公开(公告)号：CN113156758A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110016918.5

申请日：2021-01-07

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 田中千惠 ,  山田步实 ,  齐藤隆史

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/76 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供能够稳定地解像微细的孔图案的光掩模。该光掩模具备：露出透过性基板的透过部；以及包围透过部的、将曝光光的相位反转的第1相移部和第2相移部。第2相移部介于第1相移部与透过部之间，第2相移部对曝光光的透射率比第1相移部的透射率低。另外，第2相移部能够由第1相移部的相移膜与半透过膜的层叠结构而构成。

公开(公告)号：CN118672050A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410299949.X

申请日：2024-03-15

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 田中千惠 ,  坂东宏树 ,  川原未佑 ,  山田慎吾 ,  森山久美子

IPC: G03F1/40

Abstract: 本发明提供光掩模和光掩模的制造方法，能够防止孤立图案的静电破坏，用途不限于二元掩模。光掩模具有第一孤立图案(61a)、第二孤立图案(62a)和连接两孤立图案的桥接图案(63a)。光掩模的制造方法包括：在透射性基片(1)上形成具有导电性的半透射膜(2)和遮光膜(3)的工序；在遮光膜(3)上形成具有开口图案(4s)的第一抗蚀剂图案(4a)的工序；有选择地蚀刻遮光膜(3)而形成开口部(OP)的工序；在遮光膜上形成第二抗蚀剂图案(5a)的工序，该第二抗蚀剂图案具有覆盖开口部(OP)的桥接区域(53a)、第一孤立图案区域(51a)和第二孤立图案区域(52a)；和蚀刻遮光膜和半透射膜，形成第一孤立图案、第二孤立图案和桥接图案的工序。

公开(公告)号：CN113156758B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202110016918.5

申请日：2021-01-07

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 田中千惠 ,  山田步实 ,  齐藤隆史

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/76 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供能够稳定地解像微细的孔图案的光掩模。该光掩模具备：露出透过性基板的透过部；以及包围透过部的、将曝光光的相位反转的第1相移部和第2相移部。第2相移部介于第1相移部与透过部之间，第2相移部对曝光光的透射率比第1相移部的透射率低。另外，第2相移部能够由第1相移部的相移膜与半透过膜的层叠结构而构成。

公开(公告)号：CN114114827A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111051234.5

申请日：2021-09-08

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 田中千惠 ,  齐藤隆史 ,  山田步实 ,  森山久美子 ,  福泉照夫

IPC: G03F1/80 ,  G03F1/32 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明的目的在于使感光性抗蚀剂从中央向外侧缓缓地倾斜。光掩模(1A)在透明基板上具有多个图案形成区域A和透光部(7)，所述多个图案形成区域(A)通过所述半透过膜的图案与遮光膜的图案以部分重叠的方式层叠而形成且具有规定的形状，所述透光部(7)未形成有图案形成区域(A)。在将包含图案形成区域(A)的中央部的规定面积的区域设为第1区域(D1)、将图案形成区域(A)的外缘部中的规定面积的区域设为第2区域(D2)时，相比第1区域(D1)内的透过率，第2区域(D2)内的透过率高。