公开(公告)号：CN108886020B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201780018518.X

申请日：2017-02-08

申请人： 株式会社索思未来

发明人： 广濑雅庸 ,  中村敏宏

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04

摘要： 对半导体集成电路提供如下结构，即：能够在不增加电路面积的情况下，充分地确保对I/O单元的供电能力和ESD保护能力。设置在I/O单元列(10A、10B)内的列内电源布线(21a～21d)经由电源布线(25a～25d)与设置在I/O单元列(10A、10B)之间的电源布线(23)连接。电源布线(23)的厚度比列内电源布线(21a～21d)的厚度大。

公开(公告)号：CN109643653A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780049619.3

申请日：2017-07-07

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 铃木裕弥 ,  冈部博明

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/32051 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5329 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/4911

摘要： 本发明的目的在于抑制Cu晶粒的生长所致的层间绝缘膜的裂纹。半导体装置(101)具备：源极区域(5)；层间绝缘膜(7)，在源极区域(5)上具有开口部地形成，包括氧化硅；Cu电极(1)，经由层间绝缘膜(7)的开口部与源极区域(5)电连接，其端部位于所述层间绝缘膜(7)的端部的内侧的所述层间绝缘膜(7)上；以及应力缓和层(13)，形成于Cu电极(1)与层间绝缘膜(7)之间，包括断裂韧性值比层间绝缘膜(7)大的材料，从Cu电极(1)的端部的内侧设置至外侧。

公开(公告)号：CN107851667A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680032544.3

申请日：2016-06-02

申请人： 夏普株式会社

发明人： 宫本忠芳 ,  中野文树

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H04N21/435 ,  H04N21/439 ,  H04N21/44 ,  H04N21/462 ,  H04N21/4884 ,  H04N21/8456

摘要： 使有源矩阵基板的配线的阻抗变小。一种有源矩阵基板，包含:基板31；配置于基板31，沿第一方向延伸的多数个的第一配线也就是栅极线；配置于基板31，沿与所述第一方向相异的第二方向延伸的多数个的第二配线也就是源极线Si；对应栅极线与源极线的各交点配置，与栅极线以及源极线连接的晶体管2；以及绝缘层；所述栅极线以及源极线的至少一方为，经由所述绝缘层的接触孔连接所述晶体管的电极，且与经由所述绝缘层的接触孔连接的所述晶体管的电极相比，透过厚的膜厚以及小的阻抗率的材料的至少一个的方式形成。

公开(公告)号：CN107851583A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680045783.2

申请日：2016-07-25

申请人： 日立汽车系统株式会社

发明人： 池谷克己 ,  大岛隆文

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L23/5228 ,  H01F7/064 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

摘要： 存在无法在二维扩展地配置的晶体管的整个区域中使电流密度均匀的缺点。在并列地配置有多个具有漏极、源极和栅极的晶体管(1)的晶体管层之上，并排设置有连接各晶体管(1)的漏极的作为输入侧布线层的金属布线层(10)以及连接各晶体管的源极的作为输出侧布线层的金属布线层(11)。还具备多个通孔(2、3)，该多个通孔(2、3)将作为输入侧布线层的金属布线层(10)与各晶体管的漏极连接，并且将作为输出侧布线层的金属布线层(11)与各晶体管的源极连接。而且，使多个通孔(2、3)的电阻值沿着输入侧布线层以及输出侧布线层的排列方向改变。由此，能够使二维扩展地配置的晶体管的电流密度均匀。

公开(公告)号：CN107611126A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710541978.2

申请日：2017-07-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金大益 ,  金奉秀 ,  朴济民 ,  黄有商

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10814 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53261 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/0649

摘要： 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；位线结构，位于基底上；第一接触结构，位于位线结构的侧壁上；第二接触结构，位于位线结构上并且跨过位线结构与第一接触结构分隔开；以及绝缘图案，位于位线结构与第一接触结构之间。第二接触结构覆盖位线结构的顶表面的至少一部分。绝缘图案包括从绝缘图案的与位线结构直接相邻的侧壁突出的突起。突起沿与基底的顶表面平行的第一方向突出。

公开(公告)号：CN105483619B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201610053369.8

申请日：2016-01-26

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 钱国平 ,  井杨坤 ,  吴成业 ,  王备 ,  季雨

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC分类号： C23C4/134 ,  C23C2/06 ,  C23C2/28 ,  C23C2/40 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3421 ,  C23C28/00 ,  C23C28/021 ,  C23C28/023 ,  H01L21/3205 ,  H01L33/02 ,  H01L2221/1068 ,  H01L2924/00014

摘要： 移动靶镀膜装置，包括靶源、靶源承载部、用于检测靶源表面温度的红外温度探测部、用于加热靶源的红外加热部、控制部；靶源承载部承载靶源并可驱动靶源在三维方向自由移动；红外温度探测部和红外加热部与控制部信号连接，控制部接收红外温度探测部的探测信号，判断靶源表面温度是否均匀，当控制部判断靶源表面某部分温度低于其他部分的温度且温度差值超过设定值时，则控制红外加热部加热温度较低的部分靶源表面，至靶源表面温度均匀时停止加热。

公开(公告)号：CN107408508A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680019440.9

申请日：2016-03-31

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 细川畅郎 ,  井上直 ,  柴山胜己

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L27/14687 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L24/00 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/103 ,  H01L31/107 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/351

摘要： 半导体装置的制造方法包含：第1工序，其在半导体基板(2)的第1表面(2a)设置第1配线(3)；第2工序，其在第1表面(2a)安装光透过基板(5)；第3工序，其以半导体基板(2)的厚度小于光透过基板(5)的厚度的方式将半导体基板(2)薄型化；第4工序，其在半导体基板(2)形成贯通孔(7)；第5工序，其通过使用第1树脂材料来实施浸渍涂布法而设置树脂绝缘层(10)；第6工序，其在树脂绝缘层(10)形成接触孔(16)；及第7工序，其在树脂绝缘层(10)的表面(10b)设置第2配线(8)，且在接触孔(16)中将第1配线(3)与第2配线(8)电连接。

公开(公告)号：CN106356340A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610539838.7

申请日：2016-07-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林俊成 ,  余振华 ,  蔡柏豪

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226

摘要： 本发明提供了半导体器件及其制造方法。使用集成扇出型堆叠封装架构以及参考通孔以提供延伸穿过InFO-POP架构的参考电压。如果需要，可以露出参考通孔，然后连接至可用于屏蔽InFO-POP架构的屏蔽涂层。可以通过使用一个或多个分割工艺露出参考通孔的顶面或侧壁来露出参考通孔。

公开(公告)号：CN106298668A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510323067.3

申请日：2015-06-12

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 纪世良 ,  韩秋华 ,  张海洋

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32136

摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制作方法和电子装置，提供具PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底，PMOS区域包括第一虚拟栅极，NMOS区域包括第二虚拟栅极，在半导体衬底上还形成有层间介电层；在半导体衬底上沉积形成SiO2层；去除第一虚拟栅极以形成沟槽；在沟槽中和SiO2层上沉积形成功函数金属层；执行平坦化工艺；在半导体衬底上形成图案化的硬掩膜层；根据图案化的硬掩膜层蚀刻去除第二虚拟栅极，其中，蚀刻包括主蚀刻和终点蚀刻，蚀刻采用的蚀刻气体包括NF3和H2；执行蚀刻后处理工艺。该方法避免了层间介电层的损伤和凝聚缺陷的发生，提高了器件的一致性和确保了器件的稳定性，最终提高了器件的性能和良品率。

公开(公告)号：CN106024761A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610362478.8

申请日：2016-05-26

申请人： 中山港科半导体科技有限公司

发明人： 伊夫蒂哈尔艾哈迈德 ,  舒小平 ,  徐远梅

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L23/532 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/53204

摘要： 一种功率半导体芯片背面金属结构及其制备方法，本发明属于半导体芯片的结构和制造技术，为降低芯片背面常用的钛/镍/银结构的寄生电阻，本发明提供一种寄生电阻更小的功率半导体芯片的背面金属结构，以及该金属结构的制造方法：所述的金属结构自芯片背面与硅接触的位置开始依次为：NixSiy层，所述的NixSiy的厚度为2nm‑20nm，其中x:y为(1‑2):(1‑2)；钛层，所述的钛层的厚度为50nm‑150nm；镍层，所述的镍层的厚度为100nm‑300nm；银层，所述的银层的厚度为500nm‑2000nm。本发明的有益效果在于，本发明提供的功率半导体芯片的背面金属结构，其寄生电阻更小，有利于降低功率半导体芯片的导通损耗。