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公开(公告)号：CN105390587A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510710700.4
申请日：2015-10-27
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62 , H01L21/603
CPC分类号： H01L33/48 , H01L24/03 , H01L33/62 , H01L2224/033 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
摘要： 本发明提供一种对LED发光组件进行金属键合的方法，所述LED发光组件包括第一基板、第一金属键合层、第二金属键合层和第二基板；所述方法包括如下步骤：(1)蒸镀第一金属键合层于第一基板上；(2)蒸镀第二金属键合层于第二基板上；(3)将第一金属键合层、第二金属键合层做高温高压键合；所述蒸镀工艺的蒸镀速率为；起镀真空度为3E-06～8E-06torr；蒸镀温度为50～70℃；蒸镀厚度为。本发明利用蒸镀条件的优化将其金属扩散键合制程简化,可达到高键合良率,并且可有效降低键合金属层厚度,达到降低成本效果。
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公开(公告)号：CN104851850A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410128780.8
申请日：2014-02-14
申请人： 飞思卡尔半导体公司
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L24/05 , H01L24/94 , H01L2224/033 , H01L2224/034 , H01L2224/0345 , H01L2224/036 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05564 , H01L2224/131 , H01L2224/94 , H01L2224/03 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： 具有多个管芯的半导体晶圆具有一部分金属化背面。在晶圆切割之后，多个管芯的每个，在其背面，具有由外围无金属化环围绕的金属化区域。该无金属化环允许更容易地对管芯光学检测，以测定任意由晶圆切割造成的背面破损的程度。该外围无金属化环通过不对邻接晶圆的锯通道的区域金属化而生成。
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公开(公告)号：CN108074899A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710057874.4
申请日：2017-01-23
申请人： 艾马克科技公司
CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/03001 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/03618 , H01L2224/0384 , H01L2224/039 , H01L2224/03901 , H01L2224/0391 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/0518 , H01L2224/05184 , H01L2224/0519 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05557 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/056 , H01L2224/05647 , H01L2224/0569 , H01L2224/0579 , H01L2224/058 , H01L2224/11 , H01L2224/11462 , H01L2224/11614 , H01L2224/13026 , H01L2224/131 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/01074 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/034 , H01L2224/0361 , H01L21/78 , H01L2924/014 , H01L2224/033 , H01L2924/0665 , H01L2224/03 , H01L23/49 , H01L24/10 , H01L24/26 , H01L24/27
摘要： 电子装置和其制造方法。一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供一种制造半导体装置的方法，其包括通过至少部分地执行横向镀覆处理形成互连结构，并且提供一种通过这种方法制造的半导体装置。
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公开(公告)号：CN105453109A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480045669.0
申请日：2014-08-22
申请人： 指纹卡有限公司
IPC分类号： G06K9/00 , H01L23/31 , H01L21/304 , H01L21/56
CPC分类号： G06K9/0002 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/033 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/035 , H01L2224/04042 , H01L2224/05022 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/06179 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/49175 , H01L2224/85186 , H01L2924/00014 , H01L2924/10155 , H01L2924/10157 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
摘要： 一种指纹感测装置，包括：感测电路，该感测电路包括多个感测元件，每个感测元件包括被布置在感测平面中并面向电容式指纹感测装置的表面的感测结构，感测元件中的每个感测元件被配置成提供指示感测结构与放置在指纹感测装置的表面上的手指之间的电磁耦合的信号；以及多个连接垫，多个连接垫电连接至感测电路，以提供感测电路与读出电路之间的电连接，其中，连接垫中的每个连接垫相对于感测平面单独地凹陷，以使得每个连接垫在底部平面中具有底部，以及其中，每个连接垫通过感测装置的相对于底部平面升高的部分与相邻的连接垫分隔开。
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公开(公告)号：CN105453109B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201480045669.0
申请日：2014-08-22
申请人： 指纹卡有限公司
IPC分类号： G06K9/00 , H01L23/31 , H01L21/304 , H01L21/56
CPC分类号： G06K9/0002 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/033 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/035 , H01L2224/04042 , H01L2224/05022 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/06179 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/49175 , H01L2224/85186 , H01L2924/00014 , H01L2924/10155 , H01L2924/10157 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
摘要： 一种指纹感测装置，包括：感测电路，该感测电路包括多个感测元件，每个感测元件包括被布置在感测平面中并面向电容式指纹感测装置的表面的感测结构，感测元件中的每个感测元件被配置成提供指示感测结构与放置在指纹感测装置的表面上的手指之间的电磁耦合的信号；以及多个连接垫，多个连接垫电连接至感测电路，以提供感测电路与读出电路之间的电连接，其中，连接垫中的每个连接垫相对于感测平面单独地凹陷，以使得每个连接垫在底部平面中具有底部，以及其中，每个连接垫通过感测装置的相对于底部平面升高的部分与相邻的连接垫分隔开。
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公开(公告)号：CN105679730A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510884600.3
申请日：2015-12-03
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/08 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/023 , H01L2224/02317 , H01L2224/024 , H01L2224/033 , H01L2224/05166 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/4807 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/49431 , H01L2224/85345 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/20753 , H01L2224/45157 , H01L2924/00 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331
摘要： 提供一种提高半导体器件的集成度的半导体器件及其制造方法。半导体器件(1A)包括：形成于半导体衬底(1P)上的多个Al布线层(5、7、9)；形成于多个Al布线层的最上层的焊盘电极(9a)；在焊盘电极上具有焊盘开口(10a)的基底绝缘膜(10)；再布线，其与焊盘电极电连接，并在基底绝缘膜上延伸。而且，半导体器件包括：保护膜(12)，其覆盖再布线(RM)的上表面，并具有使再布线的上表面的一部分露出的外部焊盘开口(12a)；外部焊盘电极(13)，其在外部焊盘开口处与再布线电连接，并在保护膜上延伸；以及与外部焊盘电极连接的导线(27)。并且，外部焊盘电极的一部分位于再布线的外侧区域。
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公开(公告)号：CN105355570A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510617597.9
申请日：2015-07-28
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/0345 , H01L2224/03614 , H01L2224/0381 , H01L2224/03901 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05567 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/0603 , H01L2224/06102 , H01L2224/06505 , H01L2224/13111 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/73207 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/01074 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/033 , H01L2224/065
摘要： 本发明涉及半导体芯片及形成芯片焊盘的方法。公开了一种具有不同芯片焊盘的半导体芯片以及形成具有不同芯片焊盘的半导体芯片的方法。在一些实施例中，该方法包括在芯片正面上方沉积阻挡层，在沉积阻挡层之后沉积铜层，以及去除位于第一芯片焊盘区域之外的铜层的部分，其中在第一芯片焊盘区域内的铜层的剩余部分形成该芯片焊盘的表面层。该方法还包括去除位于第一芯片焊盘区域之外的阻挡层的部分。
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公开(公告)号：CN104903998A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380069778.1
申请日：2013-01-09
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01L24/09 , H01L21/563 , H01L21/78 , H01L23/5382 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2224/033 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0383 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/0901 , H01L2224/0905 , H01L2224/091 , H01L2224/095 , H01L2224/1145 , H01L2224/13012 , H01L2224/13016 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1411 , H01L2224/14181 , H01L2224/17107 , H01L2224/2745 , H01L2224/29078 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/30181 , H01L2224/32245 , H01L2224/32501 , H01L2224/33181 , H01L2224/73103 , H01L2224/73204 , H01L2224/75301 , H01L2224/75755 , H01L2224/75756 , H01L2224/83121 , H01L2224/83203 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2224/94 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2224/27 , H01L2924/00
摘要： 为了兼顾具有半导体芯片(1)经由接合部件(2a、2b)而与导电部件(3a、3b)电连接的安装构造的半导体装置的热阻的降低与热变形吸收性的提高，接合部件(2a、2b)具有从与半导体芯片(1)接近的一侧起依次具备由具有纳米级尺寸的多个弹簧构成的纳米弹簧层(4)、支撑上述多个弹簧的平面层(5)以及接合层(6)的层叠构造，纳米弹簧层(4)的厚度大于接合层(6)的厚度，接合层(6)的厚度大于平面层(5)的厚度。
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公开(公告)号：CN205177838U
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201520996498.1
申请日：2015-12-03
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L25/10 , H01L25/11 , H01L23/528
CPC分类号： H01L24/08 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/023 , H01L2224/02317 , H01L2224/024 , H01L2224/033 , H01L2224/05166 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/4807 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/49431 , H01L2224/85345 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/20753 , H01L2224/45157 , H01L2924/00
摘要： 提供一种提高半导体器件的集成度的半导体器件。半导体器件(1A)包括：形成于半导体衬底(1P)上的多个Al布线层(5、7、9)；形成于多个Al布线层的最上层的焊盘电极(9a)；在焊盘电极上具有焊盘开口(10a)的基底绝缘膜(10)；再布线，其与焊盘电极电连接，并在基底绝缘膜上延伸。而且，半导体器件包括：保护膜(12)，其覆盖再布线(RM)的上表面，并具有使再布线的上表面的一部分露出的外部焊盘开口(12a)；外部焊盘电极(13)，其在外部焊盘开口处与再布线电连接，并在保护膜上延伸；以及与外部焊盘电极连接的导线(27)。并且，外部焊盘电极的一部分位于再布线的外侧区域。
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