公开(公告)号：CN109628995A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811624705.5

申请日：2018-12-28

Applicant: 宁夏大学

Inventor： 高忙忙 ,  高昂 ,  强璐 ,  赵旭 ,  祁雪燕 ,  梁森 ,  李海波

IPC: C30B29/06 ,  C30B28/04

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B28/04

Abstract: 利用梯度保温提高合金法提纯多晶硅收率的方法包括：将铝硅原料按照Al‑50wt%Si进行配比作为提纯原料；通入氩气和氢气的混合气体，氩气与氢气的体积比为100:4，按照7℃/min的速度提高反应炉的温度，直至反应炉中的温度升高至1450℃，并按照预定速度通入步骤S002中氩气和氢气的混合气体，以使反应炉维持惰性的气体环境；提纯原料在1450℃的条件下保温2h，然后按照3℃/min的速度降温至1300℃；提纯原料在1300℃的条件下保温2h，然后按照3℃/min的速度降温至900℃；提纯原料在900℃的条件下保温2h，然后按照3℃/min的速度降温至600℃，自然冷却至室温。

公开(公告)号：CN108560050A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810529204.2

申请日：2018-05-29

Applicant: 西安工业大学

Inventor： 许岗 ,  杨丛笑 ,  李俊英 ,  李高宏 ,  谷智 ,  靳长清 ,  魏永星 ,  陈静 ,  侯雁楠

IPC: C30B29/12 ,  C30B28/04 ,  C30B30/02

CPC classification number: C30B29/12 ,  C30B28/04 ,  C30B30/02

Abstract: 本发明属于化学液相沉积领域，具体涉及一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法。本发明主要解决碘化汞薄膜籽晶层定向生长的问题。本发明提供了一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法：利用化合物碘化汞（α-HgI2）和氢碘酸（HI）为基本原料，调整加入到体系HI的浓度，控制[HgI3]和[HgI4]2-的生成速率；通过施加横向静电场，使[HgI3]和[HgI4]2-在溶液中定向移动，碰撞形核并结晶从而形成择优生长的碘化汞薄膜籽晶层。生成的碘化汞薄膜籽晶层在基片（电极）材料上沉积一层同质薄膜，为气相外延生长提供定向晶核，从而增大薄膜单向生长几率。

公开(公告)号：CN108441952A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810502251.8

申请日：2018-05-23

Applicant: 甘肃金土新能源材料科技有限公司 ,  永靖县申通耐磨材料有限公司

Inventor： 豆衍林 ,  孔德仓 ,  豆旭东 ,  豆中宝 ,  瞿朝柱 ,  豆鹏寿 ,  豆巨鹏

IPC: C30B29/06 ,  C30B28/04

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B28/04

Abstract: 本发明的目的在于提供一种低硼纯晶硅，此低硼纯晶硅能够达到太阳能级纯晶硅的要求，是以物理法纯晶硅生产方式替代西门子法、改良西门子法或硅烷法等化学法生产的纯晶硅，首先将碳原料与二氧化硅混合，在1500-2700℃的温度下进行第一次冶炼制得碳化硅；然后将a步骤制得的碳化硅再次与二氧化硅混合，在1500-2700℃的温度下进行第二次冶炼，制得低硼纯晶硅。本发明通过选用硼含量小于0.2ppm的碳原料、硼含量小于0.14ppm的第一部分二氧化硅和硼舍量小于0.14ppm的第二部分二氧化硅，冶炼制得的纯晶硅无需再次脱硼即能够满足太阳能级低硼纯晶硅的要求。本发明在太阳能级纯晶硅市场上有极大的推广价值，符合国家目前大力提倡的循环经济，具有显著的环境效益和社会效益。

公开(公告)号：CN106978629A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201611080347.7

申请日：2016-11-30

Applicant: 美国西门子医疗解决公司

Inventor： M.S.安德烈科 ,  A.A.凯里 ,  P.C.科亨

IPC: C30B29/28 ,  C30B15/00 ,  C30B11/00 ,  C30B17/00 ,  C30B11/10 ,  C30B28/04

CPC classification number: G01T1/2023 ,  C09K11/641 ,  C09K11/7706 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7774 ,  C30B29/28 ,  G21K4/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/10 ,  C30B15/00 ,  C30B17/00 ,  C30B28/04

Abstract: 本文公开了以下方法，包括：制造具有式(1)的组成的粉末，以及将粉末在含氧气氛中加热至500至1700℃的温度以制造结晶闪烁体，M1aM2bM3cM4dO12 (1)其中，O表示氧，M1、M2、M3和M4表示彼此不同的第一、第二、第三和第四金属，其中，a+b+c+d的总和为约8，其中，“a”具有约2至约3.5的值，“b”具有0至约5的值，“c”具有0至约5的值，“d”具有0至约1的值，其中，“b”和“c”、“b”和“d”或者“c”和“d”不能两者同时等于0，其中，M1是稀土元素，包括钆、钇、镥、钪或者它们的组合，M2是铝或硼，M3是镓，并且M4是共掺杂物。

公开(公告)号：CN106978625A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610032906.0

申请日：2016-01-19

Applicant: 超能高新材料股份有限公司

Inventor： 魏汝超

IPC: C30B29/06 ,  C30B28/04 ,  C04B41/85

CPC classification number: C30B29/06 ,  C04B41/85 ,  C30B28/04

Abstract: 本发明提供一种杂质吸收材料及涂布有该材料的坩埚，所述杂质吸收材料包含低氮原子重量百分比的氮化硅(Si3N4-x)，其中(4-x)为所述杂质吸收材料于氮化硅(Si3N4-x)化合物的氮原子摩尔数比，且x介于0.32-3.33之间，由于低氮原子重量百分比的氮化硅(Si3N4-x)存在不稳定的悬挂键、不饱和键及其他未配对键结等高活性官能基，因此应用于高温领域时，这些高活性基团为降低能量而吸附来自烧结过程的杂质，大量杂质被本发明的杂质吸收材料吸附，导致反应过程杂质减少，最终产品的产出将有助于减少杂质。

公开(公告)号：CN102027569B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200880129206.7

申请日：2008-06-30

Applicant: 艾格瑞系统有限公司

Inventor： J·W·奥森巴赫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L23/49866 ,  C25D3/30 ,  C30B7/12 ,  C30B28/04 ,  C30B29/02 ,  C30B29/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一方面，本公开提供了电子封装(100)，其包括(衬底105)和镀覆于该衬底表面(107)的金属膜(110)。金属膜具有多晶结构的晶粒(120)，该晶粒具有基本上各向异性的晶体晶胞尺度。对于该晶粒的至少约80％，晶胞(125)的一个尺度(130)取向为基本上垂直于衬底表面的方向(135)。金属膜的金属原子沿着垂直取向的晶胞尺度具有比沿着所述晶胞尺度(132，134)的其它取向更慢的点阵扩散系数。

公开(公告)号：CN107937984A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711104557.X

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司

Inventor： 段满龙 ,  董志远 ,  赵有文 ,  杨俊

IPC: C30B29/40 ,  C30B28/04 ,  C30B28/14

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B28/04 ,  C30B28/14

Abstract: 一种磷化铟的合成方法及其合成装置，将放置在密封管内的存放铟的第一容器和存放磷的第二容器初始均放置在磷压控制区内，磷压控制区的温度大于或等于磷的汽化温度并低于磷化铟的熔点，利用磷压控制区的温度来融化并预热铟并使得磷汽化，在密封管的移动方向上，第一容器位于第二容器前方；密封管从磷压控制区向反应区移动，反应区的温度大于或等于磷化铟的熔点，在反应区内，磷蒸汽熔解到铟熔体中，形成磷化铟熔体；密封管从反应区向多晶冷却区移动，多晶冷却区的温度低于反应区的温度，磷化铟熔体在多晶冷却区冷却为磷化铟多晶。本发明利用磷压控制区存放液态铟，有效避免高温铟与石英坩埚壁反应导致的Si污染问题，InP多晶产品纯度更高。

公开(公告)号：CN107338473A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710592350.5

申请日：2017-07-19

Applicant: 晶科能源有限公司 ,  浙江晶科能源有限公司

Inventor： 黄晶晶 ,  陈伟 ,  肖贵云 ,  李亮 ,  闫灯周 ,  姜志兴 ,  李林东 ,  金浩

IPC: C30B28/04 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B28/04 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种组合底板，包括基板及隔热保温层，所述基板的顶部开设有一填充槽，所述填充槽的槽口边缘与所述基板的顶部边缘重合，所述填充槽的侧壁呈平滑倾斜状，且所述填充槽的槽口的面积大于所述填充槽的底部表面的面积，所述隔热保温层填充于所述填充槽内，以将所述填充槽填平，所述隔热保温层的导热速率小于所述基板的导热速率。本发明另一方面还提供一种多晶硅铸锭炉，包括炉体及设于所述炉体内的坩埚及若干加热器，还包括上述的组合底板，若干所述加热器分别布置于所述坩埚的侧围及顶部，所述坩埚设于所述组合底板的顶部中心，本发明中的组合底板及多晶硅铸锭炉，能够形成均匀热场，抑制了长晶缺陷的繁殖。

公开(公告)号：CN106381522A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610906106.7

申请日：2016-10-17

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 苏海林 ,  刘俊 ,  梅超 ,  吴玉程 ,  黄荣俊

IPC: C30B29/22 ,  C30B28/04 ,  C30B29/64

CPC classification number: C30B29/22 ,  C30B28/04 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明提供了一种晶向可控的PbPdO2材料及其制备方法：所述PbPdO2材料，其最强衍射峰对应的晶粒生长方向为[400]晶向。所述的制备方法，包括：称量含有Fe、含有Pb和含有Pd的化合物；将含有Fe、含有Pb的化合物与混合溶剂、络合剂混合，获得含有Fe和Pb的混合液；将含有Pd的化合物与强酸混合，获得含有强酸的混合液；将混合液混合，获得溶胶；将溶胶涂覆在基板上烘干和预烧，获得预烧薄膜；将预烧薄膜进行煅烧，获得的产物。有益效果：本发明在不依赖于高匹配度晶格常数基板的情况下，成功实现了诱导PbPdO2材料沿[400]晶向做择优取向生长，并形成纳米颗粒膜。

公开(公告)号：CN106008308A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510112909.0

申请日：2015-03-13

Applicant: 正大天晴药业集团股份有限公司

Inventor： 王胡博 ,  朱雪焱 ,  郭猛 ,  胡明通 ,  张家松 ,  孙九德

IPC: C07D209/34 ,  A61K31/496 ,  A61P35/00 ,  A61P37/00 ,  A61P11/00

CPC classification number: A61K31/404 ,  A61K31/496 ,  A61K2300/00 ,  C07D209/34 ,  C30B28/04 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明涉及尼达尼布乙磺酸盐结晶，具体而言，本发明涉及尼达尼布二乙磺酸盐的A型结晶。本发明的尼达尼布二乙磺酸盐A型结晶，其X-射线粉末衍射光谱用2θ值表示在约14.64、18.79、19.31、20.11、21.20、22.45、26.71°处有衍射峰。本发明的结晶性质稳定，不易降解、不吸潮，特别适合药物生产。