公开(公告)号：CN1970441A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200510126739.8

申请日：2005-11-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑守桓 ,  朴玩濬 ,  朴种峰 ,  高朱惠

IPC分类号： C01B31/02

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  Y10S977/842

摘要： 本发明提供一种在室温和大气压下合成单壁碳纳米管的方法。该方法包括形成包含有机金属化合物和碳供应源的溶液，该机金属化合物含有催化剂颗粒；向该溶液中加入载体，其中所述碳纳米管合成在该载体的表面上；及向加入载体的溶液施加超声波。

公开(公告)号：CN1970441B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200510126739.8

申请日：2005-11-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑守桓 ,  朴玩濬 ,  朴种峰 ,  高朱惠

IPC分类号： C01B31/02

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  Y10S977/842

摘要： 本发明提供一种在室温和大气压下合成单壁碳纳米管的方法。该方法包括形成包含有机金属化合物和碳供应源的溶液，该机金属化合物含有催化剂颗粒；向该溶液中加入载体，其中所述碳纳米管合成在该载体的表面上；及向加入载体的溶液施加超声波。

公开(公告)号：CN100584751C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200510004590.6

申请日：2005-01-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑守桓 ,  朴玩濬 ,  柳寅儆 ,  高朱惠

IPC分类号： C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  C23C14/06

CPC分类号： C30B29/602 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C23C26/00 ,  C30B25/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

摘要： 本发明披露一种水平生长碳纳米管的方法，其包括：在基底上沉积铝层；在基底上形成隔绝层，以覆盖铝层；图案化基底上的隔绝层和铝层，以便暴露铝层的侧面；在铝层的暴露侧面上形成多个孔至预定的深度；在孔的底部沉积催化剂金属层；以及从催化剂金属层水平生长碳纳米管。

公开(公告)号：CN1807232A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510087547.0

申请日：2005-07-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 宋仁庸 ,  裵恩珠 ,  高朱惠 ,  朴玩濬

IPC分类号： C01B31/02 ,  B82B3/00

CPC分类号： B82Y30/00

摘要： 本发明提供一种使用聚焦离子束(FIB)制造碳纳米管的方法。该方法包括：准备基板、用FIB扫描基板、以及在扫描后的基板上生长碳纳米管。

公开(公告)号：CN1660696A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510004590.6

申请日：2005-01-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑守桓 ,  朴玩濬 ,  柳寅儆 ,  高朱惠

IPC分类号： C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  C23C14/06

CPC分类号： C30B29/602 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C23C26/00 ,  C30B25/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

摘要： 本发明披露一种水平生长碳纳米管的方法，其包括：在基底上沉积铝层；在基底上形成隔绝层，以覆盖铝层；图案化基底上的隔绝层和铝层，以便暴露铝层的侧面；在铝层的暴露侧面上形成多个孔至预定的深度；在孔的底部沉积催化剂金属层；以及从催化剂金属层水平生长碳纳米管。