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公开(公告)号：CN109234807B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201810614845.8
申请日：2018-06-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种可拉伸晶体半导体纳米线及其制备方法，所述可拉伸晶体半导体纳米线具有细长的主体，所述纳米线直径在20‑200纳米之间，所述纳米线为为晶态无机半导体结构。所述可拉伸晶体半导体纳米线为弯曲结构，在轴向方向具有多个可拉伸单元，所述多个可拉伸单元依次连接，从而形成可拉伸晶体半导体纳米线。本发明采用IP‑SLS等方法在PECVD中生长沟道台阶引导的纳米线，并利用现代微加工技术进行制作成弹簧结构晶体纳米线阵列。由于此类纳米线与引导沟道截面可以有效调节，可以进一步进行剥离和转移到其他柔性衬底之上。本发明制备弹簧结构晶体纳米线的方法在柔性电子领域、传感器的应用方面有着广阔的前景。
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公开(公告)号：CN104634830A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510038531.4
申请日：2015-01-26
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种以甲烷为被测气体的PMMA-SnO2基薄膜气敏传感器，采用绝缘基底/PMMA-SnO2薄膜/电极结构，其中PMMA作为粘合剂，与带有SnO2量子点的有机溶剂混合形成旋涂液，通过旋涂形成PMMA-SnO2薄膜；薄膜结构采用的气敏材料是SnO2纳米颗粒，SnO2纳米颗粒的直径约为20±5nm。薄膜导电性良好，制备工艺简单，成本低；对附着的衬底要求不高，只需要旋涂到绝缘衬底上即可。值得一提的是，该薄膜传感器在较低的该温度下(50℃)，依然对甲烷保持着较高的响应灵敏度。
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公开(公告)号：CN105239156A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510586924.9
申请日：2015-09-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 外延定向生长、转移和集成平面半导体纳米线的方法，步骤如下：1)对晶体衬底处理，去掉表面氧化层；2)蒸镀In、Sn诱导金属膜，生长出金属膜图案，膜厚度在几个纳米到几十个纳米；3)在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在温度200℃-500℃、功率2W-50W时进行处理，使金属膜收缩成为直径在几十纳米到几微米之间的准纳米金属催化颗粒；4)继续在PECVD系统中覆盖生长一层几纳米至几百纳米的非晶硅层作为前驱体介质层；5)非晶硅层在真空中或非氧化性气氛中退火，利用IP-SLS生长模式在非晶硅层生长获得外延硅或锗纳米线。为基于平面半导体纳米线的场效应晶体管、传感器和光电器件提供了关键技术。
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公开(公告)号：CN105177706A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510502869.0
申请日：2015-08-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备高质量柔性平面zigzag单晶硅纳米线的方法，1)、在平整的衬底上，利用光刻或其他图案选择定位技术，在选位区域蒸镀Sn或In等诱导金属膜，作为纳米线生长的初始位置；2)在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在温度200℃-500℃、功率2W-50W时用氢气的等离子处理样品，使金属膜成为直径在几十纳米到几微米之间的准纳米催化颗粒；3)、在PECVD系统中覆盖一层适当厚度的非晶硅层作为前驱体介质层；4)、在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火，激活的催化颗粒自发吸收周围的非晶硅，析出晶态硅，同时纳米线的生长方向发生周期性的变化，从而生长出zigzag形晶态纳米线。
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公开(公告)号：CN105529242B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201510504801.6
申请日：2015-08-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法，1)在平整的衬底上，在定位区域蒸镀In、Sn或Bi诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置；2)将上述衬底放入PECVD系统腔内，在温度200℃‑500℃，氢气等离子体处理样品5‑30分钟后，金属膜会形成大量几十纳米到几微米之间不同尺寸的准纳米催化金属颗粒；3)在PECVD系统中，覆盖一层适当厚度(几纳米至几百纳米)的非晶硅层作为前驱体介质层；4)在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火，催化金属颗粒会被激活，自发吸收非晶硅，析出单晶硅，同时直径发生周期性变化，生长出珠串形纳米线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109234807A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810614845.8
申请日：2018-06-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种可拉伸晶体半导体纳米线及其制备方法，所述可拉伸晶体半导体纳米线具有细长的主体，所述纳米线直径在20-200纳米之间，所述纳米线为为晶态无机半导体结构。所述可拉伸晶体半导体纳米线为弯曲结构，在轴向方向具有多个可拉伸单元，所述多个可拉伸单元依次连接，从而形成可拉伸晶体半导体纳米线。本发明采用IP-SLS等方法在PECVD中生长沟道台阶引导的纳米线，并利用现代微加工技术进行制作成弹簧结构晶体纳米线阵列。由于此类纳米线与引导沟道截面可以有效调节，可以进一步进行剥离和转移到其他柔性衬底之上。本发明制备弹簧结构晶体纳米线的方法在柔性电子领域、传感器的应用方面有着广阔的前景。
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公开(公告)号：CN106645357B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201610899426.4
申请日：2016-10-17
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法，包括：1)采用具有一定硬度，耐350℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约90nm‑350nm生物探针形状的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成生物探针形状的纳米线；4)通过光刻和蒸镀技术在生物探针纳米线两侧的制作80‑120nm厚度的金属手臂作为金属电极；5)在衬底上通过转移纳米线生物探针。本发明可方便进行其他电学器件连接和集成，使得对微钠物质的测量更为便捷。本项技术为基于平面半导体纳米线的高性能场效应晶体管、传感器和光电器件提供了关键技术基础。
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公开(公告)号：CN107460542A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710450420.3
申请日：2017-06-15
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B25/186 , C30B25/183 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/60
Abstract: 基于平面纳米线线形设计和引导的可拉伸晶体半导体纳米线的制备方法，1)采用包括玻璃、二氧化硅片或者硅片衬底，进行标准化清洗；2)利用光刻技术或表面图案刻蚀技在衬底表面刻蚀一定深度的台阶；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约130±20nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成纳米线弹簧阵列；4)在PECVD系统中利用包括氢气的还原性等离子体处理金属薄膜，形成直径在几十纳米到一个微米之间的纳米金属催化颗粒；5)淀积覆盖一层适当厚度的非晶半导体层作为前驱体介质；6)在真空中或者非氧化性气氛中退火生长、温度在250℃以上，吸收非晶层并沿途淀积出晶态的纳米线结构。
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公开(公告)号：CN106645357A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610899426.4
申请日：2016-10-17
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4146 , G01N27/4145
Abstract: 一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法，包括：1)采用具有一定硬度，耐350℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约90nm‑350nm生物探针形状的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成生物探针形状的纳米线；4)通过光刻和蒸镀技术在生物探针纳米线两侧的制作80‑120nm厚度的金属手臂作为金属电极；5)在衬底上通过转移纳米线生物探针。本发明可方便进行其他电学器件连接和集成，使得对微钠物质的测量更为便捷。本项技术为基于平面半导体纳米线的高性能场效应晶体管、传感器和光电器件提供了关键技术基础。
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公开(公告)号：CN105529242A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510504801.6
申请日：2015-08-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法，1)在平整的衬底上，在定位区域蒸镀In、Sn或Bi诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置；2)将上述衬底放入PECVD系统腔内，在温度200℃-500℃，氢气等离子体处理样品5-30分钟后，金属膜会形成大量几十纳米到几微米之间不同尺寸的准纳米催化金属颗粒；3)在PECVD系统中，覆盖一层适当厚度(几纳米至几百纳米)的非晶硅层作为前驱体介质层；4)在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火，催化金属颗粒会被激活，自发吸收非晶硅，析出单晶硅，同时直径发生周期性变化，生长出珠串形纳米线。
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