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公开(公告)号：CN104880501A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410072709.2
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种用于检测重金属离子的InP基HEMT多通道传感器，其采用分子束外延系统制备InP基HEMT，一定条件下将特异性生物分子固定于栅极表面通过将InP基HEMT高跨导低噪声的特性与检测技术和微流控技术相结合，研制了能够同时检测多种重金属离子的传感器。本发明的优点在于基于InP基HEMT的多通道传感器，灵敏度极高、响应速率极快且便于携带，对于生活、医疗以及环境监测具有很好的实际应用意义，可以预防重金属离子食物中毒、临床诊断重金属离子中毒等，从而减少因重金属离子中毒而引起的发病和死亡等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104880493A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410072466.2
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/26 , G01N27/327
Abstract: 本发明公开了一种用于检测汞离子(Hg2+)的GaAs基PHEMT生物传感器，其以GaAs基PHEMT为基底，利用GaAs基PHEMT器件源漏电流随着栅极电荷的改变会发生规律性变化的特性，在特定条件下，通过在栅极固定生物敏感元件，当吸附重金属离子Hg2+时，会引起栅极表面电荷分布的变化，从而导致沟道载流子浓度变化。测试源漏电流的变化量来标定溶液中Hg2+的浓度，从而达到定量检测重金属Hg2+的目的。本发明的优点在于器件灵敏度高，响应速度快，可实现随身携带和实时检测，对于食品安全、临床诊断上具有十分重要的意义，可以从根本上预防汞中毒并在汞中毒时快速诊断，减少由于诊断不及时造成的伤害。
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公开(公告)号：CN104880558A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410073112.X
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N33/574 , G01N33/532
CPC classification number: G01N33/574 , G01N33/532
Abstract: 本发明公开了一种InP基HEMT肿瘤标志物传感器及其和制作方法，其包括InP基HEMT换能器、生物分子载体和生物敏感膜，换能器包括源极、漏极和栅极，生物分子载体形成于所述换能器的栅极，生物敏感膜附着于所述生物分子载体，该生物敏感膜能特异性识别肿瘤标志物，受到肿瘤标志物本身电荷的影响，使得所述栅极表面电荷分布发生变化，进而影响所述换能器沟道中二维电子气浓度，使得换能器的源漏电流发生变化。本发明可以将肿瘤标志物的检测极限提升到一个新的高度，为恶性肿瘤的预防医治提供先机。
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公开(公告)号：CN104880557A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410072619.3
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N33/574 , G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4146 , G01N33/574
Abstract: 本发明公开了一种用于检测肿瘤标志物的GaAs基HEMT生物传感器及其制作方法。该传感器包括GaAs基HEMT(10)，源、漏极电极(20)分别与所述GaAs基HEMT(10)的源极区域和漏极区域欧姆接触，栅极电极(40)形成于所述GaAs基HEMT(10)的栅极区域，生物敏感膜(50)形成于所述栅极电极(40)上，其能特异性识别肿瘤标志物，受到肿瘤标志物本身电荷的影响，使得所述栅极电极(40)表面电荷分布发生变化，进而影响所述GaAs基HEMT(10)沟道中二维电子气浓度，使得源漏电流发生变化。本发明在器件检测的灵敏度、响应速度以及便携性上具有非常明显的优势，可以实现实时检测且操作简单。
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公开(公告)号：CN104880501B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201410072709.2
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种用于检测重金属离子的InP基HEMT多通道传感器，其采用分子束外延系统制备InP基HEMT，一定条件下将特异性生物分子固定于栅极表面通过将InP基HEMT高跨导低噪声的特性与检测技术和微流控技术相结合，研制了能够同时检测多种重金属离子的传感器。本发明的优点在于基于InP基HEMT的多通道传感器，灵敏度极高、响应速率极快且便于携带，对于生活、医疗以及环境监测具有很好的实际应用意义，可以预防重金属离子食物中毒、临床诊断重金属离子中毒等，从而减少因重金属离子中毒而引起的发病和死亡等。
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公开(公告)号：CN104880493B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201410072466.2
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/26 , G01N27/327
Abstract: 本发明公开了一种用于检测汞离子(Hg2+)的GaAs基PHEMT生物传感器，其以GaAs基PHEMT为基底，利用GaAs基PHEMT器件源漏电流随着栅极电荷的改变会发生规律性变化的特性，在特定条件下，通过在栅极固定生物敏感元件，当吸附重金属离子Hg2+时，会引起栅极表面电荷分布的变化，从而导致沟道载流子浓度变化。测试源漏电流的变化量来标定溶液中Hg2+的浓度，从而达到定量检测重金属Hg2+的目的。本发明的优点在于器件灵敏度高，响应速度快，可实现随身携带和实时检测，对于食品安全、临床诊断上具有十分重要的意义，可以从根本上预防汞中毒并在汞中毒时快速诊断，减少由于诊断不及时造成的伤害。
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