-
公开(公告)号：CN117355131A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310586220.6
申请日：2023-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；与所述衬底垂直地间隔开的第一支撑体图案和第二支撑体图案，所述第二支撑体图案与所述第一支撑体图案垂直地间隔开；下电极孔，在所述衬底上垂直地延伸；下电极，位于所述下电极孔内部，接触所述第一支撑体图案和所述第二支撑体图案的侧壁，所述下电极包括第一层、第二层和第三层，所述第一层沿着所述下电极孔的侧壁的一部分和底表面设置，所述第二层位于所述第一层之间，所述第三层位于所述第一层的上表面和所述第二层的上表面上，所述第一层和所述第三层包括与所述第二层不同的材料，并且所述第三层的至少一部分的侧壁朝向所述第三层凹入，在所述垂直方向上与所述第二层交叠，并且在所述垂直方向上与所述第二层间隔开。
-
公开(公告)号：CN103855110B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201310627548.4
申请日：2013-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/38 , H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H04N5/378 , H01L2924/0002 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了种包括像素和读出电路的图像传感器。所述像素包括具有热电结的热电元件,所述读出电路被配置为控制所述像素,使得所述热电元件执行热电冷却操作和光电转换操作。
-
公开(公告)号：CN1747063A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510089338.X
申请日：2005-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C7/00
CPC classification number: G11C7/065 , G11C11/406 , G11C11/4091 , G11C2211/4065
Abstract: 半导体存储器及检测其位线的方法。该半导体存储器包括一第一存储单元，其连接在一通过一第一地址存取的第一字线与一反相位线之间；一第二存储单元，其连接在一通过一第二地址存取的第二字线与一位线之间；一第一型检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，如果在一第一启动信号上施加一第一电压，使一第一型第一MOS晶体管检测该反相位线及一第一型第二MOS晶体管检测该位线、一第二型第一检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第一MOS晶体管的检测能力比第二型第二MOS晶体管好；以及一第二型第二检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第四MOS晶体管的检测能力比第二型第三MOS晶体管好。
-
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068498A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110842247.8
申请日：2021-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64 , H01L27/108
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一支撑图案和第二支撑图案，在第一方向上依次堆叠在衬底上并与衬底的上表面间隔开；下电极孔，在衬底上沿第一方向延伸穿过第一支撑图案和第二支撑图案；界面膜，在下电极孔的侧壁和底表面上；下电极，在下电极孔的内部在界面膜上；电容器电介质膜，与界面膜的侧壁、界面膜的最上表面和下电极的最上表面物理接触，界面膜的最上表面形成在与第二支撑图案的上表面相同的平面上。
-
公开(公告)号：CN111599811A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201911010135.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L49/02 , H01L21/8242
Abstract: 提供了集成电路器件及其制造方法。所述集成电路器件包括：导电区域，所述导电区域位于衬底上；和下电极结构，所述下电极结构包括与所述导电区域间隔开的主电极部分以及位于所述主电极部分与所述导电区域之间的桥电极部分。介电层与所述主电极部分的外侧壁接触。为了制造所述集成电路器件，在所述衬底上的模制图案的孔中形成初步桥电极层，以及在所述孔中的所述初步桥电极层上形成所述主电极部分。去除所述模制图案以暴露所述初步桥电极层的侧壁，以及去除所述初步桥电极层的一部分以形成所述桥电极部分。形成与所述主电极部分的所述外侧壁接触的所述介电层。
-
公开(公告)号：CN107578995A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710533807.5
申请日：2017-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/67 , H01L21/8242
Abstract: 一种制造半导体装置的方法及半导体装置制造设备。制造半导体装置的方法包含将抑制气体、源气体、反应气体及包含惰性气体的吹扫气体馈送至安置有衬底的处理腔室中。所述抑制气体抑制所述源气体物理吸附至所述衬底上。由此在所述衬底上形成薄膜。根据本发明的制造半导体装置的方法的实例可以在衬底上形成具有基本上均一的厚度的保形薄膜。
-
公开(公告)号：CN1747063B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200510089338.X
申请日：2005-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C7/00
CPC classification number: G11C7/065 , G11C11/406 , G11C11/4091 , G11C2211/4065
Abstract: 半导体存储器，包括第一存储单元，连接在通过第一地址存取的第一字线与反相位线之间；第二存储单元，连接在通过第二地址存取的第二字线与位线之间；第一型检测放大器，串接在该位线与该反相位线之间，如果在第一启动信号上施加第一电压，使第一型第一MOS晶体管检测该反相位线及第一型第二MOS晶体管检测该位线、第二型第一检测放大器，串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第一MOS晶体管的检测能力比第二型第二MOS晶体管好；以及第二型第二检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第四MOS晶体管的检测能力比第二型第三MOS晶体管好。本发明可通过延长刷新周期，降低刷新操作的电源消耗。
-
公开(公告)号：CN100524697C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510118196.5
申请日：2005-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/00 , H01L27/108 , H01L27/102 , H01L27/10 , H01L27/00 , H01L29/92
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/75
Abstract: 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.034 seconds)
