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公开(公告)号：CN117888199A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410064567.9
申请日：2024-01-16
申请人： 西安工业大学
摘要： 本发明公开了一种厘米级(Bi0.5Na0.5)TiO3弛豫铁电单晶材料的制备方法，经由配料、预合成、配助熔剂、晶体生长制备得到具有厘米级尺寸的(Bi0.5Na0.5)TiO3弛豫铁电单晶，本发明利用助熔剂法进行单晶生长，相对于顶部籽晶法，生长条件更为简单，过程重复性更高，适用于产业化推广应用，本发明制备的(Bi0.5Na0.5)TiO3单晶材料具有纯钙钛矿结构，单个晶体尺寸最大达到16×16×10mm3，室温剩余极化强度达到55μC/cm2，压电常数达到83pC/N，电学性能优于采用顶部籽晶法生长的(Bi0.5Na0.5)TiO3单晶。
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公开(公告)号：CN109456494B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201811409080.0
申请日：2018-11-23
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： C08G83/00
摘要： 本发明公开了一种以甲酸铜为原料常温快速制备酰胺型八面体MOFs的方法，将四水合甲酸铜溶于DMF溶剂配成盐溶液，盐溶液中四水合甲酸铜的浓度为0.003～0.015mol/L；将N,N′,N″‑三‑(3,5‑二羧基苯基)‑1,3,5‑三‑胺甲酰基苯溶于DMF溶剂得到配体溶液，配体溶液中N,N′,N″‑三‑(3,5‑二羧基苯基)‑1,3,5‑三‑胺甲酰基苯的浓度为0.0017～0.005mol/L；将等体积的配体溶液加入盐溶液中，静置反应直至溶液中产生蓝色沉淀，得到含酰胺型八面体MOFs材料的溶液；对含酰胺型八面体MOFs材料的溶液进行离心分离后并洗涤，得到酰胺型八面体MOFs材料；本发明的方法可以在常温下进行制备，缩短了制备反应的时间，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN111592350A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010498252.7
申请日：2020-06-04
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/634
摘要： 本发明公开了一种具有温度稳定性的BKT基储能电介质材料及其合成方法，该材料的化学通式为(1-x)(0.5Bi0.5K0.5TiO3-0.5SrTiO3)-xBi(Zn0.5Ti0.5)TiO3；根据所述化学通式中各元素的摩尔比称量原料；将称量好的各原料混合，并球磨至各原料充分混合，烘干球磨后的浆液，得到混合粉；将所述混合粉进行预合成并自然冷却，得到烧结料；依次对所述烧结料进行粉碎、造粒和压制，得到素坯；将所述素坯升温至500℃并保温5h进行排粘，并自然冷却；加热排粘后的素坯至1150～1180℃并保温2～3h，自然冷却后，得到所述储能电介质材料；本发明的电介质材料兼具高储能密度、高储能效率及良好温度稳定性。
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公开(公告)号：CN118292092A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410406596.9
申请日：2024-04-07
申请人： 西安工业大学
摘要： 本发明公开了一种高压电常数BNT基无铅压电单晶材料及其制备方法，该单晶化学通式为：(Bi0.48Na0.425K0.055Ba0.04)(Ti1‑xNbx)O3，其中，x＝0～0.03，制备过程经由配料、预合成、配助熔剂、晶体生长制备得到具有厘米级尺寸的无铅压电单晶。本发明利用助熔剂法首次生长了BNKBTN单晶，所得单晶具有纯钙钛矿结构，单晶尺寸最大达到10×15×10mm3，电学性能优越，压电常数达到660pC/N，退极化温度超过100℃，介电常数达到1996；本发明制备工艺重复度高，适合大规模推广。
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公开(公告)号：CN115073173A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210844665.5
申请日：2022-07-18
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了一种具备超高压电常数的弛豫铁电体PNN‑PHT材料的制备方法，依次经过配料、预合成、造粒并压坯、排粘、埋烧烧结等步骤制备而成，本发明摒弃了传统的前驱体NiNb2O6和Hf0.3Ti0.7O2合成步骤，不仅使得制备过程简单，易于控制，且对于现有的前驱体制备方法来说，杂相形成更易于控制，过程重复性更高，适用于产业化推广应用，本发明制备的陶瓷材料具有纯相的钙钛矿相结构，材料性能优异，压电常数超过850pC/N，远高于多数的压电材料，平板机电耦合系数高，介电损耗低，去极化温度高。本发明适用于制备弛豫铁电体PNN‑PHT材料。
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公开(公告)号：CN113026108A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110243322.9
申请日：2021-03-05
申请人： 西安工业大学
摘要： 本发明公开了一种稀土掺杂辐射探测器用双卤素杂化钙钛矿晶体材料，其化学式为CH3NH3(PbxTm1‑x)(BryI1‑y)3，其中，x＝0.91，y＝0.451‑1，该材料性能稳定，具有较好的电阻率和较低的漏电流，电阻率可达4.79×108Ω·cm，漏电流可达56nA；本发明还提供了该晶体材料的制备方法，配置含有溴元素和碘元素的前驱液并将其混合形成混合液，将稀土氧化物Tm2O3混合至该混合液中，过滤后将其置于加热水箱中加热使晶体生长，干燥后即得到晶体材料，制备工艺简单，过程易于控制，在晶体生长过程中通过三段升温控制方法使得晶体生长过程稳定，生长的晶体质量较高，性能好，成本低。
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公开(公告)号：CN115073173B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210844665.5
申请日：2022-07-18
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了一种具备超高压电常数的弛豫铁电体PNN‑PHT材料的制备方法，依次经过配料、预合成、造粒并压坯、排粘、埋烧烧结等步骤制备而成，本发明摒弃了传统的前驱体NiNb2O6和Hf0.3Ti0.7O2合成步骤，不仅使得制备过程简单，易于控制，且对于现有的前驱体制备方法来说，杂相形成更易于控制，过程重复性更高，适用于产业化推广应用，本发明制备的陶瓷材料具有纯相的钙钛矿相结构，材料性能优异，压电常数超过850pC/N，远高于多数的压电材料，平板机电耦合系数高，介电损耗低，去极化温度高。本发明适用于制备弛豫铁电体PNN‑PHT材料。
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公开(公告)号：CN111592350B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010498252.7
申请日：2020-06-04
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/634
摘要： 本发明公开了一种具有温度稳定性的BKT基储能电介质材料及其合成方法，该材料的化学通式为(1‑x)(0.5Bi0.5K0.5TiO3‑0.5SrTiO3)‑xBi(Zn0.5Ti0.5)O3；根据所述化学通式中各元素的摩尔比称量原料；将称量好的各原料混合，并球磨至各原料充分混合，烘干球磨后的浆液，得到混合粉；将所述混合粉进行预合成并自然冷却，得到烧结料；依次对所述烧结料进行粉碎、造粒和压制，得到素坯；将所述素坯升温至500℃并保温5h进行排粘，并自然冷却；加热排粘后的素坯至1150～1180℃并保温2～3h，自然冷却后，得到所述储能电介质材料；本发明的电介质材料兼具高储能密度、高储能效率及良好温度稳定性。
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公开(公告)号：CN108560050B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201810529204.2
申请日：2018-05-29
申请人： 西安工业大学
摘要： 本发明属于化学液相沉积领域，具体涉及一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法。本发明主要解决碘化汞薄膜籽晶层定向生长的问题。本发明提供了一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法：利用化合物碘化汞（α‑HgI2）和氢碘酸（HI）为基本原料，调整加入到体系HI的浓度，控制[HgI3]和[HgI4]2‑的生成速率；通过施加横向静电场，使[HgI3]和[HgI4]2‑在溶液中定向移动，碰撞形核并结晶从而形成择优生长的碘化汞薄膜籽晶层。生成的碘化汞薄膜籽晶层在基片（电极）材料上沉积一层同质薄膜，为气相外延生长提供定向晶核，从而增大薄膜单向生长几率。
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公开(公告)号：CN109368705A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811582629.6
申请日：2018-12-20
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： C01G49/00
摘要： 本发明公开了一种TbMn1-xFexO3粉体的制备方法，本发明使用技术方案为：首先，配备Tb(NO3)3、MnCl2及FeCl3标准溶液；接着，将10mL Tb(NO3)3、2～18mL MnCl2及2～18mL FeCl3的标准溶液共30mL进行搅拌，边搅拌边缓慢加入25-35g固体KOH，待其充分溶解并冷却至室温之后，将混合溶液移入反应釜中进行水热反应，反应结束后，用去离子水和无水乙醇交替清洗，烘干，即可得到TbMn1-xFexO3粉体；本发明制备过程简单，成本低，克服了传统固相法反复研磨、高温反应等弊端，制备得到的TbMn1-xFexO3具有优越的铁电、磁电等特性。
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