-
公开(公告)号：CN118099181A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410219467.9
申请日：2024-02-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种超高分辨率纳米光源器件的制备方法，包括第一步、通过纳米线转移技术或采取光刻、刻蚀及纳米线直接生长技术，在绝缘衬底上制备底层导电纳米线阵列通道，在通道一端沉积底层金属电极；第二步、通过旋涂法制备功能发光材料薄膜作为纳米LED光源；第三步、通过转移法在功能发光材料上覆盖与底层导电纳米线阵列交叉的顶层导电纳米线阵列，并定义顶层金属电极区域，第四步、对制备的发光器件进行引线焊接及封装保护以提高稳定性。本发明提出了全新的可高密度集成的新型纳米光源显示技术，可实现25400 PPI的超高空间分辨率，可应用于大面积高清虚拟现实（VR）技术领域。
-
公开(公告)号：CN113247860B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010586908.0
申请日：2020-06-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋结构的制备方法，该方法借助选择性刻蚀和沉积技术，以诱导金属纳米颗粒为引导颗粒，采用热蒸发或EBE方法有效控制引导颗粒的尺寸，采用IPSLS纳米线生长模式制备嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋，三维纳米线螺旋结构与上下两端金属电极形成回路，从而完成有效的电路连接；本发明在形成电流回路后会在螺旋结构内部及附近区域形成高度局域化的磁场，并有效控制尺寸至百纳米级别，可使得仪器的灵敏度和空间分辨率远远优过传统的磁性探测结构，为高速精准的生物磁信号探测提供了重要基础；可与平面微加工工艺兼容，可实现批量化制备，在微纳信息电子、生物医学等领域有很大的应用前景。
-
公开(公告)号：CN113247860A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010586908.0
申请日：2020-06-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋结构的制备方法，该方法借助选择性刻蚀和沉积技术，以诱导金属纳米颗粒为引导颗粒，采用热蒸发或EBE方法有效控制引导颗粒的尺寸，采用IPSLS纳米线生长模式制备嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋，三维纳米线螺旋结构与上下两端金属电极形成回路，从而完成有效的电路连接；本发明在形成电流回路后会在螺旋结构内部及附近区域形成高度局域化的磁场，并有效控制尺寸至百纳米级别，可使得仪器的灵敏度和空间分辨率远远优过传统的磁性探测结构，为高速精准的生物磁信号探测提供了重要基础；可与平面微加工工艺兼容，可实现批量化制备，在微纳信息电子、生物医学等领域有很大的应用前景。
-
公开(公告)号：CN111573618B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010435911.2
申请日：2020-05-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种螺旋回路磁头的制备方法，包括第一步，在导电衬底层上，定位制备预设高度、长度和宽度参数的基座；第二步，在所述基座上制备侧壁具有波纹状结构的硅柱；第三步，在样品表面制备一定厚度绝缘层；第四步，利用选择性刻蚀工艺，去除硅柱顶端绝缘层；第五步，定义催化金属沉积区域并沉积用作催化纳米线生长的金属层；第六步，利用IP‑SLS纳米线生长模式，制备三维纳米线螺旋结构；第七步，在硅柱顶端和衬底层的绝缘层上分别定义电极区域，两个电极区域分别与三维纳米线螺旋结构的上、下端接触，然后沉积电极实现纳米线与电极和导电衬底层之间的连通。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111422828A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010248425.X
申请日：2020-04-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种利用晶态纳米线阵列堆叠制备高光学手性器件的方法，包括基于IP-SLS生长方法并结合台阶沟道引导技术生长出平面半硅纳米线阵列，将此晶态纳米线阵列通过转移法进行交叉堆叠形成三维空间结构的多层纳米线阵列结构，再制备成手性器件。本发明把平行密排长直纳米线阵列通过转移的方法，并且每次每层转移都旋转一定角度，然后把纳米线阵列进行空间上的堆叠，将可以获得类似缓偏器的效应。将长直平行硅纳米线阵列的双折射和缓偏器两种效应结合，可以制备出具有高光学活性，高不对称因子的手性光学器件。
-
公开(公告)号：CN109904308B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201910191517.6
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过纳米线环结构实现电操控磁读写存储功能的方法，首先，在衬底上利用光刻和刻蚀技术定义所需要的纳米线引导生长沟道的图案；通过金属液滴引导的生长模式，顺延引导台阶边缘生长纳米线形成纳米环结构；然后，在样品表面蒸镀或者涂布一层磁性薄膜材料，仅保留纳米环附近的磁性薄膜材料；在纳米线两端利用制备电极；最后，通过在纳米线中通过适当电流，可在纳米环中产生感应磁场，使得磁性薄膜中的磁畴发生定向翻转，从而实现对磁性介质的电操控“写入”操作，反之亦可实现相应的擦除；本发明由于消除了对移动读写磁头的需求，此电操控磁读写单元可以在垂直方向上实现多层堆叠，从而实现高密度的3D存储应用。
-
公开(公告)号：CN108557758B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201810127391.1
申请日：2018-02-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种循环交替刻蚀同质多级坡面台阶引导生长纳米线阵列的方法，1)以晶硅、玻璃、聚合物或者介质层覆盖的金属薄膜作为衬底；2)利用光刻、电子束刻蚀或者掩模板技术，定义引导台阶预定的坡面位置即将台阶边缘图案转移到衬底上；再用ICP或者RIE交替循环刻蚀方法刻蚀出坡面多级台阶结构直到衬底表面；3)利用光刻工艺和蒸发或者溅射等金属淀积工艺，在坡面台阶之一端，制备包括铟或锡金属的催化层；4)通过PECVD，CVD或者PVD沉积技术，在样品表面覆盖与所需生长纳米线相应的非晶半导体前驱体薄膜层；5)生长纳米线；6)剩余非晶前驱体层通过氢气等离子体或者相应的ICP、RIE刻蚀工艺清除。
-
公开(公告)号：CN109876297A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910169233.7
申请日：2019-03-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种植入式光电心脏起搏器及其制备方法，该制备方法直接将通过气-液-固(VLS)生长机制生长的径向结太阳能电池制作成光电心脏起搏器贴片或起搏线，或对其采用酸处理、超声等方法，获得可注射的纳米或微米级的光电起搏器，通过贴片、微创注射植入手术，将该光电起搏器应用在心外膜表面或注射入心肌表层，在体内接受光照时其能产生大的开路电压或电荷，实现对心肌的刺激，在无电池、无导线的条件下使心脏起搏。该发明可减少患者更换供电装置带来的身体损伤及高额的手术费用，同时减少导线穿过静脉时带来的炎症反应；且依托于半导体产业成熟的制作工艺，该光电心脏起搏器的太阳能电池结构可以进行批量生产，且成本低廉。
-
公开(公告)号：CN109650330A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201810556520.9
申请日：2018-05-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 可编程纳米线为模板实现大面积石墨烯纳米带阵列的制备方法，1)利用光刻、电子束直写或掩模板技术在硅/二氧化硅衬底上定义所需的平面图案，利用电感耦合等离子体ICP刻蚀或者反应离子体刻蚀RIE技术刻蚀有台阶的引导沟道；2)利用光刻、蒸发或者溅射工艺金属淀积工艺，制备金属催化层，作为纳米线的生长起点位置；在还原性气体等离子体使催化金属层转变成为分离的金属纳米颗粒；3)将温度降低到金属催化颗粒熔点以下，整个结构表面覆盖与所需生长纳米线相应的非晶半导体前驱体薄膜层；4)将温度提高到适当温度以上，以使得纳米金属颗粒重新融化，并开始在前端吸收非晶层前驱体，而在后端生长淀积出晶态的纳米线结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.042 seconds)
