公开(公告)号：CN110546739B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201980001937.1

申请日：2019-01-09

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 三上一辉 ,  内山具朗 ,  阿久津晃

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/351 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J175/04 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

Abstract: 在半导体晶片(1)的磨削后，使半导体晶片晶片(1)固定于静电夹头(9)。接着，在贴合有表面保护带(3)的状态下，在经磨削的半导体晶片(1)的背面(B)形成掩模材料层。接着，从背面(B)侧，对与在图案面(2)适宜形成为格子状等的多个切割道相当的部分照射激光，切断掩模带(11)，将半导体晶片(1)的切割道开口。接着，从背面(B)侧照射SF6等离子体，对在切割道部分露出的半导体晶片(1)进行蚀刻。接着，利用O2等离(1)的表面(S)侧与静电夹头(9)相向，将半导体(56)对比文件CN 107210207 A,2017.09.26CN 107210204 A,2017.09.26CN 103865416 A,2014.06.18CN 107452596 A,2017.12.08

公开(公告)号：CN110546739A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201980001937.1

申请日：2019-01-09

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 三上一辉 ,  内山具朗 ,  阿久津晃

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/351 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J175/04 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

Abstract: 在半导体晶片(1)的磨削后，使半导体晶片(1)的表面(S)侧与静电夹头(9)相向，将半导体晶片(1)固定于静电夹头(9)。接着，在贴合有表面保护带(3)的状态下，在经磨削的半导体晶片(1)的背面(B)形成掩模材料层。接着，从背面(B)侧，对与在图案面(2)适宜形成为格子状等的多个切割道相当的部分照射激光，切断掩模带(11)，将半导体晶片(1)的切割道开口。接着，从背面(B)侧照射SF6等离子体，对在切割道部分露出的半导体晶片(1)进行蚀刻。接着，利用O2等离子体(19)进行灰化。