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    用可变形束光刻的光学邻近校正、设计和制造光刻板方法
    2.
    发明授权
    用可变形束光刻的光学邻近校正、设计和制造光刻板方法 有权

    公开(公告)号：CN102138201B

    公开(公告)日：2014-12-31

    申请号：CN200980134188.6

    申请日：2009-08-10

    申请人： D2S公司

    发明人： 藤村晶 ,  兰斯·格兰瑟

    IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20

    CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  G03F1/36 ,  G03F1/68 ,  G03F1/78 ,  H01J37/3174

    摘要： 本发明涉及用可变形束光刻的光学邻近校正、设计和制造光刻板方法，描述了一种方法，该方法用于使用可变形束(VSB)发射来在表面上形成期望的图案，其中多个VSB图案的联合与期望图案不同。另外，允许VSB发射彼此重叠，并且允许发射的剂量不同。还公开了用于光学邻近校正(OPC)、分解、掩膜数据准备和邻近效应校正的类似方法。还公开了用于创建图示符的方法，在该方法中预先计算出将从一组或多组VSB发射形成在表面上的图案。在一些实施例中，可以使用优化技术来最小化发射次数。本公开的方法可以用在例如通过利用光刻板的光刻制造集成电路的工艺中，或者在利用直接写入制造集成电路的工艺中。

    被加工基板、其制造方法及光阻图案的形成方法
    3.
    发明授权
    被加工基板、其制造方法及光阻图案的形成方法 有权

    公开(公告)号：CN102419510B

    公开(公告)日：2014-03-12

    申请号：CN201110214208.X

    申请日：2011-07-22

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 渡边聪 ,  吉川博树

    IPC分类号： G03F1/50 ,  G03F7/00

    CPC分类号： G03F1/78 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/31796

    摘要： 本发明提供一种层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜的被加工基板，所述被加工基板上至少依序层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜，所述被加工基板上具有导电性无机薄膜来作为表层，其特征在于：在所述被加工基板的被加工面，具有前述有机导电性膜与前述导电性无机薄膜一部分直接接触的区域。由此，提供一种被加工基板，其可有效率地进行去除静电，并且即便进行高电流密度的电子束照射，也可稳定地形成高精度光阻图案。

    被加工基板、其制造方法及光阻图案的形成方法
    4.
    发明公开
    被加工基板、其制造方法及光阻图案的形成方法 有权

    公开(公告)号：CN102419510A

    公开(公告)日：2012-04-18

    申请号：CN201110214208.X

    申请日：2011-07-22

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 渡边聪 ,  吉川博树

    IPC分类号： G03F1/50 ,  G03F7/00

    CPC分类号： G03F1/78 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/31796

    摘要： 本发明提供一种层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜的被加工基板，所述被加工基板上至少依序层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜，所述被加工基板上具有导电性无机薄膜来作为表层，其特征在于：在所述被加工基板的被加工面，具有前述有机导电性膜与前述导电性无机薄膜一部分直接接触的区域。由此，提供一种被加工基板，其可有效率地进行去除静电，并且即便进行高电流密度的电子束照射，也可稳定地形成高精度光阻图案。

    平台的控制方法
    5.
    发明授权
    平台的控制方法 有权

    公开(公告)号：CN101692417B

    公开(公告)日：2011-09-14

    申请号：CN200910209041.0

    申请日：2009-03-24

    申请人： 纽富来科技股份有限公司

    发明人： 东矢高尚

    IPC分类号： H01J37/21 ,  H01J37/317

    CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/78 ,  H01J37/21 ,  H01J2237/20235 ,  H01J2237/216 ,  H01J2237/30433

    摘要： 提供一种电子束描绘装置用的平台的控制方法，该平台的控制方法是在背面保持掩膜的情况下，不增大焦点调整机构的焦点高度的调整范围，而能够校正掩膜的高度偏移的影响。在XY平台(3)上避开已固定了标记台(4)的区域来搭载Z平台(5)，在设置在Z平台(5)上的保持机构(6)上载置掩膜(M)。使焦点调整机构的调整范围的中间值与标记台(4)的高度一致。测定标记台(4)的高度，并且测定掩膜(M)的多个测定点的高度，移动Z平台(5)，使这些测定点的高度中的最高值与最低值的中间值的高度与标记台(4)的高度一致。

    光掩模和其制造方法及图形形成方法
    6.
    发明授权
    光掩模和其制造方法及图形形成方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN100590523C

    公开(公告)日：2010-02-17

    申请号：CN03823713.X

    申请日：2003-02-28

    申请人： 富士通微电子株式会社

    发明人： 山本智彦

    IPC分类号： G03F1/08 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F1/78 ,  G03F1/36 ,  G03F1/68

    摘要： 将在掩模数据(2)中用于形成掩模图形的数据(图形数据)(21)作成八边形。在电子束式掩模描绘装置的场合，由于分辨力高，需要具有比例如八边形等更多的顶点的多边形的图形数据。通过使用这样的图形数据，可以得到具有接近于圆形的(近似圆形的)开口部的掩模图形(22)的光掩模(3)。因此，即使是小间距也能形成不发生保护膜的膜损耗或接触孔等的实际图形间的断线等的设备制造上的故障那样的保护膜图形，另外，通过从邻近效应修正排除掩模制造过程的成分，使邻近效应修正简单化，可以容易且正确地形成所期望的极微细的实际图形。

    可避免电荷效应所导致电子束偏移的光罩制作方法
    7.
    发明公开
    可避免电荷效应所导致电子束偏移的光罩制作方法 无效

    公开(公告)号：CN1573558A

    公开(公告)日：2005-02-02

    申请号：CN200410042423.6

    申请日：2004-05-18

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 林政旻

    IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/00

    CPC分类号： G03F1/40 ,  C23C14/048 ,  G03F1/54 ,  G03F1/78

    摘要： 本发明提供了一种可避免电荷效应所导致电子束偏移的光罩制作方法，其步骤包括：提供一光罩，其中此光罩中具有一中央区域及一围绕该中央区域的外围区域；覆盖一阻剂层于中央区域与外围区域上；提供至少一预定图案；以及施行一电子束直写程序，将上述预定图案直写于阻剂层上，并直写于外围区域中一既定面积的阻剂层内，以形成至少一转移后的阻剂图案，且此转移后的阻剂图案覆盖部分上述外围区域，而上述外围区域是紧邻该光罩边缘且距光罩边缘一介于2～4mm的既定距离，且上述直写于外围区域上的既定面积仅占外围区域的整体面积的0～90％，以避免因电荷效应所导致的电子束偏移情形发生。

    掩模的制造方法
    8.
    发明授权
    掩模的制造方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN1135602C

    公开(公告)日：2004-01-21

    申请号：CN99107889.6

    申请日：1999-05-28

    申请人： 恩益禧电子股份有限公司

    发明人： 宫川诚司

    IPC分类号： H01L21/027

    CPC分类号： G03F1/78

    摘要： 光掩模的制造方法，将第二数据的大小乘x产生第三数据。使用来自第一数据的第一连接数据和来自第三数据的第二连接数据合成第一数据和第三数据。检验合成数据中晶体管和布线的组合是否与布局设计所依据的电路匹配。改正有错误的部分。由改正的合成数据的第一数据和第一连接数据产生第一EB绘图图形数据。由改正的合成数据的第三数据和第二连接数据乘1/x产生第二EB绘图图形数据。第二EB绘图图形数据比第一EB绘图图形数据增加x倍。