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公开(公告)号：CN111007695A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910950704.8
申请日：2019-10-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请公开了光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。一种光致抗蚀剂成分包括：共轭抗蚀添加剂；光活性化合物；以及聚合物树脂。所述共轭抗蚀添加剂是选自由以下项构成的组中的一项或多项：聚乙炔、聚噻吩、聚苯撑乙烯、聚芴、聚吡咯、聚苯和聚苯胺。所述聚乙炔、聚噻吩、聚苯乙烯基、聚芴、聚吡咯、聚苯和聚苯胺包括取代基，所述取代基选自由以下项构成的组中：烷基、醚基、酯基、烯基、芳族基、蒽基、醇基、胺基、羧酸基和酰胺基。另一光致抗蚀剂成分包括具有共轭部分的聚合物树脂和光活性化合物。所述共轭部分是选自由以下项构成的组的一项或多项：聚乙炔、聚噻吩、聚苯撑乙烯、聚芴、聚吡咯、聚苯和聚苯胺。
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公开(公告)号：CN110875175B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201910800843.2
申请日：2019-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 本公开中提供一种半导体装置的制造方法，其包括提供基板；于基板上形成底层；于底层上形成中间层，其上表面包括光敏单元，光敏单元具有锚定在该中间层中的第一端以及远离中间层的上表面延伸的第二端；于中间层上形成光刻胶层；将光刻胶层在辐射源中曝光；以及显影光刻胶层以形成图案。光敏单元，包括光酸产生剂、光碱产生剂、光分解淬灭剂、或光分解碱，可通过一个或多个连接基团，锚定至形成中间层的聚合物主链。光敏单元延伸入光刻胶层的距离，可由连接基团的长度来决定。
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公开(公告)号：CN113376960A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110549003.0
申请日：2021-05-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法和图案形成方法。在制造半导体器件的方法中，在要图案化的靶层之上形成金属光致抗蚀剂层，将金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，以及通过将显影剂施加到经选择性曝光的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。金属光致抗蚀剂层是包括两种或更多种金属元素的合金层，并且选择性曝光改变了合金层的相态。
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公开(公告)号：CN110875175A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910800843.2
申请日：2019-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 本公开中提供一种半导体装置的制造方法，其包括提供基板；于基板上形成底层；于底层上形成中间层，其上表面包括光敏单元，光敏单元具有锚定在该中间层中的第一端以及远离中间层的上表面延伸的第二端；于中间层上形成光刻胶层；将光刻胶层在辐射源中曝光；以及显影光刻胶层以形成图案。光敏单元，包括光酸产生剂、光碱产生剂、光分解淬灭剂、或光分解碱，可通过一个或多个连接基团，锚定至形成中间层的聚合物主链。光敏单元延伸入光刻胶层的距离，可由连接基团的长度来决定。
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公开(公告)号：CN117420728A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311239301.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , H01L21/027 , G03F7/004
Abstract: 一种制造半导体装置的方法以及光阻剂组成分，制造半导体装置的方法包括在基板上方形成包括光阻剂组成分的光阻剂层。将光阻剂层选择性地曝光于光化辐射，将选择性曝光的光阻剂层显影，以在光阻剂层中形成图案。光阻剂组成分包括聚合物，聚合物包括具有光裂解促进剂的多个单体单元，其中光裂解促进剂是一或多种选自由活性自由基聚合链转移剂、吸电子基团、庞大的二维(2‑D)或三维(3‑D)有机基团、N‑(酰氧基)邻苯二甲酰亚胺、和电子激发的自由基产生剂所组成的群组。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112447501A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010868498.9
申请日：2020-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种形成图案化光阻层的方法，包括以下步骤：在基板上形成图案化光阻层；形成覆盖图案化光阻层的成型层；在成型层中回流图案化光阻层；以及从回流的图案化光阻层移除成型层。在一些实施例中，成型层具有玻璃转化温度高于或等于图案化光阻层的玻璃转化温度。在又一些实施例中，成型层具有玻璃转化温度比图案化光阻层的玻璃转化温度低3℃至30℃。
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公开(公告)号：CN110828302A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910355749.0
申请日：2019-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 半导体系统与方法提供于此。在一实施例中，成膜方法包括接收基板，配送底材于基板上，以及施加有机金属光致抗蚀剂溶液于基板上的底材上，以形成有机金属光致抗蚀剂层于底材上。底材含水。
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公开(公告)号：CN119596636A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411440012.6
申请日：2024-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种光阻成分以及形成光阻图案和酸可裂解共聚物的方法。光阻成分包括从共聚物的主链或侧臂中的寡聚物所形成的酸可裂解共聚物。各个寡聚物包括酸不稳定基团、具有酸离去取代基的第一共聚单体，以及具有供氢取代基的第二共聚单体或具有极性取代基的第三共聚单体中的至少一者。共聚物也可以包括可逆加成断裂链转移剂。在将光阻成分曝光于辐射后，可以产生酸而裂解共聚物。这样可以改善光阻层的线边缘粗糙度且维持良好的涂布性质。
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公开(公告)号：CN113376960B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202110549003.0
申请日：2021-05-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法和图案形成方法。在制造半导体器件的方法中，在要图案化的靶层之上形成金属光致抗蚀剂层，将金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，以及通过将显影剂施加到经选择性曝光的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。金属光致抗蚀剂层是包括两种或更多种金属元素的合金层，并且选择性曝光改变了合金层的相态。
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公开(公告)号：CN112447501B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202010868498.9
申请日：2020-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种形成图案化光阻层的方法，包括以下步骤：在基板上形成图案化光阻层；形成覆盖图案化光阻层的成型层；在成型层中回流图案化光阻层；以及从回流的图案化光阻层移除成型层。在一些实施例中，成型层具有玻璃转化温度高于或等于图案化光阻层的玻璃转化温度。在又一些实施例中，成型层具有玻璃转化温度比图案化光阻层的玻璃转化温度低3℃至30℃。
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