公开(公告)号：CN118550149A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410184263.6

申请日：2024-02-19

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 山田慎吾 ,  森山久美子 ,  坂东宏树 ,  川原未佑

IPC: G03F1/26 ,  H01L21/033 ,  G03F1/80 ,  G03F1/56 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明提供一种光掩模的制造方法以及光掩模，与以往的光掩模的制造方法相比，能够实现光掩模的进一步的高精细化。其中，光掩模的图案的第二区域的边缘位置(半透膜3的边缘位置)并非基于上层膜图案的第二图案4B的、与第一图案4A相反的一侧的边缘位置来确定，而是基于上层膜图案的第二图案4B的、位于第一图案4A的一侧的边缘位置来确定。由此，上层膜图案的第二图案4B的宽度不是设定第二区域的宽度(半透膜3的露出部分的宽度)时的因素。因此，根据本发明，与以往的光掩模的制造方法相比，能够实现光掩模的进一步的高精细化。

公开(公告)号：CN118672050A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410299949.X

申请日：2024-03-15

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 田中千惠 ,  坂东宏树 ,  川原未佑 ,  山田慎吾 ,  森山久美子

IPC: G03F1/40

Abstract: 本发明提供光掩模和光掩模的制造方法，能够防止孤立图案的静电破坏，用途不限于二元掩模。光掩模具有第一孤立图案(61a)、第二孤立图案(62a)和连接两孤立图案的桥接图案(63a)。光掩模的制造方法包括：在透射性基片(1)上形成具有导电性的半透射膜(2)和遮光膜(3)的工序；在遮光膜(3)上形成具有开口图案(4s)的第一抗蚀剂图案(4a)的工序；有选择地蚀刻遮光膜(3)而形成开口部(OP)的工序；在遮光膜上形成第二抗蚀剂图案(5a)的工序，该第二抗蚀剂图案具有覆盖开口部(OP)的桥接区域(53a)、第一孤立图案区域(51a)和第二孤立图案区域(52a)；和蚀刻遮光膜和半透射膜，形成第一孤立图案、第二孤立图案和桥接图案的工序。

公开(公告)号：CN115704993A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210917102.4

申请日：2022-08-01

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 川原未佑 ,  田中千恵 ,  森山久美子

IPC: G03F1/72

Abstract: 本发明的目的在于一次进行大规模的图案修正。本发明的一个方式的图案修正方法是对于通过包含第一材料的第一遮光膜(11)已经形成有图案的光掩模(10)新修正图案的图案修正方法，包括：成膜工序，将包含与所述第一材料不同的第二材料的第二遮光膜(21)成膜；光致抗蚀剂膜形成工序，形成光致抗蚀剂膜(22)以覆盖第二遮光膜(21)的整个面；图案形成工序，形成光致抗蚀剂图案；以及遮光膜除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，使用不溶解所述第一材料而溶解所述第二材料的蚀刻液，除去第二遮光膜(21)的一部分。