Patent search ap:("株式会社SK电子") AND inv:"杨宗宪" Page 1

1.

发明公开
光掩模及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN117434784A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310872737.1

申请日：2023-07-17

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 齐藤隆史 , 杨宗宪 , 史经平

IPC: G03F1/32

Abstract: 本发明提供光掩模及其制造方法。光掩模(100)的制造方法具有：在透明基片(1)形成相移膜(2)、蚀刻阻挡膜(3)和上层膜(4)的工序；形成抗蚀剂图案(5a)的工序；以抗蚀剂图案(5a)为掩模有选择地对上层膜(4)进行蚀刻的第1蚀刻工序；有选择地对蚀刻阻挡膜(3)进行蚀刻的第2蚀刻工序；有选择地对相移膜(2)和上层膜(4)进行蚀刻的第3蚀刻工序；和有选择地对所述蚀刻阻挡膜(3)进行蚀刻的第4蚀刻工序，相移膜(2)和上层膜(4)由同种系的物质构成，蚀刻阻挡膜(3)由与相移膜(2)不同的物质构成，在第3蚀刻工序中对相移膜(2)进行蚀刻，对上层膜(4)进行侧面蚀刻，自对准地形成边缘部(6)，确定其宽度。

Patent Agency Ranking