公开(公告)号：CN105095537A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410194101.7

申请日：2014-05-08

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 胡一峰 ,  何小东 ,  刘新新

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5009 ,  G06F17/5036 ,  G06F2217/78 ,  H01L27/0207 ,  Y02E60/76 ,  Y04S40/22

Abstract: 本发明提供一种高压器件的仿真模型和高压器件仿真模型的建模方法。仿真模型包括：核心晶体管；漏端电阻，漏端电阻的第一端电连接到核心晶体管的漏极并且漏端电阻的第二端用作高压器件的漏极；源端电阻，源端电阻的第一端电连接到核心晶体管的源极并且源端电阻的第二端用作高压器件的源极。漏端电阻的电阻值关系式是：RD＝(RD0/W)*(1+CRD*VDERDD+1/(1+PRWDD*VDERDD))*TFAC_RD，TFAC_RD＝(1+TCRD1*(TEMP-25)+TCRD2*(TEMP-25)*(TEMP-25))。仿真模型采用改进的电阻值关系式来修正外接电阻的电阻值，提高了高压器件模型的仿真精度。