公开(公告)号：CN106571370A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201510648134.9

申请日：2015-10-08

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 刘新新 ,  何小东

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/13 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明涉及一种基于SOI工艺的介质电容，从底部到顶部顺次包括：底层硅；形成于所述底层硅表面的埋氧化层；形成于所述埋氧化层表面的顶层硅；形成于所述顶层硅表面的层间介质层；顺次形成于所述层间介质层上的下极板、绝缘层和上极板；所述下极板、绝缘层和所述上极板构成所述介质电容的主体部分；所述介质电容还包括：形成于所述顶层硅上用于隔离有源区的浅沟槽隔离结构；形成于所述下极板下方且贯穿所述顶层硅从而与所述埋氧化层相连的深槽隔离结构。上述基于SOI工艺的介质电容能够有效降低介质电容的寄生电容效应。

公开(公告)号：CN103779329B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201210406422.X

申请日：2012-10-23

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 何小东

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/552 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用于MOSFET噪声测试的半导体测试结构，所述半导体测试结构包括：形成在半导体衬底的具有第一导电类型的第一阱区上的MOSFET器件；形成在所述MOSFET器件上方的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层完全覆盖所述MOSFET器件并且延伸超出所述第一阱区的四周；紧邻所述第一阱区的底面形成在所述半导体衬底中的具有第二导电类型的深阱区，所述深阱区延伸超出所述第一阱区的四周；其中在所述金属屏蔽层的超出所述第一阱区的部分与所述深阱区的超出所述第一阱区的部分之间形成有垂直通孔以使所述金属屏蔽层与所述深阱区耦接，所述金属屏蔽层被用于在测试时与测试机台的接地端连接，并且所述第一导电类型与所述第二导电类型为相反的导电类型。

公开(公告)号：CN103779329A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201210406422.X

申请日：2012-10-23

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 何小东

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/552 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用于MOSFET噪声测试的半导体测试结构，所述半导体测试结构包括：形成在半导体衬底的具有第一导电类型的第一阱区上的MOSFET器件；形成在所述MOSFET器件上方的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层完全覆盖所述MOSFET器件并且延伸超出所述第一阱区的四周；紧邻所述第一阱区的底面形成在所述半导体衬底中的具有第二导电类型的深阱区，所述深阱区延伸超出所述第一阱区的四周；其中在所述金属屏蔽层的超出所述第一阱区的部分与所述深阱区的超出所述第一阱区的部分之间形成有垂直通孔以使所述金属屏蔽层与所述深阱区耦接，所述金属屏蔽层被用于在测试时与测试机台的接地端连接，并且所述第一导电类型与所述第二导电类型为相反的导电类型。？

公开(公告)号：CN105095537A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410194101.7

申请日：2014-05-08

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 胡一峰 ,  何小东 ,  刘新新

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5009 ,  G06F17/5036 ,  G06F2217/78 ,  H01L27/0207 ,  Y02E60/76 ,  Y04S40/22

Abstract: 本发明提供一种高压器件的仿真模型和高压器件仿真模型的建模方法。仿真模型包括：核心晶体管；漏端电阻，漏端电阻的第一端电连接到核心晶体管的漏极并且漏端电阻的第二端用作高压器件的漏极；源端电阻，源端电阻的第一端电连接到核心晶体管的源极并且源端电阻的第二端用作高压器件的源极。漏端电阻的电阻值关系式是：RD＝(RD0/W)*(1+CRD*VDERDD+1/(1+PRWDD*VDERDD))*TFAC_RD，TFAC_RD＝(1+TCRD1*(TEMP-25)+TCRD2*(TEMP-25)*(TEMP-25))。仿真模型采用改进的电阻值关系式来修正外接电阻的电阻值，提高了高压器件模型的仿真精度。

公开(公告)号：CN104794318A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410022284.4

申请日：2014-01-17

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 韩晓婷 ,  何小东 ,  李新红 ,  沈丽君

IPC: G06F19/00

Abstract: 本发明公开一种用于建立半导体器件统计模型的数据处理方法，包括如下步骤：测量与所述半导体器件统计模型相关的至少两种半导体器件参数得到相应的至少两组实测数据，所述实测数据满足为达到预设统计标准所需的采集数量要求；生成与所述至少两组实测数据具有相同分布、相同均值、相同偏差以及相同相关系数的相应的至少两组随机数据，所述随机数据的数量为所述实测数据的数量的5%～10%；所述随机数据被用于建立所述半导体器件统计模型。上述方法可以大大减少数据处理所消耗的时间，提高了效率。