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公开(公告)号：CN101625890A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910158688.5
申请日：2009-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/1659 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供了一种操作包括磁阻结构和开关结构的磁随机存取存储器装置的方法。根据所述方法，当提供电流以将数据写入到磁阻结构时，可以通过控制开关结构的栅极电压来减小根据电流方向的电流变化。
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公开(公告)号：CN1681040A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200410075897.0
申请日：2004-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/14 , G11C7/062 , G11C11/1659 , G11C11/1673
Abstract: 一种磁随机存取存储器(MRAM)以及从所述的MRAM中读取数据的方法，该磁随机存取存储器包括具有一个晶体管和一个磁隧道结(MTJ)层的存储单元和当读取存储在存储单元的数据时作为基准的参考单元，其中参考单元包括彼此并联连接的第一和第二MTJ层；和彼此并联连接的第一和第二晶体管，第一和第二晶体管分别串联到第一和第二MTJ层。所述的第一和第二晶体管也可以被一个具有对应于存储单元的晶体管两倍驱动能力的晶体管所代替。此外，第一和第二晶体管与第一和第二MTJ层的位置也可以互换。
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公开(公告)号：CN101635166B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN200910140009.1
申请日：2009-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G01R33/12 , G01R33/1207 , G01R33/1284 , G01R33/1292 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 一种使用磁畴壁移动的信息存储装置以及操作该装置的方法，所述信息存储装置包括：存储节点；写入单元，被配置以将信息写入到存储节点的第一磁畴区域；读取单元，被配置以从存储节点的第二磁畴区域读取信息。所述信息存储装置还包括：临时存储单元，被配置以临时存储由读取单元读取的信息；写入控制单元，电连接到临时存储单元，被配置以控制供应到写入单元的电流。从第二磁畴区域读取的信息被存储在临时存储单元中并被写入到第一磁畴区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101635166A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910140009.1
申请日：2009-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G01R33/12 , G01R33/1207 , G01R33/1284 , G01R33/1292 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 一种使用磁畴壁移动的信息存储装置以及操作该装置的方法，所述信息存储装置包括：存储节点；写入单元，被配置以将信息写入到存储节点的第一磁畴区域；读取单元，被配置以从存储节点的第二磁畴区域读取信息。所述信息存储装置还包括：临时存储单元，被配置以临时存储由读取单元读取的信息；写入控制单元，电连接到临时存储单元，被配置以控制供应到写入单元的电流。从第二磁畴区域读取的信息被存储在临时存储单元中并被写入到第一磁畴区域。
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公开(公告)号：CN101625890B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200910158688.5
申请日：2009-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/1659 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供了一种操作包括磁阻结构和开关结构的磁随机存取存储器装置的方法。根据所述方法，当提供电流以将数据写入到磁阻结构时，可以通过控制开关结构的栅极电压来减小根据电流方向的电流变化。
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公开(公告)号：CN101763889A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910246686.1
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/1657 , G11B2005/0002 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 公开了一种信息存储装置及其操作方法。所述信息存储装置包括：存储区域，具有磁轨和写入/读取单元；控制电路，连接到所述存储区域。第一开关装置和第二开关装置连接到磁轨的两端，第三开关装置连接到写入/读取单元。控制电路控制第一开关装置至第三开关装置，将操作电流提供给磁轨和写入/读取单元中的至少一个。
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公开(公告)号：CN1551228A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410007425.1
申请日：2004-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15 , H01L43/00 , H01L27/105
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C15/02
Abstract: 提供一种MRAM及其制造方法。MRAM包括半导体基板、形成在半导体基板上的晶体管、在半导体基板上形成以便覆盖晶体管的层间介电层、和在层间介电层中形成与晶体管的漏区并联连接的第一MTJ单元和第二MTJ单元。第一MTJ单元连接到在层间介电层中形成的第一位线，第二MTJ单元连接到在层间介电层中形成的第二位线。在第一MTJ单元和晶体管栅电极间形成数据线以便垂直于第一位线和第二位线。本发明的MRAM不但具有与单一单元结构的MRAM同样高的集成密度，而且能够具有充分的感应裕度，高速的操作，和减小的噪音。
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公开(公告)号：CN101763889B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200910246686.1
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1657 , G11B2005/0002 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 公开了一种信息存储装置及其操作方法。所述信息存储装置包括：存储区域，具有磁轨和写入/读取单元；控制电路，连接到所述存储区域。第一开关装置和第二开关装置连接到磁轨的两端，第三开关装置连接到写入/读取单元。控制电路控制第一开关装置至第三开关装置，将操作电流提供给磁轨和写入/读取单元中的至少一个。
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