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公开(公告)号：CN204790305U
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201520328358.7
申请日：2015-05-20
申请人： 株式会社SK电子
IPC分类号： G03F1/32
摘要： 本实用新型提供一种适用于形成大型平板显示面板的接近式曝光用光掩膜。如图1(A)所示，接近式曝光用光掩膜具备：在表面形成遮光膜的透明基板上除去所述遮光部的一部分且露出于所述透明基板的透光部的图案(10a)；以及在所述透光部的图案的两侧边缘形成带状的、使相位移位的半透过膜的图案(12a)，并且在图案形成区域包括(通过遮光膜对曝光光进行遮光的)遮光部与(除去遮光膜和半透过膜且露出于透明基板的)透光部没有直接接触的部分。
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公开(公告)号：CN118778344A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410426617.3
申请日：2024-04-10
申请人： 株式会社SK电子
摘要： 本发明提供一种相移掩模的制造方法，在避免描绘装置对准偏差的影响的同时灵活地设定缘边部的形状。包括：在透射性基板(1)上形成相移膜(2)、遮光膜(3)的步骤；在遮光膜上形成抗蚀剂膜(4)，形成曝光量互不相同的第一～三曝光区域(41、42、43)以及曝光量与第一曝光区域(41)相同且一端侧与第二曝光区域(42)接触、另一端侧与第三曝光区域(43)接触的第四曝光区域(44)，并去除第三曝光区域(43)的步骤；对半透射膜和遮光膜进行蚀刻，形成相移膜图案(2a)和第一遮光膜图案(3a)的步骤；将第二曝光区域去除的步骤；和对第一遮光膜图案进行蚀刻，形成使相移膜图案部分地露出的第二遮光膜图案(3b)的步骤。
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公开(公告)号：CN113568270B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110451887.6
申请日：2021-04-26
申请人： 株式会社SK电子
摘要： 本发明提供一种能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同光学特性的图案的光掩模的制造方法。在该光掩模的制造方法中，准备在透射性基片上具有半透射膜、中间膜、上层膜的光掩模坯件，对形成在上层膜上的光致抗蚀剂膜进行曝光，形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域。之后，选择性地去除第一区域，蚀刻上层膜。之后，选择性地去除第二区域，蚀刻半透射膜，且蚀刻上层膜和中间膜。之后，去除第三区域。
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公开(公告)号：CN115016224A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210192510.8
申请日：2022-02-28
申请人： 株式会社SK电子
IPC分类号： G03F1/32
摘要： 本发明提供能够无需对准的多色调光掩模的制造方法及多色调光掩模。多色调光掩模的制造方法包括：准备中间体的工序，中间体由下列层叠膜结构构成，即中间体具有：在透明基板2上层叠的半透膜3；具有与半透膜3不同的蚀刻特性、以在半透膜3上重合的方式进行层叠的中间膜4；具有与半透膜3相同的蚀刻特性、以使中间膜4的周边区域的至少一部分露出的方式在中间膜4上层叠的遮光膜5；且中间膜4的露出的部分的至少一部分具有越接近透明基板2其边缘4a越向外侧扩展的形状；将中间膜4的露出的部分分多次进行蚀刻并最终去除的工序；在除了最后一次或包括最后一次的各次蚀刻后对半透膜3的露出的部分进行等离子体处理，改变该部分的透射率的工序。
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公开(公告)号：CN113487002A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110686528.9
申请日：2017-04-12
申请人： 株式会社SK电子
发明人： 小林英树
摘要： 本发明的课题在于提供一种能够以简单的结构谋求天线效率提高的RFID标签。具有：用于与读写器进行信号的收发的天线(3)；和连接有该天线(3)的IC芯片(1)，在与形成有天线(3)的绝缘层上的外周端缘相比的内侧部分具有多个连接端子(5A、5B)，将绝缘层上的外周端缘与多个连接端子(5A、5B)之间的距离作为内外方向的宽度，在绝缘层上的外周整个区域或外周大致整个区域具有环状的天线形成区域，天线(3)以多个连接端子中的一个连接端子(5A)作为起点，并以剩余的连接端子中的一个连接端子(5B)作为终点，以导体线在所述天线形成区域内绕圈的方式形成为环状。
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公开(公告)号：CN113156758A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110016918.5
申请日：2021-01-07
申请人： 株式会社SK电子
摘要： 本发明提供能够稳定地解像微细的孔图案的光掩模。该光掩模具备：露出透过性基板的透过部；以及包围透过部的、将曝光光的相位反转的第1相移部和第2相移部。第2相移部介于第1相移部与透过部之间，第2相移部对曝光光的透射率比第1相移部的透射率低。另外，第2相移部能够由第1相移部的相移膜与半透过膜的层叠结构而构成。
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公开(公告)号：CN107589630B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201710546156.3
申请日：2017-07-06
申请人： 株式会社SK电子
发明人： 齐藤隆史
IPC分类号： G03F1/32
摘要： 在现有的多灰阶的半色调掩模中，利用缺陷检查装置检测半透膜上形成的针孔缺陷，并进行修正，因此难以对于例如检测极限以下的细微的针孔缺陷进行修复。本发明提供一种半色调掩模，通过将半色调掩模的半透膜相对于透明基板的相位差设为60度～90度、相对于透明基板的透射率设为20％～50％，能够防止作为被转印体的光致抗蚀剂因特定大小以下的半透膜的针孔而感光，能够降低产品中产生图案缺陷的风险。
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公开(公告)号：CN111279551A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880068491.X
申请日：2018-11-02
申请人： 株式会社SK电子
摘要： 本发明为LC共振天线，具有：电感器层，其设有线圈状的电感器；电容器层，其设有电容器且层叠于该电感器层，所述电容器具有多个电极板，该多个电极板在所述电感器层与所述电容器层的层叠方向上与所述电感器排列、且在与该层叠方向正交的面方向上扩展，所述电感器以线圈中心的轴线方向与所述层叠方向一致或大致一致的方式形成，在所述多个电极板上形成有能够供磁通通过的通过区域，该通过区域在所述层叠方向上与被所述电感器包围的内侧区域对应。
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公开(公告)号：CN109983402A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780070660.9
申请日：2017-12-25
申请人： 株式会社SK电子
摘要： 本发明提供一种能够曝光细微光致抗蚀剂图案的多灰阶半色调掩模。其解决方法在于，在透明基板上形成有由半透膜的图案构成的半透过部和由相位偏移膜的图案构成的相位偏移部，相位偏移膜使曝光光的相位反转，相位偏移膜的透过率低于半透膜的透过率。并且，在半透过部与相位偏移部邻接的边界部，形成有半透膜、相位偏移膜和蚀刻阻挡膜的叠层膜，蚀刻阻挡膜由不被半透膜和相位偏移膜的蚀刻液蚀刻的材质构成。其结果，实现具有半色调的效果和相位偏移效果双方的光掩模。
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