公开(公告)号：CN103872128B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201310201227.8

申请日：2013-05-27

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 朴南均

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/18 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7827 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

摘要： 提供了一种垂直存储器件及其制造方法。垂直型半导体器件包括形成在半导体衬底的单元区中的公共源极区。沟道区形成在公共源极区上。沟道区具有预定高度和第一直径。漏极区形成在沟道区上。漏极区具有预定高度和比第一直径大的第二直径。第一栅电极包围沟道区。

公开(公告)号：CN100565783C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN01816168.5

申请日：2001-08-22

申请人： 哈佛学院董事会

发明人： 查尔斯·M·利伯 ,  崔屹 ,  段镶锋 ,  黄昱

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/349 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/18 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/883 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/24 ,  H01L2924/00

摘要： 是下列至少其中之一的体搀杂半导体：单晶体；拉长且体搀杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；以及具有至少一个具有小于500纳米的最小宽度的部分的独立式且体搀杂的半导体。这样的半导体可能包含一个包含第一半导体的内核；以及一个包含不同于第一半导体的材料的外壳。这样的半导体可能被拉长，并且可能在沿这样的半导体的纵剖面上的任意点，具有大于4∶1、或者大于10∶1、或者大于100∶1、或者甚至大于1000∶1的剖面长度和最大宽度的比值。这样的半导体的至少一个部分可能(具有，原文丢失have)小于200纳米、或小于150纳米、或小于100纳米、或小于80纳米、或小于70纳米、或小于60纳米、或小于40纳米、或小于20纳米、或小于10纳米、或者甚至小于5纳米的最小宽度。这样的半导体可能是单晶体且是独立式的。这样的半导体可能或者是轻n搀杂、重n搀杂、轻p搀杂或重p搀杂的。这样的半导体可能在生长过程中被搀杂。这样的半导体可能是器件的零件，该器件可能包括多种器件及其组合中的任一个，并且多种装配技术能被用于用这样的半导体制造器件。两个或更多这样的半导体，包括这类半导体的阵列，能被组合以形成器件，例如，形成器件的交叉p-n结。这样的器件在某些尺寸上可能表现出量子限制和其他的量子现象，并且从一个或更多这样的半导体发射的光的波长能够通过选择这样的半导体的宽度来控制。这样的半导体和以及用其制造的器件能被用于多种应用。

公开(公告)号：CN106165128A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580018523.1

申请日：2015-04-07

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 宋基荣 ,  林贤哲 ,  郑明训

IPC分类号： H01L33/36

CPC分类号： H01L33/04 ,  H01L21/00 ,  H01L27/15 ,  H01L29/18 ,  H01L29/72 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

摘要： 实施例涉及发光元件、用于生产发光元件的方法、发光元件封装以及照明系统。根据实施例的发光元件可以包括：第一导电半导体层(112)；第二导电半导体层(116)，所述第二导电半导体层(116)被布置在第一导电半导体层(112)下方；有源层(114)，所述有源层(114)被布置在第一导电半导体层(112)和第二导电半导体层(116)之间；多个孔(H)，所述多个孔(H)通过穿透第二导电半导体层(116)和有源层(114)将第一导电半导体层(112)的部分暴露于第二导电半导体层(116)的底表面；第一接触电极(160)，所述第一接触电极(160)通过多个孔(H)从第二导电半导体层(116)的底表面被电连接到第一导电半导体层(112)；绝缘层(140)，所述绝缘层(140)被布置在第一接触电极(160)和多个孔(H)之间；结合层(156)，所述结合层(156)被电连接到第一接触电极(160)；支撑构件(158)，所述支撑构件(158)被布置在结合层(156)下方；第二接触电极(132)，所述第二接触电极(132)被电连接到第二导电半导体层(116)；以及第一电流扩展半导体层(191)，所述第一电流扩展半导体层(191)在第一接触电极(160)上方的第一导电半导体层(112)的内部。

公开(公告)号：CN101887935B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201010206782.6

申请日：2001-08-22

申请人： 哈佛学院董事会

发明人： 查尔斯·M·利伯 ,  崔屹 ,  段镶锋 ,  黄昱

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L31/08 ,  C30B29/60

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/349 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/18 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/883 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/24 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供体掺杂半导体，其至少是下列其中之一：单晶体；拉长且体掺杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的自支撑且体掺杂的半导体，其中由体掺杂的半导体剖面产生的现象表现出所述剖面尺寸所引起的量子限制。此外还提供与体掺杂半导体相关的生长半导体的方法，制造器件的方法，半导体器件，制造纳米线半导体器件的方法，用纳米线制造发光二极管的方法，制造具有体掺杂半导体部件和一个和多个其他部件的装置的方法，在表面上装配多个拉长结构的方法，在表面上装配一个或更多拉长结构的系统以及半导体纳米线选择性地对准和定位在基体上的方法。

公开(公告)号：CN102569340B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110318414.5

申请日：2011-10-19

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 李俊雨 ,  柳春其 ,  崔埈厚

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L51/56 ,  H01L21/00 ,  H01L27/14 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/18 ,  H01L2227/323

摘要： 提供了一种有机发光显示设备及其制造方法。一种有机发光显示设备，包括：基板；薄膜晶体管，形成在基板上，并且包括有源层、包括栅下电极和栅上电极的栅电极、源电极以及漏电极；有机发光器件，电连接至所述薄膜晶体管，其中顺序沉积由与所述栅电极的至少一部分相同的材料形成在同一层中的像素电极、包括发光层的中间层以及被布置为面对所述像素电极的对电极；以及第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极由与所述栅上电极相同的材料形成在同一层中，所述第二焊盘电极由与所述源电极和所述漏电极相同的材料形成在同一层中，并且包括预定的离子被掺入与面对所述基板的表面相对的表面中的离子掺杂层。

公开(公告)号：CN103872128A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310201227.8

申请日：2013-05-27

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 朴南均

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/18 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7827 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

摘要： 提供了一种垂直存储器件及其制造方法。垂直型半导体器件包括形成在半导体衬底的单元区中的公共源极区。沟道区形成在公共源极区上。沟道区具有预定高度和第一直径。漏极区形成在沟道区上。漏极区具有预定高度和比第一直径大的第二直径。第一栅电极包围沟道区。

公开(公告)号：CN101325218B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200810110124.X

申请日：2008-06-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑现钟 ,  郑兰珠 ,  徐顺爱 ,  金东彻 ,  李章元

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/12 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/18 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/11807 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/7606 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法。所述场效应晶体管可包括：双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、漏区以及沟道区以单片结构形成；栅电极，位于沟道区上；绝缘层，隔离栅电极与双极性层，其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接。

公开(公告)号：CN1550030A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN01816168.5

申请日：2001-08-22

申请人： 哈佛学院董事会

发明人： 查尔斯·M·利伯 ,  崔屹 ,  段镶锋 ,  黄昱

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/349 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/18 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/883 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/24 ,  H01L2924/00

摘要： 是下列至少其中之一的体搀杂半导体：单晶体；拉长且体搀杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；以及具有至少一个具有小于500纳米的最小宽度的部分的独立式且体搀杂的半导体。这样的半导体可能包含一个包含第一半导体的内核；以及一个包含不同于第一半导体的材料的外壳。这样的半导体可能被拉长，并且可能在沿这样的半导体的纵剖面上的任意点，具有大于4∶1、或者大于10∶1、或者大于100∶1、或者甚至大于1000∶1的剖面长度和最大宽度的比值。这样的半导体的至少一个部分可能(具有，原文丢失have)小于200纳米、或小于150纳米、或小于100纳米、或小于80纳米、或小于70纳米、或小于60纳米、或小于40纳米、或小于20纳米、或小于10纳米、或者甚至小于5纳米的最小宽度。这样的半导体可能是单晶体且是独立式的。这样的半导体可能或者是轻n搀杂、重n搀杂、轻p搀杂或重p搀杂的。这样的半导体可能在生长过程中被搀杂。这样的半导体可能是器件的零件，该器件可能包括多种器件及其组合中的任一个，并且多种装配技术能被用于用这样的半导体制造器件。两个或更多这样的半导体，包括这类半导体的阵列，能被组合以形成器件，例如，形成器件的交p－n结。这样的器件在某些尺寸上可能表现出量子限制和其他的量子现象，并且从一个或更多这样的半导体发射的光的波长能够通过选择这样的半导体的宽度来控制。这样的半导体和以及用其制造的器件能被用于多种应用。

公开(公告)号：CN102569340A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110318414.5

申请日：2011-10-19

申请人： 三星移动显示器株式会社

发明人： 李俊雨 ,  柳春其 ,  崔埈厚

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L51/56 ,  H01L21/00 ,  H01L27/14 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/18 ,  H01L2227/323

摘要： 提供了一种有机发光显示设备及其制造方法。一种有机发光显示设备，包括：基板；薄膜晶体管，形成在基板上，并且包括有源层、包括栅下电极和栅上电极的栅电极、源电极以及漏电极；有机发光器件，电连接至所述薄膜晶体管，其中顺序沉积由与所述栅电极的至少一部分相同的材料形成在同一层中的像素电极、包括发光层的中间层以及被布置为面对所述像素电极的对电极；以及第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极由与所述栅上电极相同的材料形成在同一层中，所述第二焊盘电极由与所述源电极和所述漏电极相同的材料形成在同一层中，并且包括预定的离子被掺入与面对所述基板的表面相对的表面中的离子掺杂层。

公开(公告)号：CN101887935A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010206782.6

申请日：2001-08-22

申请人： 哈佛学院董事会

发明人： 查尔斯·M·利伯 ,  崔屹 ,  段镶锋 ,  黄昱

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L31/08 ,  C30B29/60

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/349 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/18 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/883 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/24 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供体掺杂半导体，其至少是下列其中之一：单晶体；拉长且体掺杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的自支撑且体掺杂的半导体，其中由体掺杂的半导体剖面产生的现象表现出所述剖面尺寸所引起的量子限制。此外还提供与体掺杂半导体相关的生长半导体的方法，制造器件的方法，半导体器件，制造纳米线半导体器件的方法，用纳米线制造发光二极管的方法，制造具有体掺杂半导体部件和一个和多个其他部件的装置的方法，在表面上装配多个拉长结构的方法，在表面上装配一个或更多拉长结构的系统以及半导体纳米线选择性地对准和定位在基体上的方法。