发明授权
CN100452470C 压电单晶元件
失效 - 权利终止
- 专利标题： 压电单晶元件
- 专利标题（英）： Piezoelectric single crystal device
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申请号： CN200510118462.4申请日： 2005-10-28
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公开(公告)号： CN100452470C公开(公告)日： 2009-01-14
- 发明人: 松下三芳 , 岩崎洋介
- 申请人： 杰富意矿物股份有限公司
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 杰富意矿物股份有限公司
- 当前专利权人： 杰富意矿物股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 陆锦华; 樊卫民
- 优先权： 2004－316803 2004.10.29 JP
- 主分类号： H01L41/18
- IPC分类号： H01L41/18
摘要：
本发明提供特别是在假立方晶和正方晶之间的变态温度Trt～(Trt-20)℃的特定高温域，压电特性出色的压电单晶元件。具体而言，由具有[Pb(Mg，Nb)O3](1-X)·[PbTiO3](X)：(X＝0.26～0.29)的组成且具有复合钙钛矿构造的单晶构成，在25℃的相对介电常数的值是5000及以上，在所述单晶的假立方晶和正方晶之间的变态温度下的相对介电常数的值是在25℃的相对介电常数的值的2.5倍及以上。
公开/授权文献
- CN1780011A 压电单晶元件 公开/授权日：2006-05-31
IPC分类:
