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公开(公告)号：CN113568270B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110451887.6
申请日：2021-04-26
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明提供一种能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同光学特性的图案的光掩模的制造方法。在该光掩模的制造方法中，准备在透射性基片上具有半透射膜、中间膜、上层膜的光掩模坯件，对形成在上层膜上的光致抗蚀剂膜进行曝光，形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域。之后，选择性地去除第一区域，蚀刻上层膜。之后，选择性地去除第二区域，蚀刻半透射膜，且蚀刻上层膜和中间膜。之后，去除第三区域。
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公开(公告)号：CN118915373A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411261938.9
申请日：2021-04-26
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明提供一种能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同光学特性的图案的光掩模的制造方法和光掩模。在该光掩模的制造方法中，准备在透射性基片上具有半透射膜、中间膜、上层膜的光掩模坯件，对形成在上层膜上的光致抗蚀剂膜进行曝光，形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域。之后，选择性地去除第一区域，蚀刻上层膜。之后，选择性地去除第二区域，蚀刻半透射膜，且蚀刻上层膜和中间膜。之后，去除第三区域。
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公开(公告)号：CN113568270A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110451887.6
申请日：2021-04-26
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明提供一种能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同光学特性的图案的光掩模的制造方法。在该光掩模的制造方法中，准备在透射性基片上具有半透射膜、中间膜、上层膜的光掩模坯件，对形成在上层膜上的光致抗蚀剂膜进行曝光，形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域。之后，选择性地去除第一区域，蚀刻上层膜。之后，选择性地去除第二区域，蚀刻半透射膜，且蚀刻上层膜和中间膜。之后，去除第三区域。
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