Invention Publication
- Patent Title: 半导体装置、半导体装置的制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
-
Application No.: CN201280075614.5Application Date: 2012-09-04
-
Publication No.: CN104603921APublication Date: 2015-05-06
- Inventor: 中田洋辅 , 多留谷政良
- Applicant: 三菱电机株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 三菱电机株式会社
- Current Assignee: 三菱电机株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- Agent 何立波; 张天舒
- International Application: PCT/JP2012/072476 2012.09.04
- International Announcement: WO2014/037996 JA 2014.03.13
- Date entered country: 2015-03-04
- Main IPC: H01L21/60
- IPC: H01L21/60
Abstract:
本申请的发明所涉及的半导体装置，其特征在于，具有：半导体元件；表面电极，其形成在该半导体元件的表面；金属膜，其形成在该表面电极上，具有接合部、以及以与该接合部接触并且包围该接合部的方式形成的应力缓和部；焊料，其避开该应力缓和部而与该接合部接合；以及外部电极，其经由该焊料而与该接合部接合。
Public/Granted literature
- CN104603921B 半导体装置、半导体装置的制造方法 Public/Granted day:2018-07-24
Information query
IPC分类:
