-
公开(公告)号：CN108886020A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780018518.X
申请日：2017-02-08
申请人： 株式会社索思未来
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/82 , H01L23/522 , H01L27/04
CPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L23/522 , H01L27/04
摘要： 对半导体集成电路提供如下结构，即：能够在不增加电路面积的情况下，充分地确保对I/O单元的供电能力和ESD保护能力。设置在I/O单元列(10A、10B)内的列内电源布线(21a～21d)经由电源布线(25a～25d)与设置在I/O单元列(10A、10B)之间的电源布线(23)连接。电源布线(23)的厚度比列内电源布线(21a～21d)的厚度大。
-
公开(公告)号：CN108886020B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201780018518.X
申请日：2017-02-08
申请人： 株式会社索思未来
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/82 , H01L23/522 , H01L27/04
CPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L23/522 , H01L27/04
摘要： 对半导体集成电路提供如下结构，即：能够在不增加电路面积的情况下，充分地确保对I/O单元的供电能力和ESD保护能力。设置在I/O单元列(10A、10B)内的列内电源布线(21a～21d)经由电源布线(25a～25d)与设置在I/O单元列(10A、10B)之间的电源布线(23)连接。电源布线(23)的厚度比列内电源布线(21a～21d)的厚度大。
-
公开(公告)号：CN112868094A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201880098738.2
申请日：2018-10-19
申请人： 株式会社索思未来
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/82 , H01L27/04
摘要： 半导体芯片(1)具备：由在X方向上排列配置的I/O单元(10)构成的第1单元列(5)；和由在X方向上排列配置的I/O单元(10)构成且在Y方向上与第1单元列(5)空出给定的间隔配置的第2单元列(6)。多个外部连接焊盘(12)包含：各自与任一个I/O单元(10)连接的焊盘(12)；和与哪一个I/O单元(10)都不连接且与电源供给用的焊盘(12)连接的增强电源焊盘(14)。增强电源焊盘(14)配置成位于第1单元列(5)与第2单元列(6)之间的区域。
-
公开(公告)号：CN112868094B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201880098738.2
申请日：2018-10-19
申请人： 株式会社索思未来
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/82 , H01L27/04
摘要： 半导体芯片(1)具备：由在X方向上排列配置的I/O单元(10)构成的第1单元列(5)；和由在X方向上排列配置的I/O单元(10)构成且在Y方向上与第1单元列(5)空出给定的间隔配置的第2单元列(6)。多个外部连接焊盘(12)包含：各自与任一个I/O单元(10)连接的焊盘(12)；和与哪一个I/O单元(10)都不连接且与电源供给用的焊盘(12)连接的增强电源焊盘(14)。增强电源焊盘(14)配置成位于第1单元列(5)与第2单元列(6)之间的区域。
-
公开(公告)号：CN117397029A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202180098702.6
申请日：2021-06-03
申请人： 株式会社索思未来
发明人： 中村敏宏
IPC分类号： H01L27/04
摘要： 在半导体集成电路装置(100)中，第一电源布线(41、42)在IO区域(3)沿X方向延伸且形成于第一布线层。第二电源布线(21)在核心区域(2)沿X方向延伸。第三电源布线(61)沿Y方向延伸且形成于第二布线层，并与第一电源布线(41、42)及第二电源布线(21)连接，第二布线层位于比第一布线层靠下的下层。在俯视时，第三电源布线(61)与外部连接焊盘(50)重叠，第三电源布线(61)在X方向上布置在连接布线(55)彼此之间。
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.023 秒)
