压电单晶元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1954445A

    公开(公告)日:2007-04-25

    申请号:CN200480042961.3

    申请日:2004-10-29

    发明人: 松下三芳

    摘要: 本发明提供耐热性优良的压电单晶元件及其制造方法,该元件即使在有从室温到高温(具体为150℃)的温度变化的使用环境下,也可以使横向振动模式的机电耦合系数k31稳定而不降低,从而保持50%以上的高值。具体而言,其特征在于,当以将[001]轴为C轴(晶格常数最大的轴)的正方晶格的[101]轴为极化方向3时,压电元件端面T的法线方向1处于包含与极化方向3大致正交方向的[-101]轴且相对该[-101]轴成±25°立体角的角度范围内,或者,当以上述正方晶格的[011]轴为极化方向3时,压电元件端面T的法线方向1处于包含与极化方向大致正交方向的[0-11]轴且相对该[0-11]轴成±25°立体角的角度范围内,无论何种情况,与极化方向3大致正交方向即横向的振动模式的机电耦合系数k31均在50%以上。

    压电单晶元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100578833C

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:CN200480042913.4

    申请日:2004-10-28

    发明人: 松下三芳

    摘要: 提供一种能够稳定地得到横向振动模式的机电偶合系数k31为60%以上的压电单晶元件及其制造方法。具体而言,在以极化方向(3)为假立方晶系的[110]轴时,压电元件端面10c的法线方向(1)在包含与极化方向大致正交的方向即[001]轴且在该[001]轴±35°的角度范围内,与极化方向(3)正交的方向即横向振动模式的机电偶合系数k31为60%以上。

    压电单晶元件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100452470C

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN200510118462.4

    申请日:2005-10-28

    IPC分类号: H01L41/18

    CPC分类号: H01L41/18 H01L41/1875

    摘要: 本发明提供特别是在假立方晶和正方晶之间的变态温度Trt~(Trt-20)℃的特定高温域,压电特性出色的压电单晶元件。具体而言,由具有[Pb(Mg,Nb)O3](1-X)·[PbTiO3](X):(X=0.26~0.29)的组成且具有复合钙钛矿构造的单晶构成,在25℃的相对介电常数的值是5000及以上,在所述单晶的假立方晶和正方晶之间的变态温度下的相对介电常数的值是在25℃的相对介电常数的值的2.5倍及以上。

    压电单晶元件
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1780011A

    公开(公告)日:2006-05-31

    申请号:CN200510118462.4

    申请日:2005-10-28

    IPC分类号: H01L41/18

    CPC分类号: H01L41/18 H01L41/1875

    摘要: 本发明提供特别是在假立方晶和正方晶之间的变态温度Trt~(Trt-20)℃的特定高温域,压电特性出色的压电单晶元件。具体而言,由具有[Pb(Mg,Nb)O3](1-x)·[PbTiO3](x):(X=0.26~0.29)的组成且具有复合钙钛矿构造的单晶构成,在25℃的相对介电常数的值是5000及以上,在所述单晶的假立方晶和正方晶之间的变态温度下的相对介电常数的值是在25℃的相对介电常数的值的2.5倍及以上。

    压电单晶元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100448048C

    公开(公告)日:2008-12-31

    申请号:CN200480042961.3

    申请日:2004-10-29

    发明人: 松下三芳

    摘要: 本发明提供耐热性优良的压电单晶元件及其制造方法,该元件即使在有从室温到高温(具体为150℃)的温度变化的使用环境下,也可以使横向振动模式的机电耦合系数k31稳定而不降低,从而保持50%以上的高值。具体而言,其特征在于,当以将[001]轴为C轴(晶格常数最大的轴)的正方晶格的[101]轴为极化方向3时,压电元件端面T的法线方向1处于包含与极化方向3大致正交方向的[-101]轴且相对该[-101]轴成±25°立体角的角度范围内,或者,当以上述正方晶格的[011]轴为极化方向3时,压电元件端面T的法线方向1处于包含与极化方向大致正交方向的[0-11]轴且相对该[0-11]轴成±25°立体角的角度范围内,无论何种情况,与极化方向3大致正交方向即横向的振动模式的机电耦合系数k31均在50%以上。

    压电单晶元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1943054A

    公开(公告)日:2007-04-04

    申请号:CN200480042913.4

    申请日:2004-10-28

    发明人: 松下三芳

    摘要: 提供一种能够稳定地得到横向振动模式的机电偶合系数k31为60%以上的压电单晶元件及其制造方法。具体而言,在以极化方向(3)为假立方晶系的[110]轴时,压电元件端面10c的法线方向(1)在包含与极化方向大致正交的方向即[001]轴且在该[001]轴±35°的角度范围内,与极化方向(3)正交的方向即横向振动模式的机电偶合系数k31为60%以上。