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公开(公告)号：CN104919093A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201380067374.9
申请日：2013-12-02
申请人： 奎斯特综合股份有限公司
发明人： V·弗拉泰洛
IPC分类号： C30B7/00
CPC分类号： C30B19/12 , C30B19/00 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B29/32 , H01L41/18 , H01L41/317 , H01L41/41
摘要： 通过液相外延到具有合适的结构与晶格参数匹配的衬底上来实现锆钛酸铅(PZT)和其它钙钛矿的单晶的生长。需要用于稳定生长的溶剂和特定生长条件以实现Zr与Ti的所需比例。
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公开(公告)号：CN1954445A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200480042961.3
申请日：2004-10-29
申请人： 杰富意矿物股份有限公司
发明人： 松下三芳
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/22 , C04B35/00
CPC分类号： C30B29/32 , H01L41/18 , H01L41/257 , H01L41/41 , Y10T29/42
摘要： 本发明提供耐热性优良的压电单晶元件及其制造方法，该元件即使在有从室温到高温(具体为150℃)的温度变化的使用环境下，也可以使横向振动模式的机电耦合系数k31稳定而不降低，从而保持50％以上的高值。具体而言，其特征在于，当以将[001]轴为C轴(晶格常数最大的轴)的正方晶格的[101]轴为极化方向3时，压电元件端面T的法线方向1处于包含与极化方向3大致正交方向的[－101]轴且相对该[－101]轴成±25°立体角的角度范围内，或者，当以上述正方晶格的[011]轴为极化方向3时，压电元件端面T的法线方向1处于包含与极化方向大致正交方向的[0－11]轴且相对该[0－11]轴成±25°立体角的角度范围内，无论何种情况，与极化方向3大致正交方向即横向的振动模式的机电耦合系数k31均在50％以上。
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公开(公告)号：CN108138357A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680057085.4
申请日：2016-06-08
申请人： 住友金属矿山株式会社
发明人： 梶谷富男
IPC分类号： C30B29/30 , C30B33/02 , H01L41/187 , H01L41/41
CPC分类号： C30B29/30 , C30B33/02 , H01L41/187 , H01L41/41
摘要： 本发明的课题是提供一种容易管理涉及温度、时间等的处理条件、体积电阻值的面内分布少并且由同一晶锭加工成的基板间的体积电阻率偏差少的铌酸锂(LN)基板的制造方法。本发明是使用通过丘克拉斯基法培养成的LN单晶制造LN基板的方法，其特征在于，将单晶中的Fe浓度为50质量ppm以上且2000质量ppm以下的、晶锭状态的铌酸锂单晶埋入Al粉末中或者埋入Al和Al2O3的混合粉末中，在450℃以上且小于铝的熔点660℃的温度条件下进行热处理，制造体积电阻率被控制在1×108Ω·cm以上且2×1012Ω·cm以下的范围的铌酸锂单晶基板。
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公开(公告)号：CN107636212A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680033985.5
申请日：2016-06-08
申请人： 住友金属矿山株式会社
发明人： 梶谷富男
IPC分类号： C30B29/30 , C30B33/02 , H01L41/187 , H01L41/41
CPC分类号： H03H9/02834 , C30B15/00 , C30B29/30 , C30B33/02 , H01L41/1873 , H01L41/41 , H03H9/02559 , H03H9/145 , H03H9/6489
摘要： 本发明提供一种对温度、时间等处理条件的管理容易，且体积电阻率的面内分布极少的铌酸锂(LN)基板及其制造方法。上述制造方法是使用通过切克劳斯基法培育出的铌酸锂单晶来制造铌酸锂单晶基板的方法，其特征在于，将单晶中的Fe浓度为大于1000质量ppm且2000质量ppm以下并被加工成基板状态的铌酸锂单晶埋入Al粉末或者Al和Al2O3的混合粉末中，在550℃以上且600℃以下的温度进行热处理，从而制造出体积电阻率被控制在1×108Ω·cm以上且1×1010Ω·cm以下的范围的铌酸锂单晶基板。
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公开(公告)号：CN1703786A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN02829902.7
申请日：2002-11-16
CPC分类号： C30B29/22 , C30B1/023 , C30B30/02 , H01L41/253 , H01L41/41 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/4913 , Y10T29/49131 , Y10T29/49151 , Y10T29/49163
摘要： 公开了一种通过在电场下对非晶态材料进行结晶化控制来在结构上确定晶体取向的压电陶瓷及其制造方法。对该非晶态材料施加电场以产生确定晶体取向的压电陶瓷。该材料是以1∶2的比例包括有Li2O和B2O3的非晶态Li2B4O7，并且该材料可以用于信息技术、器件技术、机械技术等等。
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公开(公告)号：CN104919093B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201380067374.9
申请日：2013-12-02
申请人： 奎斯特综合有限责任公司
发明人： V·弗拉泰洛
IPC分类号： C30B7/00
CPC分类号： C30B19/12 , C30B19/00 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B29/32 , H01L41/18 , H01L41/317 , H01L41/41
摘要： 通过液相外延到具有合适的结构与晶格参数匹配的衬底上来实现锆钛酸铅(PZT)和其它钙钛矿的单晶的生长。需要用于稳定生长的溶剂和特定生长条件以实现Zr与Ti的所需比例。
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公开(公告)号：CN100448048C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200480042961.3
申请日：2004-10-29
申请人： 杰富意矿物股份有限公司
发明人： 松下三芳
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/22 , C04B35/00
CPC分类号： C30B29/32 , H01L41/18 , H01L41/257 , H01L41/41 , Y10T29/42
摘要： 本发明提供耐热性优良的压电单晶元件及其制造方法，该元件即使在有从室温到高温(具体为150℃)的温度变化的使用环境下，也可以使横向振动模式的机电耦合系数k31稳定而不降低，从而保持50%以上的高值。具体而言，其特征在于，当以将[001]轴为C轴(晶格常数最大的轴)的正方晶格的[101]轴为极化方向3时，压电元件端面T的法线方向1处于包含与极化方向3大致正交方向的[-101]轴且相对该[-101]轴成±25°立体角的角度范围内，或者，当以上述正方晶格的[011]轴为极化方向3时，压电元件端面T的法线方向1处于包含与极化方向大致正交方向的[0-11]轴且相对该[0-11]轴成±25°立体角的角度范围内，无论何种情况，与极化方向3大致正交方向即横向的振动模式的机电耦合系数k31均在50%以上。
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公开(公告)号：CN1943054A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200480042913.4
申请日：2004-10-28
申请人： 杰富意矿物股份有限公司
发明人： 松下三芳
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/22 , C04B35/00
CPC分类号： H01L41/1875 , H01L41/257 , H01L41/41
摘要： 提供一种能够稳定地得到横向振动模式的机电偶合系数k31为60％以上的压电单晶元件及其制造方法。具体而言，在以极化方向(3)为假立方晶系的[110]轴时，压电元件端面10c的法线方向(1)在包含与极化方向大致正交的方向即[001]轴且在该[001]轴±35°的角度范围内，与极化方向(3)正交的方向即横向振动模式的机电偶合系数k31为60％以上。
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公开(公告)号：CN105051926A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480009780.4
申请日：2014-03-24
申请人： 株式会社东芝 , 东芝医疗系统株式会社
IPC分类号： H01L41/187 , A61B8/00 , C01G33/00 , G01N29/24 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/257 , H04R17/00 , H04R31/00
CPC分类号： H01L41/08 , A61B8/4444 , B06B1/067 , H01L41/1875 , H01L41/257 , H01L41/338 , H01L41/41 , Y10T29/43
摘要： 本实施方式所涉及的压电振子具备：单晶压电体，由具有氧化镁和氧化铟中的至少一方和氧化铌的铅复合钙钛矿化合物构成，具有晶体取向为[100]面的第1面和与上述第1面对置，并且晶体取向为[100]面的第2面，并被极化；第1电极以及第2电极，上述第1电极设置在上述单晶压电体的上述第1面侧，上述第2电极设置在上述单晶压电体的上述第2面侧。相对于基于上述单晶压电体未极化或去极处理后的密勒指数(400)的衍射X射线的第1半高宽，基于上述单晶压电体的密勒指数(400)的衍射X射线的第2半高宽为0.22以上0.4以下。
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公开(公告)号：CN102822394A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180012783.X
申请日：2011-03-09
申请人： 西铁城精技美优达株式会社
CPC分类号： C30B29/22 , C30B15/00 , C30B33/02 , F02D35/023 , G01L9/08 , G01L23/10 , H01L41/1132 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/41
摘要： 本发明为从由La2O 3、Ta2O5、Ga2O3、Al2O3的混合物制备的多晶体起始原料制造LTGA的单晶的方法，提供一种方法，作为多晶体起始原料，使用由y(La2O3)＋(1-x-y-z)(Ta2O5)＋z(Ga2O3)＋x(Al2O3)表示的组成(该式中，0＜x≤0.40/9、3.00/9＜y≤3.23/9、5.00/9≤z＜5.50/9)的混合物，且设结晶培养轴为Z轴，培养LTGA单晶。优选对培养了的LTGA单晶实施真空热处理。通过本发明的方法培养的、高绝缘、高稳定性LTGA单晶，能够应用于对内燃机燃烧室内的燃烧压力的测定有用的高可靠性的燃烧压传感器的压电元件等。
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