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公开(公告)号：CN101763889A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910246686.1
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/1657 , G11B2005/0002 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 公开了一种信息存储装置及其操作方法。所述信息存储装置包括：存储区域，具有磁轨和写入/读取单元；控制电路，连接到所述存储区域。第一开关装置和第二开关装置连接到磁轨的两端，第三开关装置连接到写入/读取单元。控制电路控制第一开关装置至第三开关装置，将操作电流提供给磁轨和写入/读取单元中的至少一个。
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公开(公告)号：CN101751988A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910253967.X
申请日：2009-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 提供了一种磁轨、信息存储装置和操作该信息存储装置的方法。所述磁轨包括具有不同长度和不同磁畴壁移动速度的第一磁畴区域和第二磁畴区域。第一磁畴区域和第二磁畴区域中较长的磁畴区域用作信息读/写区域。所述信息存储装置包括磁轨。所述磁轨包括多个磁畴区域和在相邻磁畴区域之间形成的磁畴壁区域。所述多个磁畴区域包括第一磁畴区域和至少一个第二磁畴区域，所述至少一个第二磁畴区域的长度小于第一磁畴区域的长度。所述信息存储装置还包括第一单元和磁畴壁移动单元，其中，所述第一单元被构造为在第一磁畴区域上执行信息记录操作和信息再现操作中的至少一个，所述磁畴壁移动单元被构造为移动磁畴壁区域的磁畴壁。
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公开(公告)号：CN101763889B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200910246686.1
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1657 , G11B2005/0002 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 公开了一种信息存储装置及其操作方法。所述信息存储装置包括：存储区域，具有磁轨和写入/读取单元；控制电路，连接到所述存储区域。第一开关装置和第二开关装置连接到磁轨的两端，第三开关装置连接到写入/读取单元。控制电路控制第一开关装置至第三开关装置，将操作电流提供给磁轨和写入/读取单元中的至少一个。
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公开(公告)号：CN101615423A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910150851.3
申请日：2009-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0841
Abstract: 提供一种信息存储装置以及操作所述装置的方法。所述信息存储装置包括：磁层，具有多个磁畴区以及置于磁畴区之间的磁畴壁；第一单元，布置在第一区域以将信息记录在第一区域，所述第一区域是多个磁畴区中的一个；第二单元，连接到第一单元以感应磁场，从而将信息记录在第一区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101751989B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN200910246683.8
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法。所述信息存储装置包括磁轨和操作单元。磁轨包括通过磁畴壁分离的多个磁畴。操作单元的大小能够覆盖至少两个相邻磁畴。并且，操作单元被配置为可向磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区写入信息/从磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区读取信息。
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公开(公告)号：CN101635166B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN200910140009.1
申请日：2009-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G01R33/12 , G01R33/1207 , G01R33/1284 , G01R33/1292 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 一种使用磁畴壁移动的信息存储装置以及操作该装置的方法，所述信息存储装置包括：存储节点；写入单元，被配置以将信息写入到存储节点的第一磁畴区域；读取单元，被配置以从存储节点的第二磁畴区域读取信息。所述信息存储装置还包括：临时存储单元，被配置以临时存储由读取单元读取的信息；写入控制单元，电连接到临时存储单元，被配置以控制供应到写入单元的电流。从第二磁畴区域读取的信息被存储在临时存储单元中并被写入到第一磁畴区域。
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公开(公告)号：CN101770803A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910263619.0
申请日：2009-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , Y10T29/49069
Abstract: 本发明公开了一种磁结构、信息存储装置及其制造方法和操作方法。磁结构包括第一部分和多个第二部分。第一部分沿第一方向延伸。多个第二部从第一部分的端部开始沿第二方向延伸。第一方向和第二方向彼此垂直。在所述磁结构中形成有沿彼此相反的方向磁化的两个磁畴以及于位于磁畴之间的磁畴壁。
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公开(公告)号：CN101751989A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910246683.8
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法。所述信息存储装置包括磁轨和操作单元。磁轨包括通过磁畴壁分离的多个磁畴。操作单元的大小能够覆盖至少两个相邻磁畴。并且，操作单元被配置为可向磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区写入信息/从磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区读取信息。
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公开(公告)号：CN101635166A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910140009.1
申请日：2009-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G01R33/12 , G01R33/1207 , G01R33/1284 , G01R33/1292 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 一种使用磁畴壁移动的信息存储装置以及操作该装置的方法，所述信息存储装置包括：存储节点；写入单元，被配置以将信息写入到存储节点的第一磁畴区域；读取单元，被配置以从存储节点的第二磁畴区域读取信息。所述信息存储装置还包括：临时存储单元，被配置以临时存储由读取单元读取的信息；写入控制单元，电连接到临时存储单元，被配置以控制供应到写入单元的电流。从第二磁畴区域读取的信息被存储在临时存储单元中并被写入到第一磁畴区域。
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