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公开(公告)号：CN113156758A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110016918.5
申请日：2021-01-07
申请人： 株式会社SK电子
摘要： 本发明提供能够稳定地解像微细的孔图案的光掩模。该光掩模具备：露出透过性基板的透过部；以及包围透过部的、将曝光光的相位反转的第1相移部和第2相移部。第2相移部介于第1相移部与透过部之间，第2相移部对曝光光的透射率比第1相移部的透射率低。另外，第2相移部能够由第1相移部的相移膜与半透过膜的层叠结构而构成。
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公开(公告)号：CN107589630B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201710546156.3
申请日：2017-07-06
申请人： 株式会社SK电子
发明人： 齐藤隆史
IPC分类号： G03F1/32
摘要： 在现有的多灰阶的半色调掩模中，利用缺陷检查装置检测半透膜上形成的针孔缺陷，并进行修正，因此难以对于例如检测极限以下的细微的针孔缺陷进行修复。本发明提供一种半色调掩模，通过将半色调掩模的半透膜相对于透明基板的相位差设为60度～90度、相对于透明基板的透射率设为20％～50％，能够防止作为被转印体的光致抗蚀剂因特定大小以下的半透膜的针孔而感光，能够降低产品中产生图案缺陷的风险。
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公开(公告)号：CN113721419A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110571824.4
申请日：2021-05-25
申请人： 株式会社SK电子
摘要： 本发明的课题在于提供良好地修正相移光掩模的相移膜的白缺陷的方法。本发明的光掩模的修正方法，其是具备由相移膜构成的相移图案的光掩模的修正方法，包括：取得修正膜的光学特性的膜厚依赖性的步骤；为了使得从由修正膜构成的图案和相移图案转印的光致抗蚀剂的形状一致，而求出由修正膜构成的图案的修正量的修正膜厚依赖性的步骤；当在光掩模的相移图案中检出白缺陷的情况下，确定所检出的各白缺陷的位置的步骤；对应各白缺陷确定修正膜的膜厚及修正膜的图案的修正量的步骤；以及在包含各白缺陷的区域形成修正膜的步骤。
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公开(公告)号：CN107589630A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710546156.3
申请日：2017-07-06
申请人： 株式会社SK电子
发明人： 齐藤隆史
IPC分类号： G03F1/32
摘要： 在现有的多灰阶的半色调掩模中，利用缺陷检查装置检测半透膜上形成的针孔缺陷，并进行修正，因此难以对于例如检测极限以下的细微的针孔缺陷进行修复。本发明提供一种半色调掩模，通过将半色调掩模的半透膜相对于透明基板的相位差设为60度～90度、相对于透明基板的透射率设为20％～50％，能够防止作为被转印体的光致抗蚀剂因特定大小以下的半透膜的针孔而感光，能够降低产品中产生图案缺陷的风险。
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公开(公告)号：CN204790305U
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201520328358.7
申请日：2015-05-20
申请人： 株式会社SK电子
IPC分类号： G03F1/32
摘要： 本实用新型提供一种适用于形成大型平板显示面板的接近式曝光用光掩膜。如图1(A)所示，接近式曝光用光掩膜具备：在表面形成遮光膜的透明基板上除去所述遮光部的一部分且露出于所述透明基板的透光部的图案(10a)；以及在所述透光部的图案的两侧边缘形成带状的、使相位移位的半透过膜的图案(12a)，并且在图案形成区域包括(通过遮光膜对曝光光进行遮光的)遮光部与(除去遮光膜和半透过膜且露出于透明基板的)透光部没有直接接触的部分。
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公开(公告)号：CN113721419B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110571824.4
申请日：2021-05-25
申请人： 株式会社SK电子
摘要： 本发明的课题在于提供良好地修正相移光掩模的相移膜的白缺陷的方法。本发明的光掩模的修正方法，其是具备由相移膜构成的相移图案的光掩模的修正方法，包括：取得修正膜的光学特性的膜厚依赖性的步骤；为了使得从由修正膜构成的图案和相移图案转印的光致抗蚀剂的形状一致，而求出由修正膜构成的图案的修正量的修正膜厚依赖性的步骤；当在光掩模的相移图案中检出白缺陷的情况下，确定所检出的各白缺陷的位置的步骤；对应各白缺陷确定修正膜的膜厚及修正膜的图案的修正量的步骤；以及在包含各白缺陷的区域形成修正膜的步骤。
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公开(公告)号：CN117434784A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310872737.1
申请日：2023-07-17
申请人： 株式会社SK电子
IPC分类号： G03F1/32
摘要： 本发明提供光掩模及其制造方法。光掩模(100)的制造方法具有：在透明基片(1)形成相移膜(2)、蚀刻阻挡膜(3)和上层膜(4)的工序；形成抗蚀剂图案(5a)的工序；以抗蚀剂图案(5a)为掩模有选择地对上层膜(4)进行蚀刻的第1蚀刻工序；有选择地对蚀刻阻挡膜(3)进行蚀刻的第2蚀刻工序；有选择地对相移膜(2)和上层膜(4)进行蚀刻的第3蚀刻工序；和有选择地对所述蚀刻阻挡膜(3)进行蚀刻的第4蚀刻工序，相移膜(2)和上层膜(4)由同种系的物质构成，蚀刻阻挡膜(3)由与相移膜(2)不同的物质构成，在第3蚀刻工序中对相移膜(2)进行蚀刻，对上层膜(4)进行侧面蚀刻，自对准地形成边缘部(6)，确定其宽度。
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公开(公告)号：CN114114827A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111051234.5
申请日：2021-09-08
申请人： 株式会社SK电子
摘要： 本发明的目的在于使感光性抗蚀剂从中央向外侧缓缓地倾斜。光掩模(1A)在透明基板上具有多个图案形成区域A和透光部(7)，所述多个图案形成区域(A)通过所述半透过膜的图案与遮光膜的图案以部分重叠的方式层叠而形成且具有规定的形状，所述透光部(7)未形成有图案形成区域(A)。在将包含图案形成区域(A)的中央部的规定面积的区域设为第1区域(D1)、将图案形成区域(A)的外缘部中的规定面积的区域设为第2区域(D2)时，相比第1区域(D1)内的透过率，第2区域(D2)内的透过率高。
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