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公开(公告)号：CN102270975A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010193493.7
申请日：2010-06-04
Applicant: 江苏丽恒电子有限公司
Inventor： 毛剑宏
IPC: H03H9/02
CPC classification number: B81C1/0019 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B7/0077 , B81C1/0023 , H01L41/053 , H01L41/27 , H03B5/30 , H03H3/0072 , H03H3/02 , H03H9/1014 , H03H9/1057 , H03H9/17 , H03H9/173 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供了一种晶振及其制作方法，所述晶振包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的层间介质层，所述层间介质层内形成有激励板以及位于所述激励板两侧的正极插塞、负极插塞；位于正极插塞与负极插塞之间、激励板上方的下空腔；位于层间介质层表面，横跨所述下空腔，并与正极插塞、负极插塞连接的振动晶体，所述振动晶体与其两侧的正极插塞以及负极插塞连接，除此之外，其余两侧为自由端，不与周围物体相接触；位于层间介质层上的隔离层，所述隔离层与振动晶体之间具有间隙，构成上空腔；形成于所述隔离层表面的覆盖层。本发明所述晶振基于CMOS工艺制造，易于集成至半导体芯片中，满足器件微缩的需求。
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公开(公告)号：CN1550030A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN01816168.5
申请日：2001-08-22
Applicant: 哈佛学院董事会
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B01J23/50 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/0013 , B01J37/349 , B81C1/0019 , B81C1/00206 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B11/00 , C30B25/005 , C30B29/605 , G01N27/4146 , G01N33/54373 , G11C13/0014 , G11C13/0019 , G11C13/025 , G11C13/04 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L23/53276 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/18 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/847 , Y10S977/858 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10S977/892 , Y10S977/936 , Y10T428/24 , H01L2924/00
Abstract: 是下列至少其中之一的体搀杂半导体：单晶体；拉长且体搀杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；以及具有至少一个具有小于500纳米的最小宽度的部分的独立式且体搀杂的半导体。这样的半导体可能包含一个包含第一半导体的内核；以及一个包含不同于第一半导体的材料的外壳。这样的半导体可能被拉长，并且可能在沿这样的半导体的纵剖面上的任意点，具有大于4∶1、或者大于10∶1、或者大于100∶1、或者甚至大于1000∶1的剖面长度和最大宽度的比值。这样的半导体的至少一个部分可能(具有，原文丢失have)小于200纳米、或小于150纳米、或小于100纳米、或小于80纳米、或小于70纳米、或小于60纳米、或小于40纳米、或小于20纳米、或小于10纳米、或者甚至小于5纳米的最小宽度。这样的半导体可能是单晶体且是独立式的。这样的半导体可能或者是轻n搀杂、重n搀杂、轻p搀杂或重p搀杂的。这样的半导体可能在生长过程中被搀杂。这样的半导体可能是器件的零件，该器件可能包括多种器件及其组合中的任一个，并且多种装配技术能被用于用这样的半导体制造器件。两个或更多这样的半导体，包括这类半导体的阵列，能被组合以形成器件，例如，形成器件的交p－n结。这样的器件在某些尺寸上可能表现出量子限制和其他的量子现象，并且从一个或更多这样的半导体发射的光的波长能够通过选择这样的半导体的宽度来控制。这样的半导体和以及用其制造的器件能被用于多种应用。
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公开(公告)号：CN104843630B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510087121.9
申请日：2015-02-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： J·赖因穆特
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B3/0048 , B81B3/0054 , B81B5/00 , B81B7/0006 , B81B7/0016 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/0015 , B81C1/0019 , B81C1/00198 , B81C1/00325 , B81C1/00666
Abstract: 提出一种传感器，其具有衬底、微机电结构和脱耦合结构，其中所述脱耦合结构固定在所述衬底上，其中所述微机电结构固定在所述脱耦合结构上，其中所述微机电结构和所述脱耦合结构能够相对于所述衬底移动，其中所述脱耦合结构设置在所述微机电结构和所述衬底之间。
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公开(公告)号：CN107934904A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201610890254.4
申请日：2016-10-12
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: F03G7/005 , B01J23/22 , B81B3/0018 , B81B3/0024 , B81B2201/031 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , F03G7/06 , H01L41/45 , H01M4/583 , H01M2200/10 , H02N11/006 , B81B2201/03 , B81C1/00134 , B81C1/0019
Abstract: 本发明涉及一种基于碳纳米管的致动器，其包括：一碳纳米管层；其中，进一步包括一与该碳纳米管层层叠设置的二氧化钒层。本发明的致动器采用碳纳米管层与二氧化钒层复合结构。由于二氧化钒层相变时形变较大，响应速率快，因此该致动器具有较大的形变和较快的响应速率。本发明还涉及一种采用该致动器的致动系统。
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公开(公告)号：CN1441276A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN02158423.0
申请日：2002-12-24
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: G02B26/00 , G02B6/136 , H01L21/306
CPC classification number: G02B6/353 , B81B2201/047 , B81B2203/0136 , B81C1/0019 , G02B6/3512 , G02B6/3546 , G02B6/357 , G02B6/3584
Abstract: 部分地除去硅基片的两面，形成挡板部、梳齿部、弹簧部等的结构体的硅部件制造方法，与在硅基片的上面形成的结构体对置的下表面以外的位置用保护膜加以掩膜，把下面露出区域的硅进行蚀刻，残留的厚度用于在上面侧形成结构体，在用于形成结构体的上表面用保护膜加以掩膜，上面露出区域的硅采用深度各向异性的反应性离子蚀刻法进行蚀刻直至贯穿，以形成结构体，在下面粘贴绝缘基片，分割成各个硅部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109586614A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811314264.9
申请日：2018-11-06
Applicant: 浙江海洋大学
CPC classification number: H02N2/18 , B81B3/0021 , B81B7/00 , B81B7/04 , B81C1/0019 , H02N2/22
Abstract: 一种基于PET/银纳米线/氧化锌镁/银掺杂氧化锌镁纳米阵列的纳米发电机，它包括一柔性PET，所述的柔性PET上自下而上依次制备有：1）银纳米线导电薄膜层，并构成由柔性PET/银纳米线导电层薄膜层复合的底电极；2）在所述柔性PET/银纳米线导电层薄膜层之上制备氧化锌镁薄膜层；3）在所述氧化锌镁薄膜层之上制备银掺杂氧化锌镁纳米阵列，获得柔性的银掺杂氧化锌镁纳米柱阵列；4）在所述银掺杂氧化锌镁纳米柱阵列之上制备活性层、空穴传输层；5）在上述活性层、空穴传输层上制备金顶电极层；6）在底电极和金顶电极层两个金属电极之间用铜线连接，通过导电浆料将铜丝焊接，采用环氧树脂封装焊接处。
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公开(公告)号：CN102270975B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010193493.7
申请日：2010-06-04
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Inventor： 毛剑宏
IPC: H03H9/02
CPC classification number: B81C1/0019 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B7/0077 , B81C1/0023 , H01L41/053 , H01L41/27 , H03B5/30 , H03H3/0072 , H03H3/02 , H03H9/1014 , H03H9/1057 , H03H9/17 , H03H9/173 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供了一种晶振及其制作方法，所述竞晶振包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的层间介质层，所述层间介质层内形成有激励板以及位于所述激励板两侧的正极插塞、负极插塞；位于正极插塞与负极插塞之间、激励板上方的下空腔；位于层间介质层表面，横跨所述下空腔，并与正极插塞、负极插塞连接的振动晶体，所述振动晶体与其两侧的正极插塞以及负极插塞连接，除此之外，其余两侧为自由端，不与周围物体相接触；位于层间介质层上的隔离层，所述隔离层与振动晶体之间具有间隙，构成上空腔；形成于所述隔离层表面的覆盖层。本发明所述晶振基于CMOS工艺制造，易于集成至半导体芯片中，满足器件微缩的需求。
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公开(公告)号：CN101802677A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106871.4
申请日：2008-09-08
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor： 马克·莫里斯·米尼亚尔
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B2201/047 , B81C1/0019 , G02B26/001 , G02B26/0825
Abstract: 一种微机电(MEMS)装置(800)包含衬底(802)、所述衬底(802)上的激活电极(804)、所述激活电极(804)上的反射层(810)，和所述激活电极(804)与所述反射层(810)之间的支撑层(808)。所述反射层(810)包含穿过所述反射层(810)的至少一个孔(814)。所述支撑层(808)包含在所述激活电极(804)与所述至少一个孔(814)之间的凹进(812)。在将控制信号施加到所述装置(800)后，所述反射层(810)的至少第一部分(816)经配置以移动到所述凹进(812)中，且所述反射层(810)的至少第二部分(818)经配置以保持静止。所述MEMS装置(800)的反射性主要通过改变从所述第一部分(816)反射的光与从所述第二部分(818)反射的光之间的相位差来调制。
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公开(公告)号：CN100565783C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN01816168.5
申请日：2001-08-22
Applicant: 哈佛学院董事会
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B01J23/50 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/0013 , B01J37/349 , B81C1/0019 , B81C1/00206 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B11/00 , C30B25/005 , C30B29/605 , G01N27/4146 , G01N33/54373 , G11C13/0014 , G11C13/0019 , G11C13/025 , G11C13/04 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L23/53276 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/18 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/847 , Y10S977/858 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10S977/892 , Y10S977/936 , Y10T428/24 , H01L2924/00
Abstract: 是下列至少其中之一的体搀杂半导体：单晶体；拉长且体搀杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；以及具有至少一个具有小于500纳米的最小宽度的部分的独立式且体搀杂的半导体。这样的半导体可能包含一个包含第一半导体的内核；以及一个包含不同于第一半导体的材料的外壳。这样的半导体可能被拉长，并且可能在沿这样的半导体的纵剖面上的任意点，具有大于4∶1、或者大于10∶1、或者大于100∶1、或者甚至大于1000∶1的剖面长度和最大宽度的比值。这样的半导体的至少一个部分可能(具有，原文丢失have)小于200纳米、或小于150纳米、或小于100纳米、或小于80纳米、或小于70纳米、或小于60纳米、或小于40纳米、或小于20纳米、或小于10纳米、或者甚至小于5纳米的最小宽度。这样的半导体可能是单晶体且是独立式的。这样的半导体可能或者是轻n搀杂、重n搀杂、轻p搀杂或重p搀杂的。这样的半导体可能在生长过程中被搀杂。这样的半导体可能是器件的零件，该器件可能包括多种器件及其组合中的任一个，并且多种装配技术能被用于用这样的半导体制造器件。两个或更多这样的半导体，包括这类半导体的阵列，能被组合以形成器件，例如，形成器件的交叉p-n结。这样的器件在某些尺寸上可能表现出量子限制和其他的量子现象，并且从一个或更多这样的半导体发射的光的波长能够通过选择这样的半导体的宽度来控制。这样的半导体和以及用其制造的器件能被用于多种应用。
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公开(公告)号：CN107963606A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710979387.3
申请日：2017-10-19
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01P15/0802 , B81B2203/0154 , G01P15/032 , G01P15/08 , G01P2015/0828 , G01P2015/0851 , B81B3/0027 , B81B2201/0228 , B81C1/0019
Abstract: 本发明涉及用于传感器元件的微机械弹簧(100)，所述微机械弹簧具有：-沿传感轴线(A)构造的至少两个弹簧区段(10、20)；-其中，所述至少两个弹簧区段(10、20)分别具有限定的长度(L1、L2)；并且-其中，所述至少两个弹簧区段(10、20)具有限定地不同的宽度(B1、B2)。
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