公开(公告)号：CN106233481B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201580019723.9

申请日：2015-02-09

Applicant: 诺基亚技术有限公司

Inventor： S·博里尼 ,  R·怀特

IPC: H01L51/05 ,  G01N27/414 ,  G01L1/16 ,  G01K7/00

CPC classification number: G01N27/4146 ,  G01N27/4141 ,  G01N27/4148 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/772

Abstract: 一种装置包括：第一层(512)，其配置成使电荷载流子能够从源电极(505)流动到漏电极(506)；第二层(513)，其配置成响应于物理刺激生成电压，所述第二层(513)被定位成使得所生成的电压能够影响所述第一层(512)的电导；以及第三层(514)，其被定位在所述第一层(512)和第二层(513)之间以阻止电荷载流子在其间流动。所述第三层(514)包括配置成响应于所生成的电压，在与所述第一层(512)和第二层(513)的界面处形成双电层(516，517)的材料。所述双电层(516，517)的形成增强所生成的电压对所述第一层(512)的电导的影响，使得对所述第一层(512)的电导的确定能够被用于允许得出所述物理刺激的量值。

公开(公告)号：CN109142443A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810685051.0

申请日：2018-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈昆龙 ,  陈东村 ,  谢正祥 ,  黄毓杰 ,  黄睿政

IPC: G01N27/00

CPC classification number: G01N33/48721 ,  C12Q1/6869 ,  C12Q1/6874 ,  G01N27/4145 ,  G01N27/4146 ,  G01N27/4148 ,  C12Q2565/607 ,  C12Q2565/629 ,  C12Q2565/631 ,  G01N27/00

Abstract: 本发明实施例涉及一种测定生物分子特征的半导体装置。一种半导体装置包含电路层及纳米孔层。所述纳米孔层形成于所述电路层上且形成有穿过其的孔。所述电路层包含电路单元，所述电路单元经配置以驱动生物分子穿过所述孔且检测与所述纳米孔层的电阻相关联的电流，借此可使用由所述电路单元检测到的所述电流来测定所述生物分子的特征。

公开(公告)号：CN107340325A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710522955.7

申请日：2017-06-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  姬宇航 ,  沈震

IPC: G01N27/414 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G01N27/4146 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种氮化镓复合场效应晶体管pH传感器的制备方法属于化学传感器领域，将采用等离子体化学气相沉积系统制备的GaN纳米织构与Ag纳米颗粒辅助化学刻蚀方法制备的硅纳米柱结构复合，采用EGFET形式制作pH传感器；通过PECVD技术，以简单和绿色的合成方式复合氮化镓(GaN)纳米织构，形成复合结构。与Si纳米线相比，GaN纳米织构有更高的灵敏性，并且有更大的表面积，利于吸附更多的氢离子和氢氧根离子。在缓冲液pH为3至11的范围内，传感器灵敏度从38mV/pH增加到56mV/pH。本发明的制备工艺简单便捷，制备的复合结构pH传感器具有较好性能和很好的稳定性。

公开(公告)号：CN106645357A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610899426.4

申请日：2016-10-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  王吉米 ,  薛兆国 ,  王军转 ,  徐骏

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/4146 ,  G01N27/4145

Abstract: 一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法，包括：1)采用具有一定硬度，耐350℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约90nm‑350nm生物探针形状的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成生物探针形状的纳米线；4)通过光刻和蒸镀技术在生物探针纳米线两侧的制作80‑120nm厚度的金属手臂作为金属电极；5)在衬底上通过转移纳米线生物探针。本发明可方便进行其他电学器件连接和集成，使得对微钠物质的测量更为便捷。本项技术为基于平面半导体纳米线的高性能场效应晶体管、传感器和光电器件提供了关键技术基础。

公开(公告)号：CN103018429B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201210431190.3

申请日：2012-11-01

Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 ,  华东师范大学

Inventor： 朱建军 ,  赵宇楠 ,  叶红波 ,  戚继鸣

IPC: G01N33/48 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01N27/4146 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明揭示了一种硅纳米线生物检测芯片的结构及制造方法，该结构包括半导体衬底、生长在半导体衬底上的二氧化硅隔离层、生长在二氧化硅隔离层上的多晶硅层和生长在多晶硅层上的结构层；其中，多晶硅层中包括图形化形成的硅纳米线阵列；结构层的结构为从下至上依次包括SiON层、TaN层和/或Ta2O5层，且TaN层和/或Ta2O5层仅覆盖于硅纳米线阵列中各硅纳米线的表面。因此，本发明不仅解决了硅纳米线阵列SiNW）在保存应用中存在的容易受污染的问题，且能使生物芯片经受Na、K、Fe、Cu和Ca等离子的扩散污染的考验，以及PH值等多种化学因素的影响，即实现了检测的高稳定性。

公开(公告)号：CN106233481A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580019723.9

申请日：2015-02-09

Applicant: 诺基亚技术有限公司

Inventor： S·博里尼 ,  R·怀特

IPC: H01L51/05 ,  G01N27/414 ,  G01L1/16 ,  G01K7/00

CPC classification number: G01N27/4146 ,  G01N27/4141 ,  G01N27/4148 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/772

Abstract: 一种装置包括：第一层(512)，其配置成使电荷载流子能够从源电极(505)流动到漏电极生成电压，所述第二层(513)被定位成使得所生成的电压能够影响所述第一层(512)的电导；以及第三层(514)，其被定位在所述第一层(512)和第二层(513)之间以阻止电荷载流子在其间流动。所述第三层(514)包括配置成响应于所生成的电压，在与所述第一层(512)和第二层(513)的界面处形成双电层(516，517)的材料。所述双电层(516，517)的形成增强所生成的电压对所述第一层(512)的电导的影响，使得对所述第一层(512)的电导的确定能够被用于允许得出所述物理刺激的量值。(506)；第二层(513)，其配置成响应于物理刺激

公开(公告)号：CN105580170A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480044334.7

申请日：2014-08-13

Applicant: 得克萨斯州大学系统董事会

Inventor： P·S·何 ,  吴卓杰

IPC: H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/38 ,  B82B3/00 ,  H01L29/06 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L29/45 ,  B82Y10/00 ,  G01N27/4146 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/16 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/18 ,  H01L35/04 ,  H01L35/34 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386

Abstract: 本发明涉及一种制备具有宽度为100nm或更小，特别是50nm或更小的硅纳米线的方法，所述方法包括：在含硅层上沉积金属膜，用湿方法处理所述金属膜以产生在含硅层上具有间隙的相互连接的金属网络，并用金属辅助蚀刻方法蚀刻所述含硅层以形成具有宽度为100nm或更小，特别是50nm或更小的硅纳米线。本发明还涉及含有硅纳米线的锂离子电池、热电材料、太阳能电池、化学和生物传感器以及药物递送器件。

公开(公告)号：CN105408740A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201380039616.3

申请日：2013-07-12

Applicant: 加州理工学院 ,  赛诺菲美国服务公司

Inventor： 阿迪蒂亚·拉贾戈帕 ,  杰峰·常 ,  奥利佛·普拉特布格 ,  斯蒂芬·彼得里 ,  阿克塞尔·谢勒 ,  查尔斯·L·奇尔哈特

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/50 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01L29/413 ,  B82Y15/00 ,  G01N27/4145 ,  G01N27/4146 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/78

Abstract: 描述了用于分子感测的系统和方法。描述的分子传感器基于场效应晶体管或双极结型晶体管。这些晶体管具有带有与基电极或栅电极接触的功能化层的纳米柱。该功能化层能够结合分子，这会在传感器中引发电信号。

公开(公告)号：CN104880557A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201410072619.3

申请日：2014-02-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张杨 ,  王成艳 ,  关敏 ,  丁凯 ,  张斌田 ,  林璋 ,  黄丰 ,  曾一平

IPC: G01N33/574 ,  G01N27/414

CPC classification number: G01N27/4145 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/574

Abstract: 本发明公开了一种用于检测肿瘤标志物的GaAs基HEMT生物传感器及其制作方法。该传感器包括GaAs基HEMT(10)，源、漏极电极(20)分别与所述GaAs基HEMT(10)的源极区域和漏极区域欧姆接触，栅极电极(40)形成于所述GaAs基HEMT(10)的栅极区域，生物敏感膜(50)形成于所述栅极电极(40)上，其能特异性识别肿瘤标志物，受到肿瘤标志物本身电荷的影响，使得所述栅极电极(40)表面电荷分布发生变化，进而影响所述GaAs基HEMT(10)沟道中二维电子气浓度，使得源漏电流发生变化。本发明在器件检测的灵敏度、响应速度以及便携性上具有非常明显的优势，可以实现实时检测且操作简单。

公开(公告)号：CN104737008A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380053874.7

申请日：2013-10-11

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： J·H·克鲁特维杰克 ,  M·梅舍 ,  P·德格拉夫 ,  B·马塞利斯

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/4148 ,  G01N27/4141 ,  G01N27/4145 ,  G01N27/4146 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16

Abstract: 一种集成电路(100)传感器阵列，包括：半导体衬底(110)；在所述衬底之上的绝缘层(120)；在所述绝缘层上的第一晶体管(140a)，第一晶体管包括在源极区(142a)与漏极区(144)之间的暴露的官能化沟道区(146a)，用于感测介质中的分析物；在所述绝缘层上的第二晶体管(140b)，第二晶体管包括在源极区(142b)与漏极区(144)之间的暴露的沟道区(146b)，用于感测所述介质的电势；和被导电性地耦合至半导体衬底的电压偏置发生器(150)，用于向所述晶体管提供偏置电压，所述电压偏置发生器可响应于第二晶体管。还公开了包括这样的IC的感测装置和利用这样的IC的分析物测量方法。