公开(公告)号：CN111133380B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201880062143.1

申请日：2018-09-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： I.塞沙德里 ,  E.A.德席尔瓦 ,  刘其俊 ,  池澄 ,  郭婧 ,  L.梅里汤普森

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明的实施方案提供了用于捕获胺的体系和方法。这又减轻了光致抗蚀剂中的不期望的浮渣和底脚效应。聚合物刷接枝到氮化硅表面上。所述聚合物刷的官能团和分子量分别提供质子和施加空间位阻以捕获从氮化硅表面扩散的胺。

公开(公告)号：CN113767450A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202080031546.7

申请日：2020-04-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P.约瑟夫 ,  李桃 ,  I.塞沙德里 ,  E.A.德席尔瓦

IPC: H01L21/00

Abstract: 半导体器件和形成半导体器件的方法包括在半导体鳍部周围形成由第一电介质材料形成的第一电介质层，该第一电介质层达到低于半导体鳍部的高度的目标高度。在第一电介质层上沉积第二电介质层，该第二电介质层由第二电介质材料形成。在所述第二电介质层上形成由该第一电介质材料形成的第三电介质层。蚀刻掉该第二电介质层以暴露该半导体鳍部上的间隙。氧化半导体鳍部的在间隙中暴露的部分以形成隔离层。

公开(公告)号：CN111133380A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880062143.1

申请日：2018-09-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： I.塞沙德里 ,  E.A.德席尔瓦 ,  刘其俊 ,  池澄 ,  郭婧 ,  L.梅里汤普森

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明的实施方案提供了用于捕获胺的体系和方法。这又减轻了光致抗蚀剂中的不期望的浮渣和底脚效应。聚合物刷接枝到氮化硅表面上。所述聚合物刷的官能团和分子量分别提供质子和施加空间位阻以捕获从氮化硅表面扩散的胺。