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公开(公告)号：CN109983402A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780070660.9
申请日：2017-12-25
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明提供一种能够曝光细微光致抗蚀剂图案的多灰阶半色调掩模。其解决方法在于，在透明基板上形成有由半透膜的图案构成的半透过部和由相位偏移膜的图案构成的相位偏移部，相位偏移膜使曝光光的相位反转，相位偏移膜的透过率低于半透膜的透过率。并且，在半透过部与相位偏移部邻接的边界部，形成有半透膜、相位偏移膜和蚀刻阻挡膜的叠层膜，蚀刻阻挡膜由不被半透膜和相位偏移膜的蚀刻液蚀刻的材质构成。其结果，实现具有半色调的效果和相位偏移效果双方的光掩模。
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公开(公告)号：CN108693697B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810227081.7
申请日：2018-03-19
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 提供能够兼顾图案的细微化和多灰阶的半色调掩模。在透明基板上具有相移膜和半透膜的层叠区域、以及由曝光光的光透过率比上述层叠区域高的半透膜构成的半透过区域，上述层叠区域具有与上述半透过区域和/或露出透明基板的透明区域接触的边界部，上述相移膜使曝光光的相位偏移，而且，上述层叠区域相对于曝光光的光透过率为1～8％。在上述边界部，曝光光的强度分布急剧变化，能够改善被曝光的光致抗蚀剂图案的剖面形状。
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公开(公告)号：CN108693697A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810227081.7
申请日：2018-03-19
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 提供能够兼顾图案的细微化和多灰阶的半色调掩模。在透明基板上具有相移膜和半透膜的层叠区域、以及由曝光光的光透过率比上述层叠区域高的半透膜构成的半透过区域，上述层叠区域具有与上述半透过区域和/或露出透明基板的透明区域接触的边界部，上述相移膜使曝光光的相位偏移，而且，上述层叠区域相对于曝光光的光透过率为1～8％。在上述边界部，曝光光的强度分布急剧变化，能够改善被曝光的光致抗蚀剂图案的剖面形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110023836B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201780070662.8
申请日：2017-12-25
Applicant: 株式会社SK电子
Inventor： 美作昌宏
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够兼顾图案细微化和多灰阶的半色调掩模。其解决手段在于在透明基板上具有：包括第一半透膜的第一半透过区域；包括上述第一半透膜与第二半透膜的叠层的第二半透过区域；透明区域；以及第一半透过区域与第二半透过区域邻接的区域，上述第一和第二半透过区域对曝光光的透过率分别为10～70[％]和1～8[％]，第二半透过区域使曝光光的相位反转。其结果，在邻接的第一半透过区域与第二半透过区域的边界部分，曝光光的强度分布陡峭地变化，能够改善经曝光后的光致抗蚀剂图案的剖面形状。
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公开(公告)号：CN109983402B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201780070660.9
申请日：2017-12-25
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明提供一种能够曝光细微光致抗蚀剂图案的多灰阶半色调掩模。其解决方法在于，在透明基板上形成有由半透膜的图案构成的半透过部和由相位偏移膜的图案构成的相位偏移部，相位偏移膜使曝光光的相位反转，相位偏移膜的透过率低于半透膜的透过率。并且，在半透过部与相位偏移部邻接的边界部，形成有半透膜、相位偏移膜和蚀刻阻挡膜的叠层膜，蚀刻阻挡膜由不被半透膜和相位偏移膜的蚀刻液蚀刻的材质构成。其结果，实现具有半色调的效果和相位偏移效果双方的光掩模。
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公开(公告)号：CN110023836A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780070662.8
申请日：2017-12-25
Applicant: 株式会社SK电子
Inventor： 美作昌宏
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够兼顾图案细微化和多灰阶的半色调掩模。其解决手段在于在透明基板上具有：包括第一半透膜的第一半透过区域；包括上述第一半透膜与第二半透膜的叠层的第二半透过区域；透明区域；以及第一半透过区域与第二半透过区域邻接的区域，上述第一和第二半透过区域对曝光光的透过率分别为10～70[％]和1～8[％]，第二半透过区域使曝光光的相位反转。其结果，在邻接的第一半透过区域与第二半透过区域的边界部分，曝光光的强度分布陡峭地变化，能够改善经曝光后的光致抗蚀剂图案的剖面形状。
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公开(公告)号：CN101655661A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910149587.1
申请日：2009-07-06
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明涉及多调光掩模及其修正方法。在多调光掩模的修正工序中，在必要的范围防止形成修正半透膜时可能发生的透过率的异常部的产生。本发明的多调光掩模(10)是在透明基板上设有透光部、遮光部、半透光部。其中，半透光部由半透膜图形(4a)形成。该半透膜包含利用激光熔断形成的厚膜部，并且在所述厚膜部设有透过率调节区域。
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公开(公告)号：CN204790305U
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201520328358.7
申请日：2015-05-20
Applicant: 株式会社SK电子
IPC: G03F1/32
Abstract: 本实用新型提供一种适用于形成大型平板显示面板的接近式曝光用光掩膜。如图1(A)所示，接近式曝光用光掩膜具备：在表面形成遮光膜的透明基板上除去所述遮光部的一部分且露出于所述透明基板的透光部的图案(10a)；以及在所述透光部的图案的两侧边缘形成带状的、使相位移位的半透过膜的图案(12a)，并且在图案形成区域包括(通过遮光膜对曝光光进行遮光的)遮光部与(除去遮光膜和半透过膜且露出于透明基板的)透光部没有直接接触的部分。
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