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公开(公告)号：CN104350011A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380015460.5
申请日：2013-03-19
申请人： 香港科技大学
发明人： 杨经伦 , 沙米·阿克特尔·费尔杜斯 , 韩伟
IPC分类号： C01G23/047 , B82B3/00 , B01J21/06 , B82Y20/00 , B82Y40/00
CPC分类号： A61L2/238 , B01D15/22 , B01J20/06 , B01J20/3078 , B01J21/063 , B01J23/06 , B01J23/22 , B01J23/42 , B01J23/44 , B01J23/50 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J23/75 , B01J35/0013 , B01J35/002 , B01J35/004 , B01J35/1019 , B01J37/0201 , B01J37/06 , B01J37/10 , B01J37/346 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , C01G23/005 , C01G23/053 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2004/13 , C01P2004/16 , C01P2004/20 , C01P2004/51 , C01P2004/53 , C01P2006/12 , C30B7/10 , C30B29/02 , C30B29/602 , Y10S977/734 , Y10S977/811 , Y10S977/845 , Y10S977/846 , Y10S977/847 , Y10S977/902 , Y10T428/2935
摘要： 本发明涉及一种含有金属或非金属掺杂剂的多壁钛基纳米管阵列，其中所述掺杂剂以离子、化合物、簇和颗粒的形式，分布于纳米管的表面、层间和核中至少一处的位置。所述结构可包括多种金属或非金属离子、化合物、簇或颗粒形式的掺杂剂。所述掺杂剂可位于所述纳米管的表面、纳米管的层间(夹层)和纳米管的核中的一处或多处。所述纳米管可通过如下方法形成：提供钛基前驱体、转化钛基前驱体为钛基层状材料以形成钛基纳米片、并将钛基纳米片转化为多壁钛基纳米管。
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公开(公告)号：CN1660696A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510004590.6
申请日：2005-01-18
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： C30B29/602 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C26/00 , C30B25/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
摘要： 本发明披露一种水平生长碳纳米管的方法，其包括：在基底上沉积铝层；在基底上形成隔绝层，以覆盖铝层；图案化基底上的隔绝层和铝层，以便暴露铝层的侧面；在铝层的暴露侧面上形成多个孔至预定的深度；在孔的底部沉积催化剂金属层；以及从催化剂金属层水平生长碳纳米管。
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公开(公告)号：CN102753475B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201080052089.6
申请日：2010-09-20
申请人： 迪肯大学
IPC分类号： C01B21/064 , C01B35/14 , D01F9/08 , C04B35/583
CPC分类号： C01B35/146 , B82Y30/00 , C01B21/0641 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/13 , C01P2004/16 , C04B35/6229 , C04B35/6261 , C04B35/6265 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/405 , C04B2235/421 , C04B2235/443 , C04B2235/46 , C04B2235/5284 , C04B2235/5454 , C10M103/06 , C10M2201/061 , C10M2201/087 , C10N2220/082 , C23C24/08 , C23C26/00 , C30B25/00 , C30B29/403 , C30B29/602 , Y10T428/25
摘要： 一种用于产生氮化硼纳米管和纳米管膜的工艺，所述工艺包括加热包含硼颗粒和金属化合物的液体组合物，其中在800?1300℃的温度下在使氮化硼纳米管生长的包含氮的气态气氛中进行加热，且其中所述硼颗粒具有小于100nm的平均粒度，且其中所述金属化合物被选择为使得其在加热期间促进氮化硼纳米管的生长。
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公开(公告)号：CN102753475A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201080052089.6
申请日：2010-09-20
申请人： 迪肯大学
IPC分类号： C01B21/064 , C01B35/14 , D01F9/08 , C04B35/583
CPC分类号： C01B35/146 , B82Y30/00 , C01B21/0641 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/13 , C01P2004/16 , C04B35/6229 , C04B35/6261 , C04B35/6265 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/405 , C04B2235/421 , C04B2235/443 , C04B2235/46 , C04B2235/5284 , C04B2235/5454 , C10M103/06 , C10M2201/061 , C10M2201/087 , C10N2220/082 , C23C24/08 , C23C26/00 , C30B25/00 , C30B29/403 , C30B29/602 , Y10T428/25
摘要： 一种用于产生氮化硼纳米管和纳米管膜的工艺，所述工艺包括加热包含硼颗粒和金属化合物的液体组合物，其中在800-1300℃的温度下在使氮化硼纳米管生长的包含氮的气态气氛中进行加热，且其中所述硼颗粒具有小于100nm的平均粒度，且其中所述金属化合物被选择为使得其在加热期间促进氮化硼纳米管的生长。
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公开(公告)号：CN101104513B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610061618.4
申请日：2006-07-12
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： C23C14/165 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C23C14/5853 , C30B25/00 , C30B29/602 , Y10S977/89 , Y10S977/891
摘要： 本发明是关于一种单壁碳纳米管的生长方法，主要包括以下步骤：提供一基底；在基底上形成一氧化铟锡电极，氧化铟锡电极的厚度为5纳米～100纳米；在氧化铟锡电极上沉积一铝过渡层，铝过渡层的厚度为5纳米～40纳米；在铝过渡层上沉积一催化剂层，催化剂层的厚度为3纳米～10纳米；将沉积有催化剂层、铝过渡层和氧化铟锡电极的基底放置在空气中，在300℃～500℃下热处理10分钟～12小时，催化剂层经退火后形成氧化颗粒；将基底放置在反应装置中，在反应装置内通入保护气体，在保护气体的保护下加热至640℃～900℃；以及通入碳源气与保护气体的混合气体，加热至640℃～900℃反应30分钟～60分钟生长出单壁碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101387008A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200710077112.7
申请日：2007-09-14
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： C30B29/602 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/16 , C30B25/16 , C30B29/605 , C30B35/00 , Y10S977/84
摘要： 一种碳纳米管生长装置，该碳纳米管生长装置包括一激光照射装置及一工作台；其中，上述的碳纳米管生长装置进一步包括一观测装置和一光照明装置。该观测装置包括一观测筒、一设置于观测筒顶端的观测窗、一呈45°设置于观测筒内第一半反射半透镜及一呈45°设置于观测筒内的第二半反射半透镜。该光照明装置、激光照射装置垂直观测装置设置，第一半反射半透镜与激光照射装置对应设置，第二半反射半透镜与光照明装置对应设置。工作台设置于观测装置中的观测筒底部且与观测筒底部间隔一定距离设置，观测装置、激光照射装置与光照明装置三者是光学共轭的。
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公开(公告)号：CN1854733A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200510034350.0
申请日：2005-04-21
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： D01F9/127 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C30B25/14 , C30B29/602 , Y10T428/2931 , Y10T436/25875
摘要： 本发明涉及一种测量碳纳米管生长速度的方法，其包括下列步骤：提供一基底；在基底的一表面上形成一催化剂层；将基底加热至一定温度；间歇性供应碳源气，以生长形成有标记线的碳纳米管；记录生长相邻两标记线之间碳纳米管的时间T；测量相邻两标记线之间的碳纳米管长度L；计算碳纳米管生长速度V＝L/T。
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公开(公告)号：CN107400928A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710615993.7
申请日：2017-07-25
申请人： 东北石油大学
CPC分类号： C30B29/602 , C30B25/02 , C30B25/186 , C30B29/02
摘要： 一种在金属上直接生长碳纳米管阵列的简易方法及应用，它涉及一种在金属表面改性的方法及应用。本发明的目的是要解决现有碳纳米管与硅基底的结构强度低，金属基底上很难生长碳纳米管和在合金表面生长碳纳米管使用的载气危险，溶剂毒性大，不适合工业化推广的问题。方法：一、刻蚀处理；二、通入氮气，启动管式炉；三、注射二茂铁和环己烷的混合液，反应30min～120min；四、关闭管式炉，在氮气保护下自然冷却至室温，得到表面生长有碳纳米管阵列的金属基底。本发明制备的碳纳米管阵列与金属基底的剪切结合强度达到了0.95MPa。本发明可获得一种在金属上直接生长碳纳米管阵列的简易方法。
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公开(公告)号：CN104995134A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201380070997.1
申请日：2013-01-22
申请人： MCD技术有限公司
发明人： M·R·普雷戴特琴斯基
CPC分类号： C01B31/0206 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C30B25/00 , C30B29/02 , C30B29/602 , C30B30/02
摘要： 提出了以下：用于生产碳纳米结构的方法，所述方法在反应室中使用催化剂和600-1200℃的温度分解气态烃，和用于实施所述方法的装置。
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公开(公告)号：CN101387008B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200710077112.7
申请日：2007-09-14
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： C30B29/602 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/16 , C30B25/16 , C30B29/605 , C30B35/00 , Y10S977/84
摘要： 一种碳纳米管生长装置，该碳纳米管生长装置包括一激光照射装置及一工作台；其中，上述的碳纳米管生长装置进一步包括一观测装置和一光照明装置。该观测装置包括一观测筒、一设置于观测筒顶端的观测窗、一呈45°设置于观测筒内第一半反射半透镜及一呈45°设置于观测筒内的第二半反射半透镜。该光照明装置、激光照射装置垂直观测装置设置，第一半反射半透镜与激光照射装置对应设置，第二半反射半透镜与光照明装置对应设置。工作台设置于观测装置中的观测筒底部且与观测筒底部间隔一定距离设置，观测装置、激光照射装置与光照明装置三者是光学共轭的。
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