图案替换电路设计的电路图案。系统标识电路设计的电路图案中的性质，并且在对应掩模图案中实施相同的性质。实施的性质的示例包括电路图案内的对称性和跨电路图案的相似性。系统将电路的不同区域中的掩模图案组合，并且解决在一个区域内存在多个掩模时出现的冲突。
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公开(公告)号：CN107636535B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201580070905.9
申请日：2015-12-22
申请人： 阿塞塔那诺格拉费克斯公司
摘要： 本发明公开了一种应用于以纳米级过程恰当地将半导体设计转移到晶片或掩模上的几何形状校正的改进的方法。对比一些现有技术，几何形状校正和可能的剂量校正在断裂之前应用。不同于平行地对边缘进行位移的基于边缘的校正，根据本发明的应用于所生成的几何形状校正的位移不维持边缘的平行，这尤其很好地适用于自由形式设计。种子设计根据目标设计生成。连接线段的顶点沿种子设计的轮廓放置。校正位点放置在线段上。将位移向量应用于顶点。生成模拟轮廓并将其与目标设计的轮廓进行比较。迭代该过程直到达到模拟设计与目标设计之间的匹配标准(或者另一停止标准)为止。
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公开(公告)号：CN108663899A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710212027.0
申请日：2017-04-01
申请人： 上海凸版光掩模有限公司
摘要： 本发明提供一种基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法，包括步骤：步骤1），于掩模版上形成正型化学增强光刻胶，对所述光刻胶进行曝光；步骤2），对曝光后的光刻胶进行前烘及冷却；步骤3），对所述光刻胶进行显影形成图形光刻胶，并对所述掩模版进行湿法腐蚀以形成图形掩模版；步骤4），去除所述图形光刻胶；以及步骤5），对所述图形掩模版进行关键尺寸测量。本发明取消了传统后烘和打胶两个步骤，将传统工艺中独立的两个程序显影和腐蚀合并成了连续的步骤，并考虑到取消了后烘和打胶两个步骤，将显影时间下降一部分以补偿关键尺寸的变化趋势，使得最终的线宽保持在一个良好的范围，大大简化了整个工艺流程，并大大提高了产品良率。
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公开(公告)号：CN101477303B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810189278.2
申请日：2008-12-30
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 金炯秀
CPC分类号： B82Y40/00 , B82Y10/00 , G03F1/78 , H01J37/3174
摘要： 本发明公开一种掩模及制造该掩模的方法。当用E-Beam形成掩模图案时，利用分割工序获得的分割区域的尺寸不能均等地形成。因此，掩模图案的一致性降低。为了形成具有相等尺寸的分割区域，所述方法包括：通过增加辅助图案以分割除了掩模图案以外的区域来执行分割工序，从而获得具有良好一致性的掩模图案并且减少了半导体器件的缺陷。
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公开(公告)号：CN118244570B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410676373.4
申请日：2024-05-29
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种金属图形的制作方法，该金属图形的制作方法包括以下步骤：利用版图设计工具制作出包括至少一目标图形和补偿图形的版图，目标图形包括至少一转角，补偿图形位于目标图形各个转角外围，将版图导入电子束曝光系统；提供一衬底，于衬底上表面形成电子束抗蚀层，再将该衬底置于电子束曝光系统中；以第一、二预设曝光剂量分别对目标图形与补偿图形所对应区域进行区域曝光，并对曝光后的电子束抗蚀层进行显影以形成具有图案的掩膜层；形成覆盖掩膜层的金属层；去除覆盖掩膜层上表面的金属层及掩膜层。本发明属于电子束光刻技术领域，利用补偿图形区域进行第二预设曝光剂量的曝光以对目标图形区域进行曝光剂量补偿，实现了高保真图形转移。
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公开(公告)号：CN113721419B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110571824.4
申请日：2021-05-25
申请人： 株式会社SK电子
摘要： 本发明的课题在于提供良好地修正相移光掩模的相移膜的白缺陷的方法。本发明的光掩模的修正方法，其是具备由相移膜构成的相移图案的光掩模的修正方法，包括：取得修正膜的光学特性的膜厚依赖性的步骤；为了使得从由修正膜构成的图案和相移图案转印的光致抗蚀剂的形状一致，而求出由修正膜构成的图案的修正量的修正膜厚依赖性的步骤；当在光掩模的相移图案中检出白缺陷的情况下，确定所检出的各白缺陷的位置的步骤；对应各白缺陷确定修正膜的膜厚及修正膜的图案的修正量的步骤；以及在包含各白缺陷的区域形成修正膜的步骤。
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