Invention Publication
CN117397029A 半导体集成电路装置
审中-实审
- Patent Title: 半导体集成电路装置
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Application No.: CN202180098702.6Application Date: 2021-06-03
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Publication No.: CN117397029APublication Date: 2024-01-12
- Inventor: 中村敏宏
- Applicant: 株式会社索思未来
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 株式会社索思未来
- Current Assignee: 株式会社索思未来
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 王亚爱
- International Application: PCT/JP2021/021260 2021.06.03
- International Announcement: WO2022/254676 JA 2022.12.08
- Date entered country: 2023-11-27
- Main IPC: H01L27/04
- IPC: H01L27/04

Abstract:
在半导体集成电路装置(100)中,第一电源布线(41、42)在IO区域(3)沿X方向延伸且形成于第一布线层。第二电源布线(21)在核心区域(2)沿X方向延伸。第三电源布线(61)沿Y方向延伸且形成于第二布线层,并与第一电源布线(41、42)及第二电源布线(21)连接,第二布线层位于比第一布线层靠下的下层。在俯视时,第三电源布线(61)与外部连接焊盘(50)重叠,第三电源布线(61)在X方向上布置在连接布线(55)彼此之间。
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IPC分类: