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公开(公告)号：CN118778344A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410426617.3
申请日：2024-04-10
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明提供一种相移掩模的制造方法，在避免描绘装置对准偏差的影响的同时灵活地设定缘边部的形状。包括：在透射性基板(1)上形成相移膜(2)、遮光膜(3)的步骤；在遮光膜上形成抗蚀剂膜(4)，形成曝光量互不相同的第一～三曝光区域(41、42、43)以及曝光量与第一曝光区域(41)相同且一端侧与第二曝光区域(42)接触、另一端侧与第三曝光区域(43)接触的第四曝光区域(44)，并去除第三曝光区域(43)的步骤；对半透射膜和遮光膜进行蚀刻，形成相移膜图案(2a)和第一遮光膜图案(3a)的步骤；将第二曝光区域去除的步骤；和对第一遮光膜图案进行蚀刻，形成使相移膜图案部分地露出的第二遮光膜图案(3b)的步骤。
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公开(公告)号：CN113568270B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110451887.6
申请日：2021-04-26
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明提供一种能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同光学特性的图案的光掩模的制造方法。在该光掩模的制造方法中，准备在透射性基片上具有半透射膜、中间膜、上层膜的光掩模坯件，对形成在上层膜上的光致抗蚀剂膜进行曝光，形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域。之后，选择性地去除第一区域，蚀刻上层膜。之后，选择性地去除第二区域，蚀刻半透射膜，且蚀刻上层膜和中间膜。之后，去除第三区域。
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公开(公告)号：CN109983402A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780070660.9
申请日：2017-12-25
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明提供一种能够曝光细微光致抗蚀剂图案的多灰阶半色调掩模。其解决方法在于，在透明基板上形成有由半透膜的图案构成的半透过部和由相位偏移膜的图案构成的相位偏移部，相位偏移膜使曝光光的相位反转，相位偏移膜的透过率低于半透膜的透过率。并且，在半透过部与相位偏移部邻接的边界部，形成有半透膜、相位偏移膜和蚀刻阻挡膜的叠层膜，蚀刻阻挡膜由不被半透膜和相位偏移膜的蚀刻液蚀刻的材质构成。其结果，实现具有半色调的效果和相位偏移效果双方的光掩模。
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公开(公告)号：CN118915373A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411261938.9
申请日：2021-04-26
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明提供一种能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同光学特性的图案的光掩模的制造方法和光掩模。在该光掩模的制造方法中，准备在透射性基片上具有半透射膜、中间膜、上层膜的光掩模坯件，对形成在上层膜上的光致抗蚀剂膜进行曝光，形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域。之后，选择性地去除第一区域，蚀刻上层膜。之后，选择性地去除第二区域，蚀刻半透射膜，且蚀刻上层膜和中间膜。之后，去除第三区域。
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公开(公告)号：CN113568270A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110451887.6
申请日：2021-04-26
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明提供一种能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同光学特性的图案的光掩模的制造方法。在该光掩模的制造方法中，准备在透射性基片上具有半透射膜、中间膜、上层膜的光掩模坯件，对形成在上层膜上的光致抗蚀剂膜进行曝光，形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域。之后，选择性地去除第一区域，蚀刻上层膜。之后，选择性地去除第二区域，蚀刻半透射膜，且蚀刻上层膜和中间膜。之后，去除第三区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116107153A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211255619.8
申请日：2022-10-13
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在光掩模的制造时容易进行图案的尺寸控制，能够在光掩模中提高图案的尺寸精度的光掩模坯的制造方法以及光掩模的制造方法。该光掩模坯的制造方法用于制造将透明基板(3)的表面划分为第一图案区域和第二图案区域，在第一图案区域形成有第一功能性膜，在第二图案区域形成有第二功能性膜的光掩模坯(2)。
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公开(公告)号：CN109983402B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201780070660.9
申请日：2017-12-25
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明提供一种能够曝光细微光致抗蚀剂图案的多灰阶半色调掩模。其解决方法在于，在透明基板上形成有由半透膜的图案构成的半透过部和由相位偏移膜的图案构成的相位偏移部，相位偏移膜使曝光光的相位反转，相位偏移膜的透过率低于半透膜的透过率。并且，在半透过部与相位偏移部邻接的边界部，形成有半透膜、相位偏移膜和蚀刻阻挡膜的叠层膜，蚀刻阻挡膜由不被半透膜和相位偏移膜的蚀刻液蚀刻的材质构成。其结果，实现具有半色调的效果和相位偏移效果双方的光掩模。
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公开(公告)号：CN114114827A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111051234.5
申请日：2021-09-08
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明的目的在于使感光性抗蚀剂从中央向外侧缓缓地倾斜。光掩模(1A)在透明基板上具有多个图案形成区域A和透光部(7)，所述多个图案形成区域(A)通过所述半透过膜的图案与遮光膜的图案以部分重叠的方式层叠而形成且具有规定的形状，所述透光部(7)未形成有图案形成区域(A)。在将包含图案形成区域(A)的中央部的规定面积的区域设为第1区域(D1)、将图案形成区域(A)的外缘部中的规定面积的区域设为第2区域(D2)时，相比第1区域(D1)内的透过率，第2区域(D2)内的透过率高。
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公开(公告)号：CN118672050A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410299949.X
申请日：2024-03-15
Applicant: 株式会社SK电子
IPC: G03F1/40
Abstract: 本发明提供光掩模和光掩模的制造方法，能够防止孤立图案的静电破坏，用途不限于二元掩模。光掩模具有第一孤立图案(61a)、第二孤立图案(62a)和连接两孤立图案的桥接图案(63a)。光掩模的制造方法包括：在透射性基片(1)上形成具有导电性的半透射膜(2)和遮光膜(3)的工序；在遮光膜(3)上形成具有开口图案(4s)的第一抗蚀剂图案(4a)的工序；有选择地蚀刻遮光膜(3)而形成开口部(OP)的工序；在遮光膜上形成第二抗蚀剂图案(5a)的工序，该第二抗蚀剂图案具有覆盖开口部(OP)的桥接区域(53a)、第一孤立图案区域(51a)和第二孤立图案区域(52a)；和蚀刻遮光膜和半透射膜，形成第一孤立图案、第二孤立图案和桥接图案的工序。
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公开(公告)号：CN117331277A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310799318.X
申请日：2023-06-30
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明的课题在于提供一种光掩模的制造方法以及光掩模，该制造方法能够实现光掩模的高精细化以及能够形成的图案形状的多样化两者。本发明的光掩模的制造方法的要点在于，在构图工序中，形成第一次抗蚀剂图案，第一次抗蚀剂图案的一部分具有曝光量不同的区域，形成由下层膜3、中间膜4以及上层膜5的层叠部的第一区域10、下层膜3以及中间膜4的层叠部的第二区域12、和下层膜3的单层部的第三区域13构成的第一次图案PA。第一次图案PA通过追加工能够变化为图案形状不同的第二次图案PB～PD。
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