公开(公告)号：CN111584707B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202010277519.X

申请日：2020-04-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 汤演 ,  刘晓宇 ,  李浩 ,  尤立星

IPC: H10N60/01 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种用于SNSPD器件纳米线结构的双层胶剥离方法，采用ZEP‑520A电子束抗蚀剂作为双层胶的底层胶，AR‑P 6200型电子束抗蚀剂作为双层胶的顶层胶。本发明采用的两种抗蚀剂均可在邻二甲苯中显影，且去胶过程可于相同步骤中同时进行，工艺更为简单，通过与多种溶剂配合实现曲折纳米线结构的溶胶剥离；同时，利用两种抗蚀剂中心剂量的差距实现底切结构，具有流程简单、重复性好等优点。

公开(公告)号：CN111584707A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010277519.X

申请日：2020-04-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 汤演 ,  刘晓宇 ,  李浩 ,  尤立星

IPC: H01L39/24 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种用于SNSPD器件纳米线结构的双层胶剥离方法，采用ZEP-520A电子束抗蚀剂作为双层胶的底层胶，AR-P 6200型电子束抗蚀剂作为双层胶的顶层胶。本发明采用的两种抗蚀剂均可在邻二甲苯中显影，且去胶过程可于相同步骤中同时进行，工艺更为简单，通过与多种溶剂配合实现曲折纳米线结构的溶胶剥离；同时，利用两种抗蚀剂中心剂量的差距实现底切结构，具有流程简单、重复性好等优点。