公开(公告)号：CN1722379B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200510078339.4

申请日：2005-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在亨 ,  郑正喜 ,  金晟泰 ,  柳次英 ,  金基哲 ,  吴世勋 ,  崔正植

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L29/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/31122

Abstract: 在金属-绝缘体-金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。

公开(公告)号：CN116798908A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202211683237.5

申请日：2022-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴西螺 ,  崔正植

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供生产半导体制造系统的方法。所述方法可包括：准备第一真空管；准备第二真空管；通过第一真空管将第一处理室连接到第一泵；以及通过第二真空管将与第一处理室间隔开的第二处理室连接到第二泵。准备第一真空管的步骤可包括：连接多个第一单元管以形成第一真空管；并且计算作为第一真空管的总流导的第一流导。准备第二真空管的步骤可包括：通过连接多个第二单元管来形成第二真空管，使得作为第二真空管的总流导的第二流导等于第一流导。

公开(公告)号：CN102082079A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010537446.X

申请日：2005-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在亨 ,  郑正喜 ,  金晟泰 ,  柳次英 ,  金基哲 ,  吴世勋 ,  崔正植

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L21/31122

Abstract: 本发明公开了形成电容器及其介质层的方法及其形成的电容器。本发明的一种方法在金属-绝缘体-金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。

公开(公告)号：CN1722379A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510078339.4

申请日：2005-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在亨 ,  郑正喜 ,  金晟泰 ,  柳次英 ,  金基哲 ,  吴世勋 ,  崔正植

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L29/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/31122

Abstract: 在金属－绝缘体－金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。