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公开(公告)号：CN115015309B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210879520.9
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明提供一种胶型侧壁形貌表征方法，该方法包括：提供待测样品，待测样品包括衬底与位于衬底上方的胶层，胶层中设有图形化的开口；于待测样品的预设区域进行切割以显露特征结构的纵截面；采用图像采集装置获取特征结构的纵截面图像与表面图像；基于表面图像获取待侧样品的特征尺寸，基于纵截面图像获取待侧样品的胶层厚度及开口的纵截面面积值，基于特征尺寸、胶层厚度及开口的纵截面面积值表征胶型侧壁形貌。本发明的胶型侧壁形貌表征方法基于常规图像采集装置测试即可实现，对图像测量的误差具有较高的宽容度；并且，能够实现对高深宽比胶型结构侧壁形貌的高效、准确的表征，能够直观反映各种特征尺寸、各种深宽比范围的胶型侧壁形貌。
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公开(公告)号：CN117976522A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410133740.6
申请日：2024-01-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/3205
Abstract: 本发明提供一种纳米线宽金属图形的制作方法，包括：提供衬底，于衬底上形成电子束抗蚀剂层；图形化电子束抗蚀剂层形成开口，开口贯穿电子束抗蚀剂层，开口呈漏斗状，开口包括底垂直部及位于底垂直部上方的顶倾斜部；于电子束抗蚀剂层上形成金属层，金属层并形成于开口中，其中，金属层的厚度小于底垂直部的高度；采用剥离法去除电子束抗蚀剂层以及位于电子束抗蚀剂层上方的金属层。本发明的纳米线宽金属图形的制作方法中，采用电子束灰度曝光形成漏斗状的图形开口，一方面防止图形开口在沉积金属过程中过早封闭，减小金属图形的厚度偏差，另一方面避免电子束抗蚀剂层剥离后金属图形两侧残留毛刺，形成高质量的金属图形。
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公开(公告)号：CN111584707B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202010277519.X
申请日：2020-04-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于SNSPD器件纳米线结构的双层胶剥离方法，采用ZEP‑520A电子束抗蚀剂作为双层胶的底层胶，AR‑P 6200型电子束抗蚀剂作为双层胶的顶层胶。本发明采用的两种抗蚀剂均可在邻二甲苯中显影，且去胶过程可于相同步骤中同时进行，工艺更为简单，通过与多种溶剂配合实现曲折纳米线结构的溶胶剥离；同时，利用两种抗蚀剂中心剂量的差距实现底切结构，具有流程简单、重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN114759894A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210507255.1
申请日：2022-05-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H3/08
Abstract: 本发明提供一种基于电子束曝光的高性能高频声表面波器件的制备方法，在绝缘复合基底上进行表面增粘处理，可防止胶型结构移动或脱落，同时还可提升匀胶均匀性；选用双层胶体系，通过调控曝光剂量实现倒梯形结构制备，既有利于去胶剥离，提高剥离成品率，又可减少因薄膜断裂形成的胶体残留；在双层胶结构的表面形成导电层，可有效疏导电子束在曝光过程中的电荷积聚，避免形成微电场造成电子束定位误差和表面火花放电，保障设计图形的转移工艺能够有效的传递到胶体上；在显影及剥离过程中只需对双层胶进行显影及单次去胶，具有较高的生产效率。本发明具有工艺简单易用、产能高、重复性好、成品率高的优点，适用于批量制备。
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公开(公告)号：CN103176354A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310090689.7
申请日：2013-03-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法，所述电子束曝光图形化方法包括以下步骤：1）提供一绝缘衬底；2）在所述绝缘衬底上旋涂电子束光刻胶；3）在所述电子束光刻胶上表面形成金属薄膜；4）进行电子束曝光得到所需光刻图形；5）在得到的光刻图形上沉积金属层，形成金属电极；6）剥离，去除光刻胶及多余金属后得到所需金属图形。本发明采用双层电子束光刻胶进行曝光，显影可以获得有利于后续金属剥离工艺的undercut结构，在双层胶上蒸发不连续的金属薄膜，再进行电子束曝光，能有效地将绝缘衬底表面的电荷导走，形成精确的曝光图形。本发明提供的图形化技术适用于各种绝缘衬底上的微纳器件加工工艺，克服了现有技术中的缺点而具高度产业利用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102931057A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210461745.9
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法，该石墨烯场效应器件包括：具有栅电极沟槽的衬底；形成于所述栅电极沟槽中的栅电极；Al2O3介电薄膜层，位于所述栅电极沟槽中的栅电极表面，且Al2O3介电薄膜层表面与衬底表面齐平；覆盖于所述Al2O3介电薄膜层和衬底表面的BN薄膜层；形成于所述BN薄膜层上方的石墨烯；设置在所述石墨烯上方的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别与石墨烯电性连接。本发明制备的BN薄膜层与Al2O3介电薄膜层共同构成新型的栅介质结构，有效保持了石墨烯中固有载流子的高迁移率，增强栅极的场效应作用，适用于石墨烯基高射频器件及碳基大规模集成电路制造领域。
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公开(公告)号：CN118244570B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410676373.4
申请日：2024-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种金属图形的制作方法，该金属图形的制作方法包括以下步骤：利用版图设计工具制作出包括至少一目标图形和补偿图形的版图，目标图形包括至少一转角，补偿图形位于目标图形各个转角外围，将版图导入电子束曝光系统；提供一衬底，于衬底上表面形成电子束抗蚀层，再将该衬底置于电子束曝光系统中；以第一、二预设曝光剂量分别对目标图形与补偿图形所对应区域进行区域曝光，并对曝光后的电子束抗蚀层进行显影以形成具有图案的掩膜层；形成覆盖掩膜层的金属层；去除覆盖掩膜层上表面的金属层及掩膜层。本发明属于电子束光刻技术领域，利用补偿图形区域进行第二预设曝光剂量的曝光以对目标图形区域进行曝光剂量补偿，实现了高保真图形转移。
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公开(公告)号：CN118244570A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410676373.4
申请日：2024-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种金属图形的制作方法，该金属图形的制作方法包括以下步骤：利用版图设计工具制作出包括至少一目标图形和补偿图形的版图，目标图形包括至少一转角，补偿图形位于目标图形各个转角外围，将版图导入电子束曝光系统；提供一衬底，于衬底上表面形成电子束抗蚀层，再将该衬底置于电子束曝光系统中；以第一、二预设曝光剂量分别对目标图形与补偿图形所对应区域进行区域曝光，并对曝光后的电子束抗蚀层进行显影以形成具有图案的掩膜层；形成覆盖掩膜层的金属层；去除覆盖掩膜层上表面的金属层及掩膜层。本发明属于电子束光刻技术领域，利用补偿图形区域进行第二预设曝光剂量的曝光以对目标图形区域进行曝光剂量补偿，实现了高保真图形转移。
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公开(公告)号：CN117270339B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311550305.5
申请日：2023-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/20 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种绝缘衬底上高精度电子束套刻标记及制备方法，该制备方法包括：提供绝缘衬底，绝缘衬底上设置有抗蚀剂层和导电胶层；采用电子束曝光法图形化抗蚀剂层和导电层形成第一开口；于第一开口中形成标记金属层，并去除导电胶层和抗蚀剂层；于绝缘衬底上形成光刻胶层，采用光学曝光法图形化光刻胶层以形成第二开口，第二开口显露标记金属层；于第二开口中形成覆盖金属层，覆盖金属层覆盖标记金属层。本发明中覆盖金属层遮蔽了标记金属层图形区域下的绝缘衬底，避免电子束套刻时标记识别和定位过程中的电荷累积效应，同时标记扫描时两种金属具有明显的电子衬底，充分保证了标记图形可以进行精确的识别和定位，从而实现高精度电子束套刻工艺。
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公开(公告)号：CN114899302A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210457555.3
申请日：2022-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种拐弯区加厚型SNSPD器件的制备方法，基于电子束灰度曝光，形成具有高度差的电子束抗蚀掩膜，以作为超导薄膜的图形掩模，然后通过具有明显刻蚀选择比的刻蚀工艺进行图形转移，形成包括直线区和拐弯区的超导纳米线，且拐弯区对应的超导纳米线的厚度大于直线区对应的超导纳米线的厚度，从而制备拐弯区加厚型SNSPD器件，较大程度地抑制电流拥挤效应，且具有较高的临界电流和低暗计数率等优势，显著提高SNSPD器件的性能。本发明仅通过一步电子束曝光和一步图形转移，即可实现拐角区加厚的超导纳米线的制备，简化了制备工艺流程，且可提升拐弯区加厚型SNSPD器件的性能及制备良率。
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