公开(公告)号：CN108560050A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810529204.2

申请日：2018-05-29

Applicant: 西安工业大学

Inventor： 许岗 ,  杨丛笑 ,  李俊英 ,  李高宏 ,  谷智 ,  靳长清 ,  魏永星 ,  陈静 ,  侯雁楠

IPC: C30B29/12 ,  C30B28/04 ,  C30B30/02

CPC classification number: C30B29/12 ,  C30B28/04 ,  C30B30/02

Abstract: 本发明属于化学液相沉积领域，具体涉及一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法。本发明主要解决碘化汞薄膜籽晶层定向生长的问题。本发明提供了一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法：利用化合物碘化汞（α-HgI2）和氢碘酸（HI）为基本原料，调整加入到体系HI的浓度，控制[HgI3]和[HgI4]2-的生成速率；通过施加横向静电场，使[HgI3]和[HgI4]2-在溶液中定向移动，碰撞形核并结晶从而形成择优生长的碘化汞薄膜籽晶层。生成的碘化汞薄膜籽晶层在基片（电极）材料上沉积一层同质薄膜，为气相外延生长提供定向晶核，从而增大薄膜单向生长几率。

公开(公告)号：CN104651943A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510034577.9

申请日：2015-01-23

Applicant: 成都新柯力化工科技有限公司

Inventor： 陈庆 ,  李兴文

IPC: C30B29/62 ,  C30B29/46 ,  C30B30/02

CPC classification number: C30B29/46 ,  C30B29/62 ,  C30B30/02

Abstract: 本发明涉及一种硫酸钡晶须及其制备方法，具体讲是本发明利用电场和晶型控制剂对硫酸钡晶体成长的影响，制备出一种硫酸钡晶须，该硫酸钡晶须不仅具有优异的耐候性和抗老化性，而且能增加制品的耐磨性和抗冲击强度，显著提高制品的韧性，且制备方法简单，成本低廉，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN1703786A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN02829902.7

申请日：2002-11-16

Applicant: 技星金属株式会社 ,  梁龙锡 ,  金秀宰

Inventor： 梁龙锡 ,  金秀宰 ,  金钟洙

IPC: H01L41/24 ,  C30B30/00

CPC classification number: C30B29/22 ,  C30B1/023 ,  C30B30/02 ,  H01L41/253 ,  H01L41/41 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49131 ,  Y10T29/49151 ,  Y10T29/49163

Abstract: 公开了一种通过在电场下对非晶态材料进行结晶化控制来在结构上确定晶体取向的压电陶瓷及其制造方法。对该非晶态材料施加电场以产生确定晶体取向的压电陶瓷。该材料是以1∶2的比例包括有Li2O和B2O3的非晶态Li2B4O7，并且该材料可以用于信息技术、器件技术、机械技术等等。

公开(公告)号：CN108796615A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710300775.4

申请日：2017-05-02

Applicant: 上海奇谋能源技术开发有限公司

Inventor： 王武生

IPC: C30B30/02 ,  C30B29/02 ,  C25C1/12 ,  C25C7/00

CPC classification number: C30B30/02 ,  C25C1/12 ,  C25C7/00 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明公开了一种提高金属纯度的方法，所述方法为电解法，包括可电解金属、可电解金属单晶、电解槽、电解液，以可电解金属单晶为始极，以可电解金属为阳极，在电解槽里进行电解，得到高纯度金属。本发明采用直接电解法就可以获得高纯度金属，处理工艺非常简单，无需特殊设备，且所需设备少，能耗低，相对于现有技术，不仅处理成本可显著降低，大约只有现有方法的十分之一，而且非常易于实现工业化。

公开(公告)号：CN108301044A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810142147.2

申请日：2018-02-11

Applicant: 陕西师范大学

Inventor： 张林 ,  刘俊鹏

IPC: C30B29/16 ,  C30B30/02 ,  C30B7/12

CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B7/12 ,  C30B30/02

Abstract: 本发明公开了光学晶体制备技术领域的一种非线性光学晶体的制备方法，该方法的具体步骤如下：S1：将含锂化合物基片切割成方形片，将其置入80～90℃的氢氟酸中煮10～20min，取出后用去离子水冲洗，并用氮气吹干；S2：将光刻胶溶液均匀喷洒至含锂化合物方形片的表面；S3：在烘干机中将光刻胶中的溶剂部分烘干；S4：在低气压下对含锂化合物方形片进行磁控溅射；S5：随后将含锂化合物方形片进行湿法腐蚀；S6：将含锂化合物方形片装入夹具并连入电路中进行极化处理，本发明具有较宽的激光波段，硬度适中，易于加工和保存，不会出现潮解的现象，利用该晶体所制成的非线性光学器件，在室温下，其激光强度是普通非线光学材料的1.5倍。

公开(公告)号：CN104245592A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380020721.2

申请日：2013-04-17

Applicant: 东曹株式会社

Inventor： 岩田英一 ,  山下三贵 ,  土井正治

IPC: C01G45/02 ,  C01G45/00 ,  H01M4/525

CPC classification number: C30B7/12 ,  B82Y30/00 ,  C01G45/02 ,  C01G45/1221 ,  C01P2002/32 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/11 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/16 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  C30B29/16 ,  C30B30/02 ,  H01M4/505 ,  H01M4/523 ,  H01M4/525 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供具有与锂化合物的高的反应性并且处理性也优异，适合作为锂锰系复合氧化物的锰原料的四氧化三锰及制造方法。一种四氧化三锰颗粒，其是平均一次粒径为2μm以下的四氧化三锰初级颗粒聚集而成的，细孔的孔容积为0.4mL/g以上。优选众数细孔为直径5μm以下的细孔。该四氧化三锰颗粒是通过具有使四氧化三锰由锰盐水溶液中直接析晶的析晶工序的四氧化三锰颗粒的制造方法而得到的，该析晶工序中，氧化还原电位为0mV以上并且OH-/Mn2+(mol/mol)为0.55以下，将锰盐水溶液与碱水溶液混合而得到浆料，将该浆料的固体成分浓度设为2重量％以下。

公开(公告)号：CN104245592B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201380020721.2

申请日：2013-04-17

Applicant: 东曹株式会社

Inventor： 岩田英一 ,  山下三贵 ,  土井正治

IPC: C01G45/02 ,  C01G45/00 ,  H01M4/525

CPC classification number: C30B7/12 ,  B82Y30/00 ,  C01G45/02 ,  C01G45/1221 ,  C01P2002/32 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/11 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/16 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  C30B29/16 ,  C30B30/02 ,  H01M4/505 ,  H01M4/523 ,  H01M4/525 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供具有与锂化合物的高的反应性并且处理性也优异，适合作为锂锰系复合氧化物的锰原料的四氧化三锰及制造方法。一种四氧化三锰颗粒，其是平均一次粒径为2μm以下的四氧化三锰初级颗粒聚集而成的，细孔的孔容积为0.4mL/g以上。优选众数细孔为直径5μm以下的细孔。该四氧化三锰颗粒是通过具有使四氧化三锰由锰盐水溶液中直接析晶的析晶工序的四氧化三锰颗粒的制造方法而得到的，该析晶工序中，氧化还原电位为0mV以上并且OH-/Mn2+(mol/mol)为0.55以下，将锰盐水溶液与碱水溶液混合而得到浆料，将该浆料的固体成分浓度设为2重量％以下。

公开(公告)号：CN104995134A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201380070997.1

申请日：2013-01-22

Applicant: MCD技术有限公司

Inventor： M·R·普雷戴特琴斯基

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B31/0206 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C30B25/00 ,  C30B29/02 ,  C30B29/602 ,  C30B30/02

Abstract: 提出了以下：用于生产碳纳米结构的方法，所述方法在反应室中使用催化剂和600-1200℃的温度分解气态烃，和用于实施所述方法的装置。

公开(公告)号：CN104167352A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410361219.4

申请日：2014-07-28

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 李新宇 ,  肖剑荣 ,  文剑锋 ,  王恒

IPC: H01L21/02 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B30/02

Abstract: 本发明公开了一种金属/Mn:TiO2/Nb:SrTiO3/金属异质结的制备及电场调控磁性的方法。将Nb:SrTiO3衬底清洗后，在氧等离子体辅助分子束外延生长，在Nb:SrTiO3衬底的上下表面利用掩膜板分别溅射金属薄膜或其他化合物薄膜以作为上下电极。金属/Mn:TiO2/Nb:SrTiO3/金属异质结未施加偏压时，通过SQUID测量其磁性质;当对金属/Mn:TiO2/Nb:SrTiO3/金属异质结施加一反向偏压使其处于低阻态后，SQUID测试其磁性质；当对异质结施加一偏压使其处于高阻态后，SQUID测试其磁性质；能综合分析这一电场诱导与控制的铁磁性的物理实质。本发明是基于调控氧空位浓度实现金属/Mn:TiO2/Nb:SrTiO3/金属异质结电场控制磁性的方法,对下一代自旋电子器件的应用有着非常重要作用。

公开(公告)号：CN108080603A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711223372.0

申请日：2017-11-29

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 杨院生 ,  冯小辉 ,  李应举 ,  罗天骄 ,  韩小伟

IPC: B22D27/02 ,  C30B30/02 ,  C30B29/52

CPC classification number: B22D27/02 ,  C30B29/52 ,  C30B30/02

Abstract: 本发明涉及金属材料凝固控制领域，具体为一种减少单晶高温合金截面突变处杂晶形成的方法。在单晶高温合金定向生长过程中，截面突变处由于散热较快容易形成局部过冷而形成杂晶。该方法是在单晶高温合金铸件定向凝固过程中施加直流电流，利用固/液相之间以及不同温度熔体之间的电阻率差异，使电流在截面突变处的边部形成偏聚，因而在温度较低部位产生更多的焦耳热，减轻或消除截面突变处的局部过冷，从而降低或消除杂晶形核和生长倾向。本发明通过在单晶高温合金生长过程中施加直流电流减少截面突变处杂晶的生成，获得取向一致性好，组织均匀致密的单晶组织，解决目前在铸造单晶高温合金结构件时截面突变处极易形成杂晶的问题。