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公开(公告)号：CN100573897C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610092400.5
申请日：2006-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C23/00 , G11C2213/16 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/842
Abstract: 本发明公开了一种纳米弹性存储装置及其制造方法。所述纳米弹性存储装置包括：基底；布置在所述基底上的多个下电极；支承单元，在具有暴露所述下电极的空腔的基底上以预定厚度由绝缘材料形成；纳米弹性体，在所述空腔中从所述下电极的表面竖直延伸；和多个上电极，形成于所述支承单元上，并且在所述纳米弹性体上面与所述下电极垂直交叉。使用纳米弹性存储装置可以在比使用多个带型纳米管的传统存储装置低的驱动电压下运行，存储单元不相互影响，可靠性更高，集成度更高。
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公开(公告)号：CN100456385C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200410003614.1
申请日：2004-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , H01F10/324
Abstract: 提供一种磁致电阻随机存取存储器。该磁致电阻随机存取存储器包括一个磁化矢量方向为固定的第一磁性层，一个在位置上与第一磁性层平行、一个磁化矢量方向可以被反转的第二磁性层，插入第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性层，该第二磁性层的纵横比为2或更小，厚度为5nm或更小，饱和磁化强度为800emu/cm3或更小。磁致电阻随机存取存储器具有无转折点、磁致电阻的特性，因而表现了无需考虑处理能力的高选择性。
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公开(公告)号：CN100438035C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410043078.8
申请日：2004-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F41/307 , H01L27/228
Abstract: 提供一种包含由不同的方法形成的中间氧化层的磁性随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。MRAM包含由一下磁性层，一防氧化层，一隧穿氧化层，及一上磁性层形成的一磁性隧道结(MTJ)。隧穿氧化层由原子层淀积(ALD)法形成，其它材料层，尤其是防氧化层由与原子层淀积法不同的方法形成。
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公开(公告)号：CN1276435C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN02128682.5
申请日：2002-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15 , H01L27/105
Abstract: 本发明公开了一种磁随机存取存储器及其制造方法。该利用磁畴阻滞的磁随机存取存储器包括：数据存储单元，该单元包括固定层、非磁性层和自由层；数据输入单元，该单元与该自由层的两端电连接，用于将电流施加到该自由层上，以将数据输入至数据存储单元内；以及数据输出单元，该单元与自由层和固定层电连接，以将存储在数据存储单元中的数据输出。因此，该磁随机存取存储器具有比使用反转磁场来记录数据的存储器更优秀的性能。
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公开(公告)号：CN1644493A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410081780.3
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B2202/22 , C01P2006/40 , Y10S977/745 , Y10S977/748 , Y10S977/75 , Y10S977/789
Abstract: 本发明提供了一种半导电碳纳米管的分离方法，它包括：将碳纳米管与硝酸和硫酸的混合酸溶液混合，获得碳纳米管分散体；对碳纳米管分散体进行搅拌；对碳纳米管分散体进行过滤；以及加热过滤后的碳纳米管，以除掉官能团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1551228A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410007425.1
申请日：2004-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15 , H01L43/00 , H01L27/105
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C15/02
Abstract: 提供一种MRAM及其制造方法。MRAM包括半导体基板、形成在半导体基板上的晶体管、在半导体基板上形成以便覆盖晶体管的层间介电层、和在层间介电层中形成与晶体管的漏区并联连接的第一MTJ单元和第二MTJ单元。第一MTJ单元连接到在层间介电层中形成的第一位线，第二MTJ单元连接到在层间介电层中形成的第二位线。在第一MTJ单元和晶体管栅电极间形成数据线以便垂直于第一位线和第二位线。本发明的MRAM不但具有与单一单元结构的MRAM同样高的集成密度，而且能够具有充分的感应裕度，高速的操作，和减小的噪音。
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公开(公告)号：CN1422977A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02128681.7
申请日：2002-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用共溅射法沉积赫斯勒合金薄膜的方法。通过利用一沉积装置的共溅射,该赫斯勒合金薄膜具有通常的结构式X2YZ或XYZ,该沉积装置具有放置在反应室中一基板台上的基板、以及放置在远离该基板的靶架上的靶。赫斯勒合金薄膜的各组元以单靶和双合金靶中的一种的形式放置在该靶架上。因此,易于制造具有优异磁性能的赫斯勒合金薄膜。
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公开(公告)号：CN1970441B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200510126739.8
申请日：2005-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , Y10S977/842
Abstract: 本发明提供一种在室温和大气压下合成单壁碳纳米管的方法。该方法包括形成包含有机金属化合物和碳供应源的溶液，该机金属化合物含有催化剂颗粒；向该溶液中加入载体，其中所述碳纳米管合成在该载体的表面上；及向加入载体的溶液施加超声波。
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公开(公告)号：CN1747059B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200510087878.4
申请日：2005-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673
Abstract: 本发明涉及磁膜结构及其制造方法、半导体器件及其运行方法。该磁膜结构包括：下磁膜；形成在该下磁膜上的隧穿膜；形成在该隧穿膜上的上磁膜，其中该下和上磁膜是铁磁膜，当该下和上磁膜具有相反的磁化方向时，在其间形成电化学势差。
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公开(公告)号：CN100584751C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510004590.6
申请日：2005-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C30B29/602 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C26/00 , C30B25/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明披露一种水平生长碳纳米管的方法，其包括：在基底上沉积铝层；在基底上形成隔绝层，以覆盖铝层；图案化基底上的隔绝层和铝层，以便暴露铝层的侧面；在铝层的暴露侧面上形成多个孔至预定的深度；在孔的底部沉积催化剂金属层；以及从催化剂金属层水平生长碳纳米管。
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