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发明公开
图案修正方法以及光掩模审中-实审

公开(公告)号：CN115704993A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210917102.4

申请日：2022-08-01

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 川原未佑 , 田中千恵 , 森山久美子

IPC: G03F1/72

Abstract: 本发明的目的在于一次进行大规模的图案修正。本发明的一个方式的图案修正方法是对于通过包含第一材料的第一遮光膜(11)已经形成有图案的光掩模(10)新修正图案的图案修正方法，包括：成膜工序，将包含与所述第一材料不同的第二材料的第二遮光膜(21)成膜；光致抗蚀剂膜形成工序，形成光致抗蚀剂膜(22)以覆盖第二遮光膜(21)的整个面；图案形成工序，形成光致抗蚀剂图案；以及遮光膜除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，使用不溶解所述第一材料而溶解所述第二材料的蚀刻液，除去第二遮光膜(21)的一部分。

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