公开(公告)号：CN111133380B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201880062143.1

申请日：2018-09-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： I.塞沙德里 ,  E.A.德席尔瓦 ,  刘其俊 ,  池澄 ,  郭婧 ,  L.梅里汤普森

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明的实施方案提供了用于捕获胺的体系和方法。这又减轻了光致抗蚀剂中的不期望的浮渣和底脚效应。聚合物刷接枝到氮化硅表面上。所述聚合物刷的官能团和分子量分别提供质子和施加空间位阻以捕获从氮化硅表面扩散的胺。

公开(公告)号：CN113767450A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202080031546.7

申请日：2020-04-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P.约瑟夫 ,  李桃 ,  I.塞沙德里 ,  E.A.德席尔瓦

IPC: H01L21/00

Abstract: 半导体器件和形成半导体器件的方法包括在半导体鳍部周围形成由第一电介质材料形成的第一电介质层，该第一电介质层达到低于半导体鳍部的高度的目标高度。在第一电介质层上沉积第二电介质层，该第二电介质层由第二电介质材料形成。在所述第二电介质层上形成由该第一电介质材料形成的第三电介质层。蚀刻掉该第二电介质层以暴露该半导体鳍部上的间隙。氧化半导体鳍部的在间隙中暴露的部分以形成隔离层。

公开(公告)号：CN111316398A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880072073.8

申请日：2018-11-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E.A.德席尔瓦 ,  A.阿塞奥德拉佩纳 ,  N.费力克斯

IPC: H01L21/265

Abstract: 本文中的本发明包括通过注入非极性疏水性元素来增强非晶硅硬掩模的表面，从而导致非晶硅表面的疏水性增加和抗蚀剂粘附性增加。根据本发明，注入疏水性元素可以包括通过低能量注入和等离子体处理将疏水性元素引入到非晶硅的表面中。注入的疏水性元素可以是硼、氙、氟、磷、其组合或其他疏水性元素。根据本发明，用10-15％的疏水元素增强了非晶硅的表面，但是在其他实施方案中，可以根据需要调节该组成。然而，在任何情况下，本文的发明包括保持非晶硅硬掩模的整体蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN111133380A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880062143.1

申请日：2018-09-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： I.塞沙德里 ,  E.A.德席尔瓦 ,  刘其俊 ,  池澄 ,  郭婧 ,  L.梅里汤普森

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明的实施方案提供了用于捕获胺的体系和方法。这又减轻了光致抗蚀剂中的不期望的浮渣和底脚效应。聚合物刷接枝到氮化硅表面上。所述聚合物刷的官能团和分子量分别提供质子和施加空间位阻以捕获从氮化硅表面扩散的胺。