公开(公告)号：CN1276435C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02128682.5

申请日：2002-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴玩濬 ,  金泰完 ,  宋利宪 ,  朴祥珍 ,  理查德·J·甘比诺

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/105

Abstract: 本发明公开了一种磁随机存取存储器及其制造方法。该利用磁畴阻滞的磁随机存取存储器包括：数据存储单元，该单元包括固定层、非磁性层和自由层；数据输入单元，该单元与该自由层的两端电连接，用于将电流施加到该自由层上，以将数据输入至数据存储单元内；以及数据输出单元，该单元与自由层和固定层电连接，以将存储在数据存储单元中的数据输出。因此，该磁随机存取存储器具有比使用反转磁场来记录数据的存储器更优秀的性能。

公开(公告)号：CN1747059B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200510087878.4

申请日：2005-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  朴玩濬 ,  朴祥珍 ,  黄仁俊 ,  权纯宙 ,  金永根 ,  理查德·J·甘比诺

IPC: G11C11/15 ,  H01F10/14 ,  H01F41/14

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673

Abstract: 本发明涉及磁膜结构及其制造方法、半导体器件及其运行方法。该磁膜结构包括：下磁膜；形成在该下磁膜上的隧穿膜；形成在该隧穿膜上的上磁膜，其中该下和上磁膜是铁磁膜，当该下和上磁膜具有相反的磁化方向时，在其间形成电化学势差。

公开(公告)号：CN1747059A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510087878.4

申请日：2005-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  朴玩濬 ,  朴祥珍 ,  黄仁俊 ,  权纯宙 ,  金永根 ,  理查德·J·甘比诺

IPC: G11C11/15 ,  H01F10/14 ,  H01F41/14

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673

Abstract: 本发明涉及磁膜结构及其制造方法、半导体器件及其运行方法。该磁膜结构包括：下磁膜；形成在该下磁膜上的隧穿膜；形成在该隧穿膜上的上磁膜，其中该下和上磁膜是铁磁膜，当该下和上磁膜具有相反的磁化方向时，在其间形成电化学势差。

公开(公告)号：CN1426065A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN02128682.5

申请日：2002-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴玩濬 ,  金泰完 ,  宋利宪 ,  朴祥珍 ,  理查德·J·甘比诺

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/105

Abstract: 本发明公开了一种磁随机存取存储器及其制造方法。该利用磁畴阻滞的磁随机存取存储器包括：数据存储单元，该单元包括固定层、非磁性层和自由层；数据输入单元，该单元与该自由层的两端电连接，用于将电流施加到该自由层上，以将数据输入至数据存储单元内；以及数据输出单元，该单元与自由层和固定层电连接，以将存储在数据存储单元中的数据输出。因此，该磁随机存取存储器具有比使用反转磁场来记录数据的存储器更优秀的性能。