公开(公告)号：CN206594443U

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201720040773.1

申请日：2017-01-13

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 桥本昌典

IPC: G03F1/42

Abstract: 本实用新型提供能够降低半色调掩模重合误差的光掩模坯料和光掩模组。本实用新型提供一种在四边形的4个顶点具备对准图形且关联有各对准图形的坐标位置的数据信息的光掩模坯料，通过参照上述坐标位置的数据信息修正形成于所述光掩模坯料上的转印图形，能够大幅降低重合误差。另外，通过使用利用上述光掩模坯料形成转印图形的光掩模组，能够大幅降低产品制造的光刻步骤中的重合误差。

公开(公告)号：CN116577961A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310086669.6

申请日：2023-01-18

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 桥本昌典

IPC: G03F1/42 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明提供一种FPD用光掩模，其以合适的形态形成用于保证二维地排列的各单位图案的位置精度的位置测量用标记。FPD用光掩模(1)具备：图案形成区域(1A)，由多个单位图案形成区域(1Aa)、……在周围具有空白部(1Ab)且沿正交的第一方向(x)和第二方向(y)二维地排列而成；外边缘区域(1B)，包围图案形成区域(1A)；以及，多个位置测量用标记(3A)；位置测量用标记(3A)由沿第一方向(x)的线以及沿第二方向(y)的线的组合构成，并且在图案形成区域(1A)中，仅在空白部(1Ab)交叉的部分形成。

公开(公告)号：CN117331277A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310799318.X

申请日：2023-06-30

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 桥本昌典 ,  森山久美子 ,  山田慎吾

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/32 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明的课题在于提供一种光掩模的制造方法以及光掩模，该制造方法能够实现光掩模的高精细化以及能够形成的图案形状的多样化两者。本发明的光掩模的制造方法的要点在于，在构图工序中，形成第一次抗蚀剂图案，第一次抗蚀剂图案的一部分具有曝光量不同的区域，形成由下层膜3、中间膜4以及上层膜5的层叠部的第一区域10、下层膜3以及中间膜4的层叠部的第二区域12、和下层膜3的单层部的第三区域13构成的第一次图案PA。第一次图案PA通过追加工能够变化为图案形状不同的第二次图案PB～PD。