发明公开
CN107400928A 一种在金属上直接生长碳纳米管阵列的简易方法及应用
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种在金属上直接生长碳纳米管阵列的简易方法及应用
- 专利标题(英): Simple and easy method for directly growing carbon nano tube array on metal and application
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申请号: CN201710615993.7申请日: 2017-07-25
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公开(公告)号: CN107400928A公开(公告)日: 2017-11-28
- 发明人: 赵海谦 , 王忠华 , 高杏存 , 武传燕 , 刘立君 , 刘晓燕
- 申请人: 东北石油大学
- 申请人地址: 黑龙江省大庆市高新技术产业开发区发展路199号
- 专利权人: 东北石油大学
- 当前专利权人: 东北石油大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省大庆市高新技术产业开发区发展路199号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 李红媛
- 主分类号: C30B29/60
- IPC分类号: C30B29/60 ; C30B29/02 ; C30B25/18 ; C30B25/02
摘要:
一种在金属上直接生长碳纳米管阵列的简易方法及应用,它涉及一种在金属表面改性的方法及应用。本发明的目的是要解决现有碳纳米管与硅基底的结构强度低,金属基底上很难生长碳纳米管和在合金表面生长碳纳米管使用的载气危险,溶剂毒性大,不适合工业化推广的问题。方法:一、刻蚀处理;二、通入氮气,启动管式炉;三、注射二茂铁和环己烷的混合液,反应30min~120min;四、关闭管式炉,在氮气保护下自然冷却至室温,得到表面生长有碳纳米管阵列的金属基底。本发明制备的碳纳米管阵列与金属基底的剪切结合强度达到了0.95MPa。本发明可获得一种在金属上直接生长碳纳米管阵列的简易方法。
公开/授权文献
- CN107400928B 一种在金属上直接生长碳纳米管阵列的简易方法及应用 公开/授权日:2019-08-06
IPC分类: