公开(公告)号：CN105793997A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480066011.8

申请日：2014-01-17

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 约翰·谷内

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/772 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；以及多个器件，位于衬底上，其中该多个器件中的第一器件包括：第一氮化物半导体层，位于衬底上；第二氮化物半导体层，与第一氮化物半导体层一起在衬底与第一氮化物半导体层之间形成第一异质结界面；第三氮化物半导体层，与第二氮化物半导体层一起在衬底与第二氮化物半导体层之间形成第二异质结界面；以及第一接触件，电连接至第一异质结界面和第二异质结界面。

公开(公告)号：CN105993078B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201480065839.1

申请日：2014-01-17

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 约翰·谷内

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/772 ,  H01L27/06

Abstract: 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第二导电型衬底，包括第一第一导电型掺杂层；以及多个器件，在所述第二导电型衬底上，其中所述器件中的第一器件包括：第一氮化物半导体层，在所述第一第一导电型掺杂层上；第二氮化物半导体层，在所述第一导电型掺杂层与所述第一氮化物半导体层之间与所述第一氮化物半导体层共同形成第一异质结界面；第一接触，配置为被电连接到所述第一异质结界面；以及接触连接器，配置为将所述第一接触电连接至所述第一第一导电型掺杂层。

公开(公告)号：CN105793997B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201480066011.8

申请日：2014-01-17

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 约翰·谷内

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/772 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；以及多个器件，位于衬底上，其中该多个器件中的第一器件包括：第一氮化物半导体层，位于衬底上；第二氮化物半导体层，与第一氮化物半导体层一起在衬底与第一氮化物半导体层之间形成第一异质结界面；第三氮化物半导体层，与第二氮化物半导体层一起在衬底与第二氮化物半导体层之间形成第二异质结界面；以及第一接触件，电连接至第一异质结界面和第二异质结界面。

公开(公告)号：CN105993078A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201480065839.1

申请日：2014-01-17

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 约翰·谷内

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/772 ,  H01L27/06

Abstract: 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第二导电型衬底，包括第一第一导电型掺杂层；以及多个器件，在所述第二导电型衬底上，其中所述器件中的第一器件包括：第一氮化物半导体层，在所述第一第一导电型掺杂层上；第二氮化物半导体层，在所述第一导电型掺杂层与所述第一氮化物半导体层之间与所述第一氮化物半导体层共同形成第一异质结界面；第一接触，配置为被电连接到所述第一异质结界面；以及接触连接器，配置为将所述第一接触电连接至所述第一第一导电型掺杂层。