公开(公告)号：CN100524697C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200510118196.5

申请日：2005-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洛焕 ,  曹永周 ,  金晟泰 ,  朴仁善 ,  李铉德 ,  李炫锡 ,  郑正喜 ,  金玄永 ,  林炫锡

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。

公开(公告)号：CN102082079A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010537446.X

申请日：2005-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在亨 ,  郑正喜 ,  金晟泰 ,  柳次英 ,  金基哲 ,  吴世勋 ,  崔正植

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L21/31122

Abstract: 本发明公开了形成电容器及其介质层的方法及其形成的电容器。本发明的一种方法在金属-绝缘体-金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。

公开(公告)号：CN1722379B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200510078339.4

申请日：2005-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在亨 ,  郑正喜 ,  金晟泰 ,  柳次英 ,  金基哲 ,  吴世勋 ,  崔正植

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L29/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/31122

Abstract: 在金属-绝缘体-金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。

公开(公告)号：CN1790675A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510118196.5

申请日：2005-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洛焕 ,  曹永周 ,  金晟泰 ,  朴仁善 ,  李铉德 ,  李炫锡 ,  郑正喜 ,  金玄永 ,  林炫锡

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。

公开(公告)号：CN1722379A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510078339.4

申请日：2005-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在亨 ,  郑正喜 ,  金晟泰 ,  柳次英 ,  金基哲 ,  吴世勋 ,  崔正植

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L29/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/31122

Abstract: 在金属－绝缘体－金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。