具有高选择性的磁致电阻随机存取存储器

    公开(公告)号:CN100456385C

    公开(公告)日:2009-01-28

    申请号:CN200410003614.1

    申请日:2004-01-07

    Inventor: 李炅珍 朴玩濬

    CPC classification number: B82Y25/00 H01F10/324

    Abstract: 提供一种磁致电阻随机存取存储器。该磁致电阻随机存取存储器包括一个磁化矢量方向为固定的第一磁性层,一个在位置上与第一磁性层平行、一个磁化矢量方向可以被反转的第二磁性层,插入第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性层,该第二磁性层的纵横比为2或更小,厚度为5nm或更小,饱和磁化强度为800emu/cm3或更小。磁致电阻随机存取存储器具有无转折点、磁致电阻的特性,因而表现了无需考虑处理能力的高选择性。

    磁随机存取存储器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1276435C

    公开(公告)日:2006-09-20

    申请号:CN02128682.5

    申请日:2002-08-12

    Abstract: 本发明公开了一种磁随机存取存储器及其制造方法。该利用磁畴阻滞的磁随机存取存储器包括:数据存储单元,该单元包括固定层、非磁性层和自由层;数据输入单元,该单元与该自由层的两端电连接,用于将电流施加到该自由层上,以将数据输入至数据存储单元内;以及数据输出单元,该单元与自由层和固定层电连接,以将存储在数据存储单元中的数据输出。因此,该磁随机存取存储器具有比使用反转磁场来记录数据的存储器更优秀的性能。

    MRAM及其制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1551228A

    公开(公告)日:2004-12-01

    申请号:CN200410007425.1

    申请日:2004-01-18

    CPC classification number: H01L27/228 B82Y10/00 G11C11/15 G11C15/02

    Abstract: 提供一种MRAM及其制造方法。MRAM包括半导体基板、形成在半导体基板上的晶体管、在半导体基板上形成以便覆盖晶体管的层间介电层、和在层间介电层中形成与晶体管的漏区并联连接的第一MTJ单元和第二MTJ单元。第一MTJ单元连接到在层间介电层中形成的第一位线,第二MTJ单元连接到在层间介电层中形成的第二位线。在第一MTJ单元和晶体管栅电极间形成数据线以便垂直于第一位线和第二位线。本发明的MRAM不但具有与单一单元结构的MRAM同样高的集成密度,而且能够具有充分的感应裕度,高速的操作,和减小的噪音。

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