-
公开(公告)号：CN118642319A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410904735.0
申请日：2024-07-08
申请人： 浙江众凌科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高残厚产品的掩膜板制备方法，涉及掩膜板制备技术领域，包括以下步骤：将基板先后浸渍于有机溶剂中5至10min，取出后用去离子水冲洗干净，清洗基板表面的尘埃或杂质，再喷洒封装材料，制备改性光刻胶，按照配重比例将高纯度氟化氢、氧化钇和光刻胶混合，涂覆，按照配重比例将抗反射涂层加入改性光刻胶内，混合30至40分钟，得混合物，再将混合物通过电子束光刻技术涂覆在基板表面，得到高残厚产品的掩膜板。该高残厚产品的掩膜板制备方法，能够长时间保持掩膜板制作过程中的热稳定性，确保掩膜板图案的精确度和完整性，避免出现的衍射现象导致掩膜板曝光图形边缘出现分辨率低和图形失真的问题。
-
公开(公告)号：CN117265537A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311108613.2
申请日：2023-08-30
申请人： 浙江众凌科技有限公司
IPC分类号： C23F1/08
摘要： 本发明属于湿法蚀刻技术领域，特别涉及一种用于湿法蚀刻补偿蚀刻装置，包括：溢流盒；集液槽，位于溢流盒下方；进液管道，位于溢流盒与集液槽之间用于向溢流盒输送药液；其中，进液管道的出液端贯穿溢流盒外一侧壁伸入溢流盒内部，溢流盒上端开设有用于供药液溢流出与待蚀刻面接触的敞口区，集液槽用于收集溢流盒溢流出的药液。本发明的有益效果为：能够有效的提高蚀刻面的减薄均一性，药液消耗量小，并且能够通过集液槽对药液进行收集再利用，使用效果好。
-
公开(公告)号：CN118605077A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410863527.0
申请日：2024-06-29
申请人： 浙江众凌科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种不易脱膜的掩膜板制备方法，涉及掩膜板制备技术领域，包括以下步骤，通过物理气相沉积法或化学气相沉积法在透明基板上沉积导电膜或半导体膜，将光阻剂均匀涂覆在透明基板表面，采用旋转涂布技术，利用离心力原理使光阻剂平铺在透明基板上，喷洒阻燃材料，在喷洒阻燃材料后的光阻膜上光刻掩膜图案，将光刻胶和维生素E混合，通过电子束技术光刻掩膜图案，制备光学膜贴附在掩膜图案表面，形成保护膜，制得不易脱膜的掩膜板。该不易脱膜的掩膜板制备方法，有助于实现阻燃剂在掩膜板材料中的均匀分散，从而提高掩膜板的整体性能，提供环保且有效的抗氧化保护，较好地保持掩膜板表面图形的清晰和准确。
-
公开(公告)号：CN117092894A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311134660.4
申请日：2023-09-04
申请人： 浙江众凌科技有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种精密金属遮罩工艺提高蚀刻因子的方法，包括如下步骤：步骤一、将干模通过压模粘附在待蚀刻的金属基材表面；步骤二、将干膜曝光后置于烘烤装置内进行烘烤形成疏水干膜，烘烤时间为20min，烘烤温度为140℃；步骤三、对烘烤完成后的干膜进行显影处理；步骤四、喷淋蚀刻，喷淋压力为0.3Mpa～0.5Mpa，喷淋时间为120±20s；步骤五、从金属基材上剥离干膜。本发明的有益效果为，能够有效的调控干膜的亲水性，能够在恒定的蚀刻喷淋压力条件下，保证纵向蚀刻速率，减缓横向侧蚀速率，达到提高蚀刻因子的目的。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.031 秒)
