发明公开
CN1660696A 水平生长碳纳米管的方法及具有该碳纳米管的器件
失效 - 权利终止
- 专利标题： 水平生长碳纳米管的方法及具有该碳纳米管的器件
- 专利标题（英）： Method of horizontally growing carbon nanotubes and device having the same
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申请号： CN200510004590.6申请日： 2005-01-18
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公开(公告)号： CN1660696A公开(公告)日： 2005-08-31
- 发明人: 郑守桓 , 朴玩濬 , 柳寅儆 , 高朱惠
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 封新琴; 巫肖南
- 优先权： 12537/2004 2004.02.25 KR
- 主分类号： C01B31/02
- IPC分类号： C01B31/02 ; B82B3/00 ; C23C14/06
摘要：
本发明披露一种水平生长碳纳米管的方法，其包括：在基底上沉积铝层；在基底上形成隔绝层，以覆盖铝层；图案化基底上的隔绝层和铝层，以便暴露铝层的侧面；在铝层的暴露侧面上形成多个孔至预定的深度；在孔的底部沉积催化剂金属层；以及从催化剂金属层水平生长碳纳米管。
公开/授权文献
- CN100584751C 水平生长碳纳米管的方法及具有该碳纳米管的器件 公开/授权日：2010-01-27
